LCD 正性光刻胶(YK-200)应用场景:LCD 面板的电极图案化(如 TFT-LCD 的栅极、源漏极)、彩色滤光片制造。特点:高感光度与均匀涂布性,确保显示面板的高对比度和色彩还原度。 厚膜光...
先进制程瓶颈突破 KrF/ArF光刻胶的量产能力提升直接推动7nm及以下制程的国产化进程。例如,恒坤新材的KrF光刻胶已批量供应12英寸产线,覆盖7nm工艺,其工艺宽容度较日本同类型产品提...
物理与机械性能 无铅锡片 有铅锡片 熔点 较高,通常在217℃~260℃之间(取决于合金成分,如SAC305熔点217℃,Sn-Cu合金熔点227℃),焊接需更高温度(240℃~...
对比国际巨头的差异化竞争力 维度 吉田光刻胶 国际巨头(如JSR、东京应化) 技术定位 聚焦细分市场(如纳米压印、LCD) 主导高级半导体光刻胶(ArF、EUV) 成本...
技术研发:从配方到工艺的经验壁垒 配方设计的“黑箱效应” 光刻胶配方涉及成百上千种成分的排列组合,需通过数万次实验优化。例如,ArF光刻胶需在193nm波长下实现0....
纳米压印光刻胶 微纳光学器件制造:制作衍射光学元件、微透镜阵列等微纳光学器件时,纳米压印光刻胶可实现高精度的微纳结构复制。通过纳米压印技术,将模板上的微纳图案转移到光刻胶上,再经过后...
光刻胶(如液晶平板显示器光刻胶) 液晶平板显示器制造:在液晶平板显示器(LCD)的生产过程中,光刻胶用于制作液晶盒内的各种精细图案,包括像素电极、公共电极、取向层图案等。这些图案的精...
国产替代进程加速 日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后,国内企业加速验证本土产品。鼎龙股份潜江工厂的KrF/ArF产线2024年12月获两家大厂百万大单,二期300吨生产线在建。武...
设备与工具要求不同 无铅锡片焊接操作 有铅锡片焊接操作 焊接设备 需适配高温的设备:- 回流焊炉:需更高温区(如峰值温度255℃~265℃)- 波峰焊:需耐铅-free焊料的钛合金焊...
选型建议 按应用场景: ◦ 半导体封装:优先选择吉田半导体、Alpha、Heraeus,适配高精度与耐高温需求。 ◦ 消费电子:同方电子、KOKI...
对比国际巨头的差异化竞争力 维度 吉田光刻胶 国际巨头(如JSR、东京应化) 技术定位 聚焦细分市场(如纳米压印、LCD) 主导高级半导体光刻胶(ArF、EUV) 成本...
企业定位与资质 ◦ 成立背景:深耕半导体材料行业23年,位于松山湖经济技术开发区,注册资本2000万元,是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。 ...
聚焦先进封装需求,吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务,助力高性能芯片制造。 在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域,吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率...
技术挑战: ◦ 技术壁垒:EUV光刻胶、3nm以下制程材料仍处研发阶段,光刻胶分辨率、灵敏度与国际水平存在差距(如东京应化ArF胶分辨率达14nm)。 ...
按厚度划分的通用规格 超薄锡片 ◦ 0.03~0.1mm: 典型应用于电子焊接(如BGA锡球、精密芯片封装)、科研材料或特殊电子元件,要求高纯度(...
广东吉田半导体材料有限公司成立于 2023 年,总部位于东莞松山湖经济技术开发区,注册资本 2000 万元。作为高新企业和广东省专精特新企业,公司专注于半导体材料的研发、生产与销售,产品线覆盖芯片...
半导体集成电路 • 应用场景: ◦ 晶圆制造:正性胶为主(如ArF/EUV胶),实现20nm以下线宽,用于晶体管栅极、接触孔等精细结构; ◦ 封装...
光刻胶(Photoresist)是一种对光敏感的高分子材料,主要用于光刻工艺中,通过光化学反应实现图案的转移,是半导体、集成电路(IC)、印刷电路板(PCB)、液晶显示(LCD)等制造领域的材料之...
吉田半导体 JT-3001 厚板光刻胶:欧盟 RoHS 认证,PCB 电路板制造 凭借抗深蚀刻性能与环保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻胶成为 PCB 行业材料。 吉田半导体推出的 J...
历史冷知识:锡的「冬天之痛」 当温度低于13.2℃,白锡会逐渐转变为脆硬的灰锡(「锡疫」),1912年南极探险队的锡制燃油桶因锡疫破裂,导致燃料泄漏,成为探险失败的重要原因之一。现代锡片通过...
晶圆制造(前道工艺) • 功能:在硅片表面形成高精度电路图形,是光刻工艺的主要材料。 • 细分场景: ◦ 逻辑/存储芯片:用于28nm及...
半导体封装领域 • 芯片与基板焊接: ◦ 采用SAC305焊片焊接QFP、BGA等封装的芯片与引线框架/陶瓷基板,确保电连接与机械强度。 ...
晶圆制造(前道工艺) • 功能:在硅片表面形成高精度电路图形,是光刻工艺的主要材料。 • 细分场景: ◦ 逻辑/存储芯片:用于28nm及...
应用场景 半导体集成电路(IC)制造: ◦ 逻辑芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化(如10...
光伏电池(半导体级延伸) • HJT/TOPCon电池:在硅片表面图形化金属电极,使用高灵敏度光刻胶(曝光能量≤50mJ/cm²),线宽≤20μm,降低遮光损失。 ...
定义与特性 正性光刻胶是一种在曝光后,曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案一致的图形。与负性光刻胶(未曝光区域溶解)相比,其优势是分辨率高、图案边缘清...
巧克力的「锡箔时光机」:市售90%的巧克力采用镀锡铝箔纸包装,锡层(厚度1-3μm)虽薄,却能将氧气渗透率降低至0.5cm³/(m²·day),比普通铝箔提升3倍,让黑巧克力在25℃、湿度70%的...
光刻胶的工作原理: 1. 涂覆与曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均匀涂覆光刻胶,通过掩膜(或直接电子束扫描)对特定区域曝光。 2. 化学变化:曝光区域的光刻...
耐腐蚀性的化学机制 表面氧化膜的保护作用 ◦ 锡(Sn)在常温下与空气中的氧气反应,生成一层致密的二氧化锡(SnO₂)薄膜,该膜附着性强,能有效阻止氧气和...
技术突破与产业重构的临界点 光刻胶技术的加速突破正在推动芯片制造行业进入“材料定义制程”的新阶段。中国在政策支持和资本推动下,已在KrF/ArF领域实现局部突破,但EUV等领域...