IXYS艾赛斯VBO88-16NO7

不间断电源（UPS）中，Ixys 艾赛斯二极管模块是保障电力连续性的关键器件。在市电正常时，整流二极管模块将交流电转换为直流电，为蓄电池充电并为逆变器供电，其高可靠性确保充电过程稳定高效；当市电中断时，二极管模块快速切换至备用回路，阻断蓄电池向整流侧反向放电，同时配合逆变器将蓄电池电能转换为交流电供负载使用。模块的低正向压降降低了回路损耗，高浪涌耐受能力能应对负载突变时的电流冲击，且封装紧凑，适配 UPS 小型化设计需求。在数据中心、通信基站等关键场景，该模块为 UPS 系统提供可靠的电力转换与切换支撑，避免断电导致的数据丢失。Ixys艾赛斯场效应管栅极驱动功耗低，搭配简易驱动电路即可稳定运行，降低设计成本。IXYS艾赛斯VBO88-16NO7

在工业电机控制领域，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块发挥着关键作用。电机在工业生产中应用***，从大型工厂的机械运转到小型设备的动力驱动都离不开它。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块能够精确地控制电机的启动、停止、转速调节等运行状态。通过快速、稳定地切换电流，实现对电机转矩的精确控制，使电机运行更加平稳，避免了启动时的冲击电流对设备的损害。其高可靠性和高效率的特点，不仅能保证工业生产的连续性，还能降低电机的能耗，为企业节省大量的电力成本，提升生产效益，助力工业生产向高效、节能方向发展。IXYS艾赛斯VUB160-12NOXTIxys艾赛斯MOS管支持宽电压范围工作，从几十伏到上千伏均有覆盖，适配多元应用需求。

MOS 管（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）是电压控制型功率半导体器件，**通过栅极电压形成导电沟道实现电流通断控制，具有开关速度快、驱动功率小、高频特性优异等优势。Ixys 艾赛斯作为功率半导体**企业，其 MOS 管以高可靠性、低损耗、宽电压覆盖为核心竞争力，通过先进的芯片设计与封装工艺，解决了传统 MOS 管在大功率场景下的散热瓶颈与电流不均问题。产品电压等级覆盖 100V-10kV，电流范围从 1A 至 1000A，涵盖单管、模块等多种形态，适配从消费电子到工业高压的全场景电力控制需求，在电源转换、电机驱动、新能源等领域扮演着 “电力开关**” 的角色。

Ixys 艾赛斯肖特基整流桥模块基于金属 - 半导体接触的肖特基势垒原理，具备零反向恢复电荷、低正向导通电压的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结整流桥。模块采用贵金属（如铂、钯）接触与沟槽结构设计，提升了电流密度与耐高温性能，正向导通电压可低至 0.4V，反向耐压覆盖 50V-1200V，电流等级可达 300A。封装采用紧凑的表面贴装或 MODULE 形式，适配低压大电流场景的小型化设计需求。在 DC-DC 转换器、锂电池充电器、新能源汽车低压电源等场景中，肖特基整流桥模块能***降低电源损耗，提升能量转换效率，是实现高效电源设计的关键器件。艾赛斯拥有全球化生产与服务网络，可快速响应各地客户的需求。

不间断电源（UPS）在现代社会中至关重要，尤其是在数据中心、通信基站等对电力连续性要求极高的场所。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块是 UPS 备用系统的**部件之一。当市电正常时，模块协助 UPS 对电池进行充电管理，确保电池处于良好状态；而当市电突然中断，模块能够迅速切换工作模式，将电池中的直流电转换为交流电，为负载提供持续稳定的电力供应。其快速的开关响应速度和高可靠性，保证了在市电中断的瞬间，负载设备不会因断电而受到损害，有效避免了数据丢失、通信中断等严重后果，保障了关键业务的连续性和稳定性。Ixys艾赛斯产品覆盖IGBT、场效应管、整流桥等，为不同功率场景提供适配方案。IXYS艾赛斯VBO88-16NO7

Ixys艾赛斯MOS管紧凑的贴片封装设计，节省PCB板空间，适配小型化电子设备研发。IXYS艾赛斯VBO88-16NO7

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。IXYS艾赛斯VBO88-16NO7