IXYS艾赛斯MCMA25PD1600TB

轨道交通牵引系统对功率半导体器件的功率等级与耐环境性能要求极高，Ixys 艾赛斯二极管模块凭借高功率密度与强环境适应性成为*选。在牵引变流器中，整流二极管模块将接触网的交流电转换为直流电，其反向耐压可达 6500V，电流等级超过 1000A，能满足牵引电机的大功率需求；续流二极管模块与 IGBT 配合，实现牵引电机的四象限运行，其快恢复特性减少了开关损耗，提升了变流器效率。模块采用强化的机械结构与密封设计，能耐受轨道交通场景中的振动、冲击与粉尘侵蚀，且具备宽温度工作范围，确保列车在不同气候条件下稳定运行。Ixys艾赛斯场效应管光伏逆变器中，可提升电能转换效率，*大化利用太阳能资源。IXYS艾赛斯MCMA25PD1600TB

Ixys 艾赛斯 MOS 管主要分为 N 沟道与 P 沟道两大基础类型，二者基于载流子类型差异呈现互补特性。N 沟道 MOS 管以电子为主要载流子，导通电阻更低、开关速度更快，电压等级覆盖 100V-10kV，电流可达 1000A，是大功率、高频场景的主流选择，广泛应用于工业逆变器、新能源汽车驱动等领域；P 沟道 MOS 管以空穴为载流子，虽导通电阻略高，但在低压小功率场景中无需负压驱动，电路设计更简洁，电压覆盖 100V-600V，电流至 50A，适配便携式设备电源、低压 DC-DC 转换器等场景。Ixys 通过精确的掺杂工艺与沟道优化，确保两类器件在各自领域实现性能*大化。IXYS艾赛斯MCD220-12io1IXYS艾赛斯模块可定制耐盐雾、耐高温款，适配特殊环境需求。

Ixys 艾赛斯二极管模块普遍采用直接铜键合（DCB）载板封装技术，通过陶瓷绝缘层将铜箔与芯片紧密键合，形成高效的散热路径。DCB 载板不仅绝缘性能优异，导热系数可达 200W/(m・K) 以上，远超传统 FR4 基板，能快速将芯片产生的热量传导至散热片。模块封装形式涵盖紧凑型 SOT227B、标准 MODULE 封装及定制化大功率封装，部分型号集成温度传感器，便于实时监测模块温度。此外，封装边缘采用圆角设计与阻燃材料，通过 UL 安全认证，在提升散热效率的同时，保障了电气安全与机械可靠性。

采用紧凑型 SOT227B（miniBLOC）封装的 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块具有诸多明显优势。首先，其配备的螺丝端子设计十分人性化，方便用户进行电气连接，在安装和维护过程中操作简单便捷。其次，该封装采用 DCB 载板（直接铜键合）技术，实现了直接铜对陶瓷的键合，这种结构极大地优化了散热路径，具备*佳的散热性能，能够快速将模块工作时产生的热量散发出去，有效降低芯片温度，提高模块的可靠性和使用寿命。而且，该封装形式的模块获得了 UL 安全认证（E72873, E153432）并符合 RoHS 标准，在安全性和环保性上都有可靠保障。Ixys艾赛斯MOS管支持宽电压范围工作，从几十伏到上千伏均有覆盖，适配多元应用需求。

在医疗设备领域，对电气设备的稳定性、可靠性和安全性要求极高，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块恰好满足了这些严格要求。例如在一些大型医疗影像设备中，如磁共振成像（MRI）设备和计算机断层扫描（CT）设备，需要高精度、高稳定性的电源供应来保证设备的正常运行和图像质量。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块能够精确控制电源的输出，为设备提供稳定的电力，确保成像过程的顺利进行，帮助医生获取清晰、准确的影像信息，从而为疾病诊断提供有力依据。在生命支持设备中，其可靠性更是关乎患者的生命安全，保障了设备的不间断运行。Ixys艾赛斯整流桥采用国际标准封装，引脚布局合理，便于自动化焊接与电路集成。IXYS艾赛斯MCD220-12io1

IXYS艾赛斯模块UPS系统中防反接，保障断电切换时电力连续。IXYS艾赛斯MCMA25PD1600TB

MOS 管（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）是电压控制型功率半导体器件，**通过栅极电压形成导电沟道实现电流通断控制，具有开关速度快、驱动功率小、高频特性优异等优势。Ixys 艾赛斯作为功率半导体**企业，其 MOS 管以高可靠性、低损耗、宽电压覆盖为核心竞争力，通过先进的芯片设计与封装工艺，解决了传统 MOS 管在大功率场景下的散热瓶颈与电流不均问题。产品电压等级覆盖 100V-10kV，电流范围从 1A 至 1000A，涵盖单管、模块等多种形态，适配从消费电子到工业高压的全场景电力控制需求，在电源转换、电机驱动、新能源等领域扮演着 “电力开关**” 的角色。IXYS艾赛斯MCMA25PD1600TB