IXYS艾赛斯MWI50-12A7T

轨道交通牵引系统对功率半导体器件的功率等级与耐环境性能要求极高，Ixys 艾赛斯二极管模块凭借高功率密度与强环境适应性成为*选。在牵引变流器中，整流二极管模块将接触网的交流电转换为直流电，其反向耐压可达 6500V，电流等级超过 1000A，能满足牵引电机的大功率需求；续流二极管模块与 IGBT 配合，实现牵引电机的四象限运行，其快恢复特性减少了开关损耗，提升了变流器效率。模块采用强化的机械结构与密封设计，能耐受轨道交通场景中的振动、冲击与粉尘侵蚀，且具备宽温度工作范围，确保列车在不同气候条件下稳定运行。Ixys艾赛斯可控硅模块，具备出色的电压阻断能力，可承受高达数千伏的反向电压，保障电路安全。IXYS艾赛斯MWI50-12A7T

Ixys 艾赛斯模块为新能源发电提供从发电端到并网端的全链条解决方案。光伏领域，组串式逆变器采用超级结 MOS 管模块与快恢复二极管模块，实现 98.5% 以上的转换效率；集中式逆变器则配套 6500V IGBT 模块，适配高电压输入场景。风电领域，变桨系统使用 IGBT 模块控制叶片角度，变流器采用可控硅 + 整流桥复合模块，实现风能向电能的高效转换。此外，储能系统中广泛应用肖特基二极管模块与 MOS 管模块，保障充放电过程的低损耗与高可靠性，为 “风光储” 一体化提供**器件支撑。IXYS艾赛斯MWI50-12A7TIxys二极管模块含FRD、肖特基等类型，适配多场景整流续流需求。

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品，相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极，可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计，确保正负半周的导通特性一致，触发方式灵活，既可用交流信号触发，也可用直流信号触发，导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V，电流从 20A 到 500A，封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中，双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制，简化了系统设计。

MOS 管（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）是电压控制型功率半导体器件，**通过栅极电压形成导电沟道实现电流通断控制，具有开关速度快、驱动功率小、高频特性优异等优势。Ixys 艾赛斯作为功率半导体**企业，其 MOS 管以高可靠性、低损耗、宽电压覆盖为核心竞争力，通过先进的芯片设计与封装工艺，解决了传统 MOS 管在大功率场景下的散热瓶颈与电流不均问题。产品电压等级覆盖 100V-10kV，电流范围从 1A 至 1000A，涵盖单管、模块等多种形态，适配从消费电子到工业高压的全场景电力控制需求，在电源转换、电机驱动、新能源等领域扮演着 “电力开关**” 的角色。Ixys艾赛斯场效应管通过AEC-Q101汽车级认证，满足车载环境的严苛可靠性与温度要求。

Ixys 艾赛斯二极管模块普遍采用直接铜键合（DCB）载板封装技术，通过陶瓷绝缘层将铜箔与芯片紧密键合，形成高效的散热路径。DCB 载板不仅绝缘性能优异，导热系数可达 200W/(m・K) 以上，远超传统 FR4 基板，能快速将芯片产生的热量传导至散热片。模块封装形式涵盖紧凑型 SOT227B、标准 MODULE 封装及定制化大功率封装，部分型号集成温度传感器，便于实时监测模块温度。此外，封装边缘采用圆角设计与阻燃材料，通过 UL 安全认证，在提升散热效率的同时，保障了电气安全与机械可靠性。IXYS艾赛斯模块肖特基模块零反向恢复电荷，低压大电流场景损耗极低。IXYS艾赛斯MWI50-12A7T

IXYS艾赛斯模块快恢复模块反向恢复只要数十纳秒，有效抑制高频工况浪涌干扰。IXYS艾赛斯MWI50-12A7T

Ixys 艾赛斯整流桥模块拥有完善的产品矩阵，按相数可分为单相、三相整流桥；按性能可分为普通整流桥、快恢复整流桥、肖特基整流桥；按电压可覆盖 50V-6500V，电流范围 10A-3000A，封装形式包括 DIP、SMD、MODULE、平板型等多种规格。针对特殊应用场景，Ixys 提供定制化服务，可根据客户需求调整模块的电气参数（如导通压降、反向耐压）、封装结构（如引脚布局、散热方式）与集成功能（如内置温度传感器、均流电阻），例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀的整流桥模块，为航空航天设备定制轻量化、耐高温的整流桥模块。同时，公司提供详尽的技术手册、应用笔记与仿真模型，配合专业技术团队提供全流程支持，帮助客户快速落地应用方案。IXYS艾赛斯MWI50-12A7T