IXYS艾赛斯MCO25-16IO1

集成门极换流晶闸管（IGCT）模块是 Ixys 艾赛斯在可控硅技术基础上的重大创新，将 GTO 芯片与集成门极驱动电路、续流二极管集成于一体。其通过优化的门极驱动设计，实现了低关断损耗与高关断速度，关断时间较传统 GTO 缩短 50% 以上，且无需复杂的外部缓冲电路，简化了系统结构。电压等级覆盖 4500V-6500V，电流可达 4000A，功率密度较 GTO 模块提升 30%。在轨道交通牵引变流器、大型工业电机驱动、船舶电力推进系统等大功率场景中，IGCT 模块凭借高可靠性、高效率与紧凑结构，成为替代 GTO 的推荐方案。Ixys艾赛斯场效应管极低的反向恢复电荷，在整流电路中能减少谐波干扰，保障波形纯净。IXYS艾赛斯MCO25-16IO1

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品，相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极，可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计，确保正负半周的导通特性一致，触发方式灵活，既可用交流信号触发，也可用直流信号触发，导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V，电流从 20A 到 500A，封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中，双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制，简化了系统设计。IXYS艾赛斯MCO25-16IO1Ixys艾赛斯可控硅模块国际标准封装设计，便于安装与集成，可轻松适配各类电气设备，降低开发难度。

Ixys 艾赛斯模块为新能源发电提供从发电端到并网端的全链条解决方案。光伏领域，组串式逆变器采用超级结 MOS 管模块与快恢复二极管模块，实现 98.5% 以上的转换效率；集中式逆变器则配套 6500V IGBT 模块，适配高电压输入场景。风电领域，变桨系统使用 IGBT 模块控制叶片角度，变流器采用可控硅 + 整流桥复合模块，实现风能向电能的高效转换。此外，储能系统中广泛应用肖特基二极管模块与 MOS 管模块，保障充放电过程的低损耗与高可靠性，为 “风光储” 一体化提供**器件支撑。

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块采用了先进的平面栅和沟槽栅技术。平面栅技术成熟稳定，能够在保证器件性能的同时，有效降低成本。其在大面积芯片上构建的平面栅结构，有利于均匀分布电场，提高模块的耐压能力。而沟槽栅技术则更进一步，通过在硅片表面刻蚀出沟槽状的栅极结构，明显增加了栅极与硅片的接触面积。这不仅提升了模块的电流密度，使相同尺寸的模块能够处理更大的电流，还降低了导通电阻，减少了导通损耗，极大地提高了模块的整体效率，让 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在性能上更具竞争力。Ixys艾赛斯场效应管光伏逆变器中，可提升电能转换效率，*大化利用太阳能资源。

Ixys 艾赛斯碳化硅（SiC）MOS 管基于宽禁带半导体材料开发，彻底突破硅基器件的性能极限，具备耐高温（*高 225℃）、耐高压（可达 15kV）、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%，开关速度提升 3 倍，且无反向恢复损耗，能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术，解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题，封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中，SiC MOS 管可使系统效率突破 99%，体积缩小 40%，是未来高效电力电子系统的**方向。Ixys艾赛斯可控硅模块广泛应用于电机控制领域，可实现电机的平滑启动与调速。IXYS艾赛斯MCO25-16IO1

工业电源设备里，Ixys艾赛斯场效应管其精确的电流控制能力，助力电源实现高稳定性输出。IXYS艾赛斯MCO25-16IO1

整流二极管模块是 Ixys 艾赛斯针对交流电转直流电场景开发的**器件，通过单路、双路或桥式整流结构，满足不同功率等级的整流需求。模块内部采用多芯片并联设计，配合优化的均流结构，确保大电流下各芯片电流分布均匀，避免局部过热。其正向电流承载能力从 50A 到 2000A 不等，反向耐压*高可达 6500V，且具备出色的浪涌电流耐受能力，能应对启动瞬间的电流冲击。在工业整流器、电镀电源、不间断电源（UPS）等设备中，该模块作为电能转换的前端**，为后续电路提供稳定的直流电源，保障系统可靠运行。IXYS艾赛斯MCO25-16IO1