Ixys 艾赛斯模块封装技术经历了 “标准化 - 场景化 - 定制化” 的演进路径。早期以 TO 系列、MODULE 标准封装为主，满足通用场景需求；随后针对特定场景开发**封装，如为消费电子设计 SOP/QFN 小型化封装，为工业设备开发 SOT227B 紧凑型封装；如今则提供全维度定制服务，可根据客户需求调整引脚布局、散热方式、集成功能，甚至开发全新封装结构。例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀封装，为航空航天设备设计轻量化陶瓷金属封装，封装材料均通过 UL、IEC 认证，工作温度范围覆盖 - 55℃至 225℃。IXYS艾赛斯模块DCB载板封装加持，散热效率较传统基板大幅提升。IXYS艾赛斯...

Ixys 艾赛斯肖特基整流桥模块基于金属 - 半导体接触的肖特基势垒原理，具备零反向恢复电荷、低正向导通电压的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结整流桥。模块采用贵金属（如铂、钯）接触与沟槽结构设计，提升了电流密度与耐高温性能，正向导通电压可低至 0.4V，反向耐压覆盖 50V-1200V，电流等级可达 300A。封装采用紧凑的表面贴装或 MODULE 形式，适配低压大电流场景的小型化设计需求。在 DC-DC 转换器、锂电池充电器、新能源汽车低压电源等场景中，肖特基整流桥模块能***降低电源损耗，提升能量转换效率，是实现高效电源设计的关键器件。Ixys艾赛斯MOS管...

Ixys 艾赛斯 MOS 管拥有完善的产品矩阵，按材料可分为硅基与 SiC 基；按结构可分为 N 沟道、P 沟道与超级结型；电压覆盖 100V-10kV，电流 1A-1000A，封装包括 TO 系列、SOP、QFN、MODULE 等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务：为航空航天设备定制轻量化、耐高温 MOS 管，为船舶系统定制耐盐雾腐蚀模块，为新能源车企定制高集成度逆变桥模块。同时，提供详尽的技术手册、仿真模型与应用笔记，专业技术团队提供从选型到调试的全流程支持，帮助客户快速落地方案。Ixys艾赛斯可控硅模块具有高浪涌电流承受能力，能应对电路中瞬间的大电流冲击，确保系统稳定运行。IXYS艾...

轨道交通牵引系统对功率半导体器件的功率等级与耐环境性能要求极高，Ixys 艾赛斯二极管模块凭借高功率密度与强环境适应性成为*选。在牵引变流器中，整流二极管模块将接触网的交流电转换为直流电，其反向耐压可达 6500V，电流等级超过 1000A，能满足牵引电机的大功率需求；续流二极管模块与 IGBT 配合，实现牵引电机的四象限运行，其快恢复特性减少了开关损耗，提升了变流器效率。模块采用强化的机械结构与密封设计，能耐受轨道交通场景中的振动、冲击与粉尘侵蚀，且具备宽温度工作范围，确保列车在不同气候条件下稳定运行。Ixys艾赛斯场效应管光伏逆变器中，可提升电能转换效率，*大化利用太阳能资源。IXYS艾赛...

Ixys 艾赛斯 MOS 管采用多元化封装技术适配不同功率场景，中小功率型号采用 TO-220、TO-247 等通孔封装与 SOP、QFN 等表面贴装封装，体积小巧，适配消费电子与小型电源设备；大功率型号采用 MODULE 封装，内置直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合多芯片并联设计，快速导出热量；高压 SiC MOS 管采用陶瓷金属封装，提升耐高温与绝缘性能。部分**型号集成温度传感器与电流检测芯片，实现状态实时监测，封装材料通过 UL、IEC 认证，在 - 55℃至 225℃环境中稳定工作，兼顾电气安全与机械可靠性。IXYS艾赛斯模块整流桥模块集成桥式...

低压大电流 MOS 管是 Ixys 艾赛斯面向低压电力场景的特色产品，电压等级 100V-600V，电流可达 1000A，**优势在于**导通电阻（可低至 1mΩ 以下）与高电流密度。其采用沟槽栅（Trench）与超级结（Super Junction）复合工艺，通过优化沟道结构增加导电面积，配合薄晶圆技术降低导通损耗。封装采用多芯片并联的 MODULE 形式或大电流 TO-220 封装，内置均流电阻确保电流分布均匀，散热效率优异。在新能源汽车低压电源、锂电池充放电管理、大功率 DC-DC 转换器等场景中，该类 MOS 管能***降低功率损耗，提升系统效率，适配大电流快充与低压驱动需求。在新能源...

