IXYS艾赛斯IXFN210N20P

Ixys 艾赛斯肖特基整流桥模块基于金属 - 半导体接触的肖特基势垒原理，具备零反向恢复电荷、低正向导通电压的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结整流桥。模块采用贵金属（如铂、钯）接触与沟槽结构设计，提升了电流密度与耐高温性能，正向导通电压可低至 0.4V，反向耐压覆盖 50V-1200V，电流等级可达 300A。封装采用紧凑的表面贴装或 MODULE 形式，适配低压大电流场景的小型化设计需求。在 DC-DC 转换器、锂电池充电器、新能源汽车低压电源等场景中，肖特基整流桥模块能***降低电源损耗，提升能量转换效率，是实现高效电源设计的关键器件。Ixys艾赛斯MOS管支持宽电压范围工作，从几十伏到上千伏均有覆盖，适配多元应用需求。IXYS艾赛斯IXFN210N20P

低压大电流 MOS 管是 Ixys 艾赛斯面向低压电力场景的特色产品，电压等级 100V-600V，电流可达 1000A，**优势在于**导通电阻（可低至 1mΩ 以下）与高电流密度。其采用沟槽栅（Trench）与超级结（Super Junction）复合工艺，通过优化沟道结构增加导电面积，配合薄晶圆技术降低导通损耗。封装采用多芯片并联的 MODULE 形式或大电流 TO-220 封装，内置均流电阻确保电流分布均匀，散热效率优异。在新能源汽车低压电源、锂电池充放电管理、大功率 DC-DC 转换器等场景中，该类 MOS 管能***降低功率损耗，提升系统效率，适配大电流快充与低压驱动需求。IXYS艾赛斯IXFN210N20PIxys艾赛斯可控硅模块的隔离电压高达数千伏，能有效隔离电路中的高低压部分，保障操作人员安全。

在空调系统中，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块为实现节能运行提供了有效解决方案。传统空调在运行过程中，压缩机频繁启停会消耗大量电能，且会对压缩机造成机械损伤，影响其使用寿命。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块通过精确控制压缩机的转速，使其能够根据室内温度的变化实时调整制冷或制热功率。当室内温度接近设定温度时，模块降低压缩机转速，减少能耗；而当温度偏差较大时，提高转速以快速调节室温。这种智能的控制方式不仅使空调运行更加平稳，降低了噪音，还大幅降低了能耗，实现了节能与舒适的双重目标，符合当前绿色环保、节能减排的发展趋势。

随着可再生能源的快速发展，光伏发电日益普及。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在光伏逆变器中扮演着**角色。光伏逆变器的主要功能是将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，以便接入电网或供负载使用。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块凭借其低开关损耗和高电流承载能力，能够高效地完成这一电能转换过程。在不同光照强度和温度条件下，模块都能稳定工作，确保光伏逆变器输出高质量的交流电，提高光伏发电系统的整体转换效率，为太阳能的广泛应用和可持续发展提供了坚实的技术支持，推动了清洁能源产业的进步。IXYS艾赛斯模块轨道交通模块耐振动，通过严苛EN50155认证。

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块中的 XPT（极轻穿透型）技术独具特色。该技术下的模块具备出色的短路耐受能力，能够在短路故障发生时，短时间内承受大电流冲击，例如部分模块可承受 10μs 的短路电流。同时，XPT 技术使得 IGBT 模块的栅极电荷非常低，这意味着在开关过程中，所需的驱动功率更小，能够快速响应驱动信号，实现快速的开关动作，有效降低了开关损耗。此外，XPT 技术结合薄晶圆工艺，还能实现较低的集电极 - 发射极饱和电压，进一步提升了模块在导通状态下的效率，为各类应用提供了更高效、可靠的电力控制解决方案。工业电源设备里，Ixys艾赛斯场效应管其精确的电流控制能力，助力电源实现高稳定性输出。IXYS艾赛斯IXFN210N20P

Ixys艾赛斯IGBT采用先进trench-gate工艺，栅极电荷少，驱动简单，能降低控制系统复杂度。IXYS艾赛斯IXFN210N20P

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块采用了先进的平面栅和沟槽栅技术。平面栅技术成熟稳定，能够在保证器件性能的同时，有效降低成本。其在大面积芯片上构建的平面栅结构，有利于均匀分布电场，提高模块的耐压能力。而沟槽栅技术则更进一步，通过在硅片表面刻蚀出沟槽状的栅极结构，明显增加了栅极与硅片的接触面积。这不仅提升了模块的电流密度，使相同尺寸的模块能够处理更大的电流，还降低了导通电阻，减少了导通损耗，极大地提高了模块的整体效率，让 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在性能上更具竞争力。IXYS艾赛斯IXFN210N20P