IXYS艾赛斯MDC700-12io1W

Ixys 艾赛斯 MOS 管采用多元化封装技术适配不同功率场景，中小功率型号采用 TO-220、TO-247 等通孔封装与 SOP、QFN 等表面贴装封装，体积小巧，适配消费电子与小型电源设备；大功率型号采用 MODULE 封装，内置直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合多芯片并联设计，快速导出热量；高压 SiC MOS 管采用陶瓷金属封装，提升耐高温与绝缘性能。部分**型号集成温度传感器与电流检测芯片，实现状态实时监测，封装材料通过 UL、IEC 认证，在 - 55℃至 225℃环境中稳定工作，兼顾电气安全与机械可靠性。IXYS艾赛斯模块整流桥模块集成桥式结构，简化AC-DC转换电路设计。IXYS艾赛斯MDC700-12io1W

Ixys 艾赛斯模块为新能源发电提供从发电端到并网端的全链条解决方案。光伏领域，组串式逆变器采用超级结 MOS 管模块与快恢复二极管模块，实现 98.5% 以上的转换效率；集中式逆变器则配套 6500V IGBT 模块，适配高电压输入场景。风电领域，变桨系统使用 IGBT 模块控制叶片角度，变流器采用可控硅 + 整流桥复合模块，实现风能向电能的高效转换。此外，储能系统中广泛应用肖特基二极管模块与 MOS 管模块，保障充放电过程的低损耗与高可靠性，为 “风光储” 一体化提供**器件支撑。IXYS艾赛斯MDC700-12io1WIxys艾赛斯其器件凭借优异性能，成为新能源汽车、光伏储能等领域的*选组件。

采用紧凑型 SOT227B（miniBLOC）封装的 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块具有诸多明显优势。首先，其配备的螺丝端子设计十分人性化，方便用户进行电气连接，在安装和维护过程中操作简单便捷。其次，该封装采用 DCB 载板（直接铜键合）技术，实现了直接铜对陶瓷的键合，这种结构极大地优化了散热路径，具备*佳的散热性能，能够快速将模块工作时产生的热量散发出去，有效降低芯片温度，提高模块的可靠性和使用寿命。而且，该封装形式的模块获得了 UL 安全认证（E72873, E153432）并符合 RoHS 标准，在安全性和环保性上都有可靠保障。

Ixys 成立于 1983 年，**初主要向高速列车提供高功率 IGBT，是美国**早从事 IGBT 产品的半导体企业。自成立以来，Ixys 始终致力于提高效率、降低能耗的功率半导体产品的研发和生产。多年来，通过不断的技术创新与积累，其 IGBT 模块在性能上取得了巨大突破。从**初简单满足基本电力转换需求，到如今能在复杂、高要求的应用场景中稳定运行，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块见证了电力电子技术的飞速发展，也凭借自身优势在市场中占据了重要地位，为众多行业的电力驱动与控制提供了可靠保障。IXYS艾赛斯模块快恢复模块反向恢复只要数十纳秒，有效抑制高频工况浪涌干扰。

Ixys 艾赛斯肖特基二极管模块凭借金属 - 半导体接触的独特结构，具备零反向恢复电荷的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结二极管。模块采用先进的沟槽结构与贵金属接触技术，在降低正向导通电阻的同时，提升了耐高温性能与电流承载能力，部分型号可在 175℃高温环境下稳定工作。其反向耐压覆盖 45V-1200V，电流等级可达 300A 以上，且封装紧凑，散热效率优异。在低压大电流场景如 DC-DC 转换器、光伏逆变器续流回路中，该模块能***降低系统功耗，是实现高效能源转换的理想选择。Ixys艾赛斯MOS管采用TO-247等主流封装，散热性能优异，便于在大功率设备中集成。IXYS艾赛斯MDD950-12N1W

IXYS艾赛斯模块电压覆盖45V-6500V，电流可达2000A，适配全功率段。IXYS艾赛斯MDC700-12io1W

大中型电机直接启动时会产生数倍于额定电流的冲击电流，易损坏电机绕组与机械传动部件，Ixys 艾赛斯可控硅模块在电机软启动器中发挥着关键作用。软启动器中，可控硅模块串联在电机电源回路，启动时通过逐渐增大导通角，使输入电机的电压从低到高平滑上升，电流冲击被限制在额定电流的 1.5-2.5 倍以内，实现电机平稳启动。此外，模块还具备过载保护功能，当电机电流超过设定值时，快速减小导通角切断电源，保护电机免受损坏。在水泵、风机、压缩机等电机驱动场景中，该模块延长了设备使用寿命，降低了电网冲击。IXYS艾赛斯MDC700-12io1W