单相整流桥模块是 Ixys 艾赛斯整流桥产品线的基础款，内部由 4 颗整流二极管组成桥式整流电路，可将单相交流电转换为脉动直流电。其采用对称的芯片布局设计，确保正负半周整流特性一致，导通压降低至 1.0V 以下，反向漏电流小于 10μA，具备优异的电气性能。电压等级涵盖 50V-1200V，电流从 10A 到 500A 不等，封装形式以紧凑型 DIP、MODULE 为主，部分型号集成散热器安装孔，适配小型化设备需求。在家用电器（如空调、洗衣机）的电源电路、小型 UPS、便携式设备充电器等场景中，单相整流桥模块简化了电路设计，提升了电源转换效率，为设备稳定运行提供基础直流电源。Ixys艾赛斯IG...

Ixys 艾赛斯模块为新能源发电提供从发电端到并网端的全链条解决方案。光伏领域，组串式逆变器采用超级结 MOS 管模块与快恢复二极管模块，实现 98.5% 以上的转换效率；集中式逆变器则配套 6500V IGBT 模块，适配高电压输入场景。风电领域，变桨系统使用 IGBT 模块控制叶片角度，变流器采用可控硅 + 整流桥复合模块，实现风能向电能的高效转换。此外，储能系统中广泛应用肖特基二极管模块与 MOS 管模块，保障充放电过程的低损耗与高可靠性，为 “风光储” 一体化提供**器件支撑。Ixys艾赛斯MOS管具备出色的雪崩能量耐受能力，可抵御瞬时过压冲击，提升系统可靠性。IXYS艾赛斯VVZ24...

集成门极换流晶闸管（IGCT）模块是 Ixys 艾赛斯在可控硅技术基础上的重大创新，将 GTO 芯片与集成门极驱动电路、续流二极管集成于一体。其通过优化的门极驱动设计，实现了低关断损耗与高关断速度，关断时间较传统 GTO 缩短 50% 以上，且无需复杂的外部缓冲电路，简化了系统结构。电压等级覆盖 4500V-6500V，电流可达 4000A，功率密度较 GTO 模块提升 30%。在轨道交通牵引变流器、大型工业电机驱动、船舶电力推进系统等大功率场景中，IGCT 模块凭借高可靠性、高效率与紧凑结构，成为替代 GTO 的推荐方案。Ixys艾赛斯场效应管极低的反向恢复电荷，在整流电路中能减少谐波干扰，...

Ixys 艾赛斯碳化硅（SiC）MOS 管基于宽禁带半导体材料开发，彻底突破硅基器件的性能极限，具备耐高温（*高 225℃）、耐高压（可达 15kV）、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%，开关速度提升 3 倍，且无反向恢复损耗，能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术，解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题，封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中，SiC MOS 管可使系统效率突破 99%，体积缩小 40%，是未来高效电力电子系统的**方向。Ixys二极管模块含FRD、肖特基等...

IXYN80N90C3H1 是 Ixys 艾赛斯一款专为高频应用设计的 IGBT 模块。它在 20 - 50kHz 的开关频率下表现***，特别适用于高频电源逆变器、开关电源模块等领域。该模块集成了反并联肖特基二极管，极大地提升了其在高频环境下的性能。在高频工作时，其低开关损耗特性明显，能够有效减少能量损耗，提高系统效率。同时，它具备强大的电流处理能力，*大持续电流可达 115A，确保在高负载情况下也能稳定运行。其方形的反向偏置安全工作区域，进一步保障了在复杂电路条件下操作的可靠性，为高频电力转换应用提供了优*的解决方案。Ixys艾赛斯IGBT的短路耐受能力，能抵御数微秒短路冲击，提升电力系统...

电力系统的安全稳定运行离不开 Ixys 艾赛斯模块的精确控制。在高压直流输电（HVDC）换流站，可控硅模块组成换流桥，实现交直流电能转换，其 6500V 耐压与 3000A 电流特性适配大功率输电需求；静止无功补偿器（SVC）中，可控硅模块快速投切电抗器与电容器，动态调节电网无功功率，维持电压稳定；配电系统的智能断路器则采用小型化 IGBT 模块，实现故障电流快速分断。这些模块具备高可靠性与长寿命特性，平均无故障时间（MTBF）超 10 万小时，为电网安全提供底层保障。Ixys艾赛斯产品覆盖IGBT、场效应管、整流桥等，为不同功率场景提供适配方案。IXYS艾赛斯MDD95-14N1BIXYS艾...

