Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在设计上充分考虑了降低损耗的需求。一方面,通过采用先进的制造工艺和材料,如前面提到的 XPT 技术结合薄晶圆工艺,有效降低了集电极 - 发射极饱和电压,减少了导通损耗。另一方面,在开关损耗方面,优化的栅极驱动设计和低栅极电荷特性,使得模块在开关过程中所需的驱动能量更小,开关速度更快,从而降低了开关损耗。此外,模块的整体结构设计也有助于减少寄生电感和电容,进一步降低了能量损耗。这种***的低损耗设计,使得 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在各种应用中都能以更高的效率运行,为节能减排做出贡献。Ixys艾赛斯可控硅模块支持高频率工作,适用于对频率响应要求高的电力转换系统。IXYS艾赛斯IXFN70N60Q2
在空调系统中,Ixys 艾赛斯 IGBT 模块为实现节能运行提供了有效解决方案。传统空调在运行过程中,压缩机频繁启停会消耗大量电能,且会对压缩机造成机械损伤,影响其使用寿命。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块通过精确控制压缩机的转速,使其能够根据室内温度的变化实时调整制冷或制热功率。当室内温度接近设定温度时,模块降低压缩机转速,减少能耗;而当温度偏差较大时,提高转速以快速调节室温。这种智能的控制方式不仅使空调运行更加平稳,降低了噪音,还大幅降低了能耗,实现了节能与舒适的双重目标,符合当前绿色环保、节能减排的发展趋势。IXYS艾赛斯IXFN70N60Q2Ixys艾赛斯场效应管光伏逆变器中,可提升电能转换效率,*大化利用太阳能资源。
Ixys 艾赛斯 MOS 管主要分为 N 沟道与 P 沟道两大基础类型,二者基于载流子类型差异呈现互补特性。N 沟道 MOS 管以电子为主要载流子,导通电阻更低、开关速度更快,电压等级覆盖 100V-10kV,电流可达 1000A,是大功率、高频场景的主流选择,广泛应用于工业逆变器、新能源汽车驱动等领域;P 沟道 MOS 管以空穴为载流子,虽导通电阻略高,但在低压小功率场景中无需负压驱动,电路设计更简洁,电压覆盖 100V-600V,电流至 50A,适配便携式设备电源、低压 DC-DC 转换器等场景。Ixys 通过精确的掺杂工艺与沟道优化,确保两类器件在各自领域实现性能*大化。
电力系统的安全稳定运行离不开 Ixys 艾赛斯模块的精确控制。在高压直流输电(HVDC)换流站,可控硅模块组成换流桥,实现交直流电能转换,其 6500V 耐压与 3000A 电流特性适配大功率输电需求;静止无功补偿器(SVC)中,可控硅模块快速投切电抗器与电容器,动态调节电网无功功率,维持电压稳定;配电系统的智能断路器则采用小型化 IGBT 模块,实现故障电流快速分断。这些模块具备高可靠性与长寿命特性,平均无故障时间(MTBF)超 10 万小时,为电网安全提供底层保障。Ixys艾赛斯可控硅模块内部采用直接铜键合(DCB)氧化铝陶瓷基板,有效提高散热效率,延长使用寿命。
Ixys 艾赛斯 MOS 管拥有完善的产品矩阵,按材料可分为硅基与 SiC 基;按结构可分为 N 沟道、P 沟道与超级结型;电压覆盖 100V-10kV,电流 1A-1000A,封装包括 TO 系列、SOP、QFN、MODULE 等多种规格。针对特殊场景,提供定制化服务:为航空航天设备定制轻量化、耐高温 MOS 管,为船舶系统定制耐盐雾腐蚀模块,为新能源车企定制高集成度逆变桥模块。同时,提供详尽的技术手册、仿真模型与应用笔记,专业技术团队提供从选型到调试的全流程支持,帮助客户快速落地方案。IXYS艾赛斯模块UPS系统中防反接,保障断电切换时电力连续。IXYS艾赛斯IXFN70N60Q2
Ixys艾赛斯MOS管支持宽电压范围工作,从几十伏到上千伏均有覆盖,适配多元应用需求。IXYS艾赛斯IXFN70N60Q2
大中型电机直接启动时会产生数倍于额定电流的冲击电流,易损坏电机绕组与机械传动部件,Ixys 艾赛斯可控硅模块在电机软启动器中发挥着关键作用。软启动器中,可控硅模块串联在电机电源回路,启动时通过逐渐增大导通角,使输入电机的电压从低到高平滑上升,电流冲击被限制在额定电流的 1.5-2.5 倍以内,实现电机平稳启动。此外,模块还具备过载保护功能,当电机电流超过设定值时,快速减小导通角切断电源,保护电机免受损坏。在水泵、风机、压缩机等电机驱动场景中,该模块延长了设备使用寿命,降低了电网冲击。IXYS艾赛斯IXFN70N60Q2