IXYS艾赛斯MDNA110P2200TG

Ixys 艾赛斯模块封装技术经历了 “标准化 - 场景化 - 定制化” 的演进路径。早期以 TO 系列、MODULE 标准封装为主，满足通用场景需求；随后针对特定场景开发**封装，如为消费电子设计 SOP/QFN 小型化封装，为工业设备开发 SOT227B 紧凑型封装；如今则提供全维度定制服务，可根据客户需求调整引脚布局、散热方式、集成功能，甚至开发全新封装结构。例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀封装，为航空航天设备设计轻量化陶瓷金属封装，封装材料均通过 UL、IEC 认证，工作温度范围覆盖 - 55℃至 225℃。IXYS艾赛斯模块DCB载板封装加持，散热效率较传统基板大幅提升。IXYS艾赛斯MDNA110P2200TG

在电动汽车电源系统中，Ixys 艾赛斯二极管模块广泛应用于车载充电机（OBC）、DC-DC 转换器及电机控制器。充电机中的整流二极管模块将电网交流电转换为直流电为电池充电，其高电流密度特性适配快充场景；DC-DC 转换器中的肖特基二极管模块实现高低压直流转换，为车载电子设备供电，零反向恢复损耗特性提升了转换效率；电机控制器中的续流二极管模块则配合 IGBT 工作，保障电机转速调节的平稳性。模块采用耐高温封装与强化绝缘设计，能适应车载环境的振动、冲击与温度波动，为电动汽车的安全高效运行提供**支撑。IXYS艾赛斯MDNA110P2200TGIxys艾赛斯可控硅模块具有高浪涌电流承受能力，能应对电路中瞬间的大电流冲击，确保系统稳定运行。

三相整流桥模块是 Ixys 艾赛斯针对工业大功率场景开发的**产品，内部由 6 颗整流二极管组成三相桥式整流电路，可将三相交流电转换为平滑的直流电。其采用多芯片并联技术与均流优化设计，确保大电流下各二极管芯片电流分布均匀，避免局部过热，电流等级可达 3000A，反向耐压*高至 6500V。模块采用先进的外延工艺芯片，导通损耗较传统产品降低 20%，且具备出色的浪涌电流耐受能力（可达额定电流的 10 倍以上）。在工业变频器、大型电机驱动电源、大功率充电机等场景中，三相整流桥模块作为前端整流**，为系统提供高稳定度的直流母线电压，保障大功率设备高效运行。

低压大电流 MOS 管是 Ixys 艾赛斯面向低压电力场景的特色产品，电压等级 100V-600V，电流可达 1000A，**优势在于**导通电阻（可低至 1mΩ 以下）与高电流密度。其采用沟槽栅（Trench）与超级结（Super Junction）复合工艺，通过优化沟道结构增加导电面积，配合薄晶圆技术降低导通损耗。封装采用多芯片并联的 MODULE 形式或大电流 TO-220 封装，内置均流电阻确保电流分布均匀，散热效率优异。在新能源汽车低压电源、锂电池充放电管理、大功率 DC-DC 转换器等场景中，该类 MOS 管能***降低功率损耗，提升系统效率，适配大电流快充与低压驱动需求。IXYS艾赛斯模块可定制耐盐雾、耐高温款，适配特殊环境需求。

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块中的 XPT（极轻穿透型）技术独具特色。该技术下的模块具备出色的短路耐受能力，能够在短路故障发生时，短时间内承受大电流冲击，例如部分模块可承受 10μs 的短路电流。同时，XPT 技术使得 IGBT 模块的栅极电荷非常低，这意味着在开关过程中，所需的驱动功率更小，能够快速响应驱动信号，实现快速的开关动作，有效降低了开关损耗。此外，XPT 技术结合薄晶圆工艺，还能实现较低的集电极 - 发射极饱和电压，进一步提升了模块在导通状态下的效率，为各类应用提供了更高效、可靠的电力控制解决方案。Ixys艾赛斯整流桥封装内置高效散热结构，结温耐受度高，可在高温工业环境长期稳定工作。IXYS艾赛斯MDNA110P2200TG

IXYS艾赛斯模块快恢复模块反向恢复只要数十纳秒，有效抑制高频工况浪涌干扰。IXYS艾赛斯MDNA110P2200TG

Ixys 艾赛斯肖特基二极管模块凭借金属 - 半导体接触的独特结构，具备零反向恢复电荷的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结二极管。模块采用先进的沟槽结构与贵金属接触技术，在降低正向导通电阻的同时，提升了耐高温性能与电流承载能力，部分型号可在 175℃高温环境下稳定工作。其反向耐压覆盖 45V-1200V，电流等级可达 300A 以上，且封装紧凑，散热效率优异。在低压大电流场景如 DC-DC 转换器、光伏逆变器续流回路中，该模块能***降低系统功耗，是实现高效能源转换的理想选择。IXYS艾赛斯MDNA110P2200TG