• 化学反应： ◦ 正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解； ◦ 负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。...

晶圆制造（前道工艺） • 功能：在硅片表面形成高精度电路图形，是光刻工艺的主要材料。 • 细分场景： ◦ 逻辑/存储芯片：用于28nm及...

• 正性光刻胶 ◦ YK-300：适用于半导体制造，具备高分辨率（线宽≤10μm）、耐高温（250℃）、耐酸碱腐蚀特性，主要用于28nm及以上制程的晶圆制造，适配UV光源（365...

客户需求导向 支持特殊工艺需求定制，例如为客户开发光刻胶配方，提供从材料选择到工艺优化的全流程技术支持，尤其在中小批量订单中灵活性优势。 快速交付与售后支持...

正性光刻胶 半导体分立器件制造：对于二极管、三极管等半导体分立器件，正性光刻胶可实现精细的图形化加工，满足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件时，正性光刻胶凭借其高分辨率和良...

吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等领域，通过差异化技术（如纳米压印、厚膜工艺）和环保特性（水性配方），满足从传统电子到新兴领域（如第三代半导体、Mini LED）的多样...

耐腐蚀性的优化与影响因素 1. 纯度与合金成分的影响 ◦ 纯锡：耐腐蚀性好，尤其适合食品接触或高纯度要求场景。 ◦ 锡合金：添加铅、铜、...

吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000：国产技术突破耐高温极限 自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐受 250℃高温，为国产纳米器件制造提供关键材料。吉田半导体 JT-2000 纳...

纳米电子器件制造 • 半导体芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻胶（分辨率≤10nm）用于制备晶体管栅极、纳米导线等关键结构，实现芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GA...

关键工艺流程 涂布与前烘： ◦ 旋涂或喷涂负性胶，厚度可达1-100μm（远厚于正性胶），前烘温度60-90℃，去除溶剂并增强附着力。 曝光： ...

广东吉田半导体材料有限公司凭借技术创新与质量优势，在半导体材料行业占据重要地位。公司聚焦光刻胶、电子胶、锡膏等产品，其中纳米压印光刻胶可耐受 250℃高温及强酸强碱环境，适用于高精度纳米结构制造；...

锂电池的「储锂新希望」：科研团队开发的锡碳合金负极片（锡含量50%），利用锡的「合金化储锂」机制（每克锡可嵌入4.2个锂原子），使电池能量密度从180mAh/g提升至350mAh/g，未来有望让电...