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常州3微米光刻胶报价
来源：
发布时间：2025年06月01日
吉田半导体强化研发，布局下一代光刻技术。常州3微米光刻胶报价
吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001：国产技术助力 PCB 行业升级
广西3微米光刻胶国产厂商吉田产业链协同与政策红利。
作为东莞松山湖的企业，吉田半导体深耕光刻胶领域 23 年，成功研发出 YK-300 半导体正性光刻胶与 JT-2000 纳米压印光刻胶。YK-300 适用于 45nm 及以上制程，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，良率达 98% 以上，已通过中芯国际等晶圆厂验证；JT-2000 突破耐高温极限，在 250℃复杂环境下仍保持图形稳定性，适用于 EUV 光刻前道工艺。依托进口原材料与全自动化生产工艺，产品通过 ISO9001 认证及欧盟 RoHS 标准，远销全球并与跨国企业建立长期合作，加速国产替代进程。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。
厚板光刻胶：JT-3001 型号，具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好，符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺，如特定电路板制造。
负性光刻胶
- SU-3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应，重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
正性光刻胶 吉田市场定位与未来布局。
- LCD 正性光刻胶 YK-200：具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力，重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺，确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
- 半导体正性光刻胶 YK-300：具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性，重量 100g。主要用于半导体制造工艺，满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
- 技术：自主研发的光刻胶产品具备高分辨率（如 JT-3001 厚板光刻胶）、高感光度（如 JT-1000 负性光刻胶）及抗深蚀刻性能，部分指标达到水平。
- 严苛品控：生产过程严格遵循 ISO9001 体系，材料进口率 100%，并通过 8S 现场管理确保制程稳定性。
- 定制化服务：支持客户需求定制，例如为特殊工艺开发光刻胶，满足多样化场景需求。
吉田半导体光刻胶，45nm 制程验证，国产替代方案！常州3微米光刻胶报价
定义与特性
正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案一致的图形。与负性光刻胶（未曝光区域溶解）相比，其优势是分辨率高、图案边缘清晰，是半导体制造（尤其是制程）的主流选择。
化学组成与工作原理
主要成分
• 树脂（成膜剂）：
◦ 传统正性胶：采用**酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ，光敏剂）**的复合体系（PAC体系），占比约80%-90%。
◦ 化学增幅型（用于DUV/EUV）：含环化烯烃树脂或含氟聚合物，搭配光酸发生器（PAG），通过酸催化反应提高感光度和分辨率。
• 溶剂：溶解树脂和感光剂，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。
• 添加剂：表面活性剂（改善涂布均匀性）、稳定剂（防止暗反应）、碱溶解度调节剂等。
工作原理
• 曝光前：光敏剂（如DNQ）与树脂结合，形成不溶于碱性显影液的复合物。
• 曝光时：
◦ 传统PAC体系：DNQ在紫外光（G线436nm、I线365nm）照射下发生光分解，生成羧酸，使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。
◦ 化学增幅型：PAG在DUV/EUV光下产生活性酸，催化树脂发生脱保护反应，大幅提高显影速率（灵敏度提升10倍以上）。
• 显影后：曝光区域溶解去除，未曝光区域保留，形成正性图案。
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