Ixys 艾赛斯 MOS 管拥有完善的产品矩阵，按材料可分为硅基与 SiC 基；按结构可分为 N 沟道、P 沟道与超级结型；电压覆盖 100V-10kV，电流 1A-1000A，封装包括 TO 系列、SOP、QFN、MODULE 等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务：为航空航天设备定制轻量化、耐高温 MOS 管，为船舶系统定制耐盐雾腐蚀模块，为新能源车企定制高集成度逆变桥模块。同时，提供详尽的技术手册、仿真模型与应用笔记，专业技术团队提供从选型到调试的全流程支持，帮助客户快速落地方案。Ixys艾赛斯整流桥在工业变频器里，它能精确实现交流电整流，为变频模块提供稳定直流电源。IXYS艾赛斯DS...

轨道交通牵引系统对功率半导体器件的功率等级与耐环境性能要求极高，Ixys 艾赛斯二极管模块凭借高功率密度与强环境适应性成为*选。在牵引变流器中，整流二极管模块将接触网的交流电转换为直流电，其反向耐压可达 6500V，电流等级超过 1000A，能满足牵引电机的大功率需求；续流二极管模块与 IGBT 配合，实现牵引电机的四象限运行，其快恢复特性减少了开关损耗，提升了变流器效率。模块采用强化的机械结构与密封设计，能耐受轨道交通场景中的振动、冲击与粉尘侵蚀，且具备宽温度工作范围，确保列车在不同气候条件下稳定运行。Ixys艾赛斯可控硅模块，具备出色的电压阻断能力，可承受高达数千伏的反向电压，保障电路安全...

Ixys 艾赛斯二极管模块普遍采用直接铜键合（DCB）载板封装技术，通过陶瓷绝缘层将铜箔与芯片紧密键合，形成高效的散热路径。DCB 载板不仅绝缘性能优异，导热系数可达 200W/(m・K) 以上，远超传统 FR4 基板，能快速将芯片产生的热量传导至散热片。模块封装形式涵盖紧凑型 SOT227B、标准 MODULE 封装及定制化大功率封装，部分型号集成温度传感器，便于实时监测模块温度。此外，封装边缘采用圆角设计与阻燃材料，通过 UL 安全认证，在提升散热效率的同时，保障了电气安全与机械可靠性。Ixys艾赛斯MOS管兼具高击穿电压与大电流容量，是大功率电子设备的重要器件之选。IXYS艾赛斯MCD3...

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。Ixys艾赛斯整流桥采用国际标准封装，...

Ixys 艾赛斯构建了业内**完善的功率半导体模块矩阵，按**器件类型可划分为五大类：IGBT 模块聚焦高频大功率转换，适配电机驱动与新能源逆变场景；二极管模块以快恢复、肖特基特性为**，满足续流与整流需求；可控硅模块主打高压大电流控制，服务于电力系统与工业调速；整流桥模块集成桥式拓扑，简化交直流转换电路；MOS 管模块则以高频低损耗优势，适配电源与驱动场景。这种全品类布局并非简单堆砌，而是基于 “场景 - 性能” 精确匹配逻辑，例如为光伏逆变器配套 IGBT + 快恢复二极管复合模块，为电动汽车定制 SiC MOS 管集成模块，形成覆盖全功率等级、全应用场景的产品生态。IXYS艾赛斯模块DC...

Ixys 艾赛斯构建了业内**完善的功率半导体模块矩阵，按**器件类型可划分为五大类：IGBT 模块聚焦高频大功率转换，适配电机驱动与新能源逆变场景；二极管模块以快恢复、肖特基特性为**，满足续流与整流需求；可控硅模块主打高压大电流控制，服务于电力系统与工业调速；整流桥模块集成桥式拓扑，简化交直流转换电路；MOS 管模块则以高频低损耗优势，适配电源与驱动场景。这种全品类布局并非简单堆砌，而是基于 “场景 - 性能” 精确匹配逻辑，例如为光伏逆变器配套 IGBT + 快恢复二极管复合模块，为电动汽车定制 SiC MOS 管集成模块，形成覆盖全功率等级、全应用场景的产品生态。Ixys艾赛斯可控硅模...

