IXYS艾赛斯MITH125PF1700YI

Ixys 艾赛斯 MOS 管拥有完善的产品矩阵，按材料可分为硅基与 SiC 基；按结构可分为 N 沟道、P 沟道与超级结型；电压覆盖 100V-10kV，电流 1A-1000A，封装包括 TO 系列、SOP、QFN、MODULE 等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务：为航空航天设备定制轻量化、耐高温 MOS 管，为船舶系统定制耐盐雾腐蚀模块，为新能源车企定制高集成度逆变桥模块。同时，提供详尽的技术手册、仿真模型与应用笔记，专业技术团队提供从选型到调试的全流程支持，帮助客户快速落地方案。Ixys艾赛斯可控硅模块具有高浪涌电流承受能力，能应对电路中瞬间的大电流冲击，确保系统稳定运行。IXYS艾赛斯MITH125PF1700YI

Ixys 艾赛斯可控硅模块拥有完善的产品矩阵，按类型可分为单向 SCR、双向 TRIAC、GTO、IGCT 等，电压等级从 400V 延伸至 6500V，电流范围 50A-4000A，封装涵盖平板型、MODULE 型、半桥、全桥等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务，如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀的模块，为新能源电站定制高集成度换流模块。公司配备专业的技术团队，提供从选型咨询、电路设计到调试运维的全流程支持，同时提供详尽的产品手册、应用笔记与仿真模型，帮助客户快速落地应用方案，降低研发风险。IXYS艾赛斯MITH125PF1700YIIxys艾赛斯场效应管采用先进沟槽工艺，导通电阻极低，能明显降低电路功率损耗。

Ixys 艾赛斯二极管模块拥有覆盖全应用场景的丰富产品系列，按功能可分为快恢复、肖特基、整流、雪崩等类型，电压等级从 45V 延伸至 6500V，电流范围从 10A 到 2000A，封装形式包括 SOT227B、MODULE、半桥、全桥等多种规格。针对特殊应用场景，Ixys 还提供定制化服务，可根据客户需求调整模块的电气参数、封装结构与引脚配置，例如为新能源汽车定制高集成度的桥式整流模块，为工业设备定制耐高温的续流模块。此外，公司提供详尽的技术文档与选型工具，配合专业的技术支持团队，帮助客户快速匹配*优产品方案，缩短研发周期。

门极可关断可控硅（GTO）模块是 Ixys 艾赛斯面向高性能电力控制场景的**产品，突破了传统可控硅*能通过电流或电压自然关断的限制，可通过在栅极施加反向触发信号实现主动关断。其采用特殊的掺杂工艺与多层结构设计，关断时间短至数微秒，电流关断增益可达 5-10，且具备高耐压、大电流特性，电压等级*高达 6500V，电流可达 3000A。在高压直流输电（HVDC）、无功功率补偿（SVC）、大功率逆变器等场景中，GTO 模块的主动关断能力使电力系统的控制更灵活、响应更迅速，***提升了系统的动态性能与运行稳定性。Ixys艾赛斯可控硅模块的低触发电流特性，使得控制更加灵敏，能减少能源损耗，提高系统效率。

IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型电力电子器件。它巧妙地结合了传统 BJT（双极结型晶体管）的高工作电压、大电流容量和低饱和电压的优点，以及 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）的快速开关特性。在 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块中，当给栅极施加适当电压时，通过电场效应形成导电沟道，使模块导通，电流得以顺利通过；而当栅极电压去除，导电沟道消失，模块截止，电流阻断。这种基于电压控制的导通与截止机制，让 IGBT 模块在电力电子电路中能够高效地实现电能的转换与控制。Ixys艾赛斯场效应管采用屏蔽栅极结构，有效降低米勒电容，减少开关损耗，优化系统效率。IXYS艾赛斯MITH125PF1700YI

IXYS艾赛斯模块医疗设备款，低噪声保障MRI成像精度。IXYS艾赛斯MITH125PF1700YI

Ixys 艾赛斯模块封装技术经历了 “标准化 - 场景化 - 定制化” 的演进路径。早期以 TO 系列、MODULE 标准封装为主，满足通用场景需求；随后针对特定场景开发**封装，如为消费电子设计 SOP/QFN 小型化封装，为工业设备开发 SOT227B 紧凑型封装；如今则提供全维度定制服务，可根据客户需求调整引脚布局、散热方式、集成功能，甚至开发全新封装结构。例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀封装，为航空航天设备设计轻量化陶瓷金属封装，封装材料均通过 UL、IEC 认证，工作温度范围覆盖 - 55℃至 225℃。IXYS艾赛斯MITH125PF1700YI