IXYS艾赛斯MDD95-14N1B

电力系统的安全稳定运行离不开 Ixys 艾赛斯模块的精确控制。在高压直流输电（HVDC）换流站，可控硅模块组成换流桥，实现交直流电能转换，其 6500V 耐压与 3000A 电流特性适配大功率输电需求；静止无功补偿器（SVC）中，可控硅模块快速投切电抗器与电容器，动态调节电网无功功率，维持电压稳定；配电系统的智能断路器则采用小型化 IGBT 模块，实现故障电流快速分断。这些模块具备高可靠性与长寿命特性，平均无故障时间（MTBF）超 10 万小时，为电网安全提供底层保障。Ixys艾赛斯产品覆盖IGBT、场效应管、整流桥等，为不同功率场景提供适配方案。IXYS艾赛斯MDD95-14N1B

Ixys 艾赛斯雪崩二极管模块专为电路过压保护设计，利用二极管的雪崩击穿效应，在电路出现瞬时过压时快速导通，将过压能量泄放至地，保护后端器件免受损坏。模块采用强化的硅芯片结构与精确的掺杂工艺，实现了可控的雪崩击穿电压与稳定的击穿特性，击穿电压精度可控制在 ±5% 以内。其峰值脉冲功率耐受能力从数百瓦到数十千瓦不等，响应时间短至纳秒级，且具备重复雪崩工作能力。在电力电子系统的浪涌防护、IGBT 过压箝位等场景中，该模块能提供可靠的安全保障，降低系统因过压故障导致的停机风险。IXYS艾赛斯MDD95-14N1BIxys艾赛斯可控硅模块国际标准封装设计，便于安装与集成，可轻松适配各类电气设备，降低开发难度。

Ixys 艾赛斯碳化硅（SiC）MOS 管基于宽禁带半导体材料开发，彻底突破硅基器件的性能极限，具备耐高温（*高 225℃）、耐高压（可达 15kV）、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%，开关速度提升 3 倍，且无反向恢复损耗，能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术，解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题，封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中，SiC MOS 管可使系统效率突破 99%，体积缩小 40%，是未来高效电力电子系统的**方向。

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。Ixys艾赛斯IGBT的短路耐受能力，能抵御数微秒短路冲击，提升电力系统可靠性。

在工业变频器中，Ixys 艾赛斯二极管模块承担着整流与续流双重**角色。整流模块将电网交流电转换为直流电，为逆变器提供稳定的直流母线电压，其高浪涌耐受能力能应对电机启动时的电流冲击；续流二极管模块则与 IGBT 串联，在 IGBT 关断时为电机绕组的感性电流提供泄放回路，避免过压损坏 IGBT。模块的低正向压降特性降低了整流损耗，快恢复特性则减少了续流过程中的开关损耗，配合优异的散热设计，能适应变频器长期高负载运行的需求。无论是风机、水泵等通用变频场景，还是机床主轴等高精度变频控制，该模块都能提升变频器的效率与可靠性。艾赛斯拥有全球化生产与服务网络，可快速响应各地客户的需求。IXYS艾赛斯VUO80-12N01

Ixys艾赛斯IGBT封装集成高效散热基板，结温耐受度高，可在-40℃至175℃环境稳定工作。IXYS艾赛斯MDD95-14N1B

Ixys 艾赛斯作为功率半导体领域的**企业，其二极管模块延续了品牌在高效能、高可靠性上的技术基因，专为中高功率电力电子系统设计。不同于分立二极管，模块通过集成化封装将多颗二极管芯片组合，实现了更高的功率密度与更优的散热性能。**价值体现在对电能转换过程的精确调控 —— 无论是整流、续流还是箝位保护，都能凭借低正向压降、高反向耐压的特性降低能量损耗。从工业驱动到新能源发电，Ixys 二极管模块为各类系统提供了稳定的电流导向解决方案，是保障电力电子设备高效运行的关键器件。IXYS艾赛斯MDD95-14N1B