超级结 MOS 管（SJ-MOS）是 Ixys 艾赛斯在 MOS 管技术上的重大突破，通过 P 型与 N 型交替的外延层结构，突破了传统 MOS 管 “导通电阻 - 击穿电压” 的制约关系，实现高耐压与低导通损耗的双重优势。其电压等级覆盖 600V-1.2kV，电流至 200A，反向恢复电荷*为传统 MOS 管的 1/3，开关损耗降低 50% 以上。采用先进的平面栅设计与离子注入工艺，确保器件在高频工况下稳定运行，dv/dt 耐受能力可达 5000V/μs。在光伏逆变器、高频开关电源、不间断电源（UPS）等高频高效场景中，SJ-MOS 管成为提升系统能效的**器件。Ixys艾赛斯可控硅模块的导...

高压整流桥模块是 Ixys 艾赛斯针对高电压应用开发的**产品，通过强化的芯片结构与封装工艺，实现了超高反向耐压特性，电压等级覆盖 3000V-6500V，电流范围从 50A 到 2000A。模块内部采用串联芯片堆叠技术，配合精确的电压均衡设计，确保各芯片承受的电压均匀分配，避免局部过压击穿。封装采用平板型（Press-Pack）或高压 MODULE 形式，绝缘性能优异，爬电距离符合国际高压标准，且具备良好的散热性能。在高压直流输电（HVDC）换流站、高压电机励磁电源、工业高频加热设备等高压场景中，高压整流桥模块作为**整流器件，实现了高电压交流电向直流电的稳定转换，保障了高压系统的可靠运行。...

Ixys 艾赛斯碳化硅（SiC）MOS 管基于宽禁带半导体材料开发，彻底突破硅基器件的性能极限，具备耐高温（*高 225℃）、耐高压（可达 15kV）、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%，开关速度提升 3 倍，且无反向恢复损耗，能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术，解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题，封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中，SiC MOS 管可使系统效率突破 99%，体积缩小 40%，是未来高效电力电子系统的**方向。Ixys艾赛斯整流桥具备高正向电流承...

不间断电源（UPS）中，Ixys 艾赛斯二极管模块是保障电力连续性的关键器件。在市电正常时，整流二极管模块将交流电转换为直流电，为蓄电池充电并为逆变器供电，其高可靠性确保充电过程稳定高效；当市电中断时，二极管模块快速切换至备用回路，阻断蓄电池向整流侧反向放电，同时配合逆变器将蓄电池电能转换为交流电供负载使用。模块的低正向压降降低了回路损耗，高浪涌耐受能力能应对负载突变时的电流冲击，且封装紧凑，适配 UPS 小型化设计需求。在数据中心、通信基站等关键场景，该模块为 UPS 系统提供可靠的电力转换与切换支撑，避免断电导致的数据丢失。Ixys艾赛斯场效应管栅极驱动功耗低，搭配简易驱动电路即可稳定运行...

新能源汽车充电机对整流效率与可靠性要求极高，Ixys 艾赛斯整流桥模块为其提供了高效的前端整流解决方案。充电机中多采用三相整流桥模块，将电网交流电转换为直流电后，再通过 DC-DC 转换器为动力电池充电。模块具备高电流密度特性（可达 5A/mm²），适配快充场景的大电流需求，低导通压降特性降低了整流损耗，使充电机转换效率突破 96%。封装采用耐高温设计，能适应充电机长时间高负载运行的温升环境，且具备良好的抗振动、冲击性能，适配车载或户外充电桩的安装需求。在直流快充桩、车载充电机（OBC）等设备中，整流桥模块确保了充电过程的高效与安全，缩短了充电时间。Ixys艾赛斯以先进半导体技术为基石，艾赛斯...

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在设计上充分考虑了降低损耗的需求。一方面，通过采用先进的制造工艺和材料，如前面提到的 XPT 技术结合薄晶圆工艺，有效降低了集电极 - 发射极饱和电压，减少了导通损耗。另一方面，在开关损耗方面，优化的栅极驱动设计和低栅极电荷特性，使得模块在开关过程中所需的驱动能量更小，开关速度更快，从而降低了开关损耗。此外，模块的整体结构设计也有助于减少寄生电感和电容，进一步降低了能量损耗。这种***的低损耗设计，使得 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在各种应用中都能以更高的效率运行，为节能减排做出贡献。Ixys艾赛斯可控硅模块支持高频率工作，适用于对频率响应要求高的电力转换系...