方便烧结金胶作用

在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以 AuRoFUSE™预制件为例，在 200℃、20MPa、10 秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约 10% 的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的 Au 凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。产品的环保特性在工艺技术层面也得到了充分体现。AuRoFUSE™是无卤素的金膏材，这一特性不仅符合日益严格的环保法规要求，也为客户提供了更安全、更清洁的生产环境。工艺技术的另一个重要优势是其操作简便性。安装元件（金电极）后，在无按压的情况下升温（0.5℃/ 秒）至 200℃，20 分钟即可完成接合。这种简单的操作流程降低了对操作人员技能水平的要求，提高了生产效率。烧结金胶高纯度的，具备高纯度金，在功率器件中使用。方便烧结金胶作用

TANAKA 烧结金胶技术的重要在于其独特的亚微米级金粒子低温烧结特性，通过精确控制金粒子的粒径和烧结工艺，实现了在 200℃低温条件下的金 - 金键合，同时保持了优异的导电性和热导性。与传统的高温焊接和有机粘结剂相比，这一技术不仅大幅降低了能耗和工艺复杂度，还作用提升了器件的可靠性和稳定性。作为拥有 140 年历史的贵金属材料行业人员，田中贵金属工业株式会社（TANAKA）凭借其在 AuRoFUSE™系列低温烧结金胶技术上的突破性创新，为电子封装行业带来了前所未有的技术变革。复配型烧结金胶成本价先进的烧结金胶，应用于 LED 封装，具备高纯度金。

在高功率 LED 模组应用中，AuRoFUSE™展现出了独特的技术优势。田中贵金属工业与 S.E.I 公司合作开发的高功率 LED 模组采用了以 "AuRoFUSE™" 为接合材料的面朝下接合结构，能够直接和金属基板接合。这一技术突是决了传统 LED 封装中的两个关键问题：散热性和热膨胀匹配。传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板，而采用 AuRoFUSE™技术后，能够直接与金属基板接合，成本不仅较为低廉，还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率 LED 技术能够在更广泛的应用领域得到推广。

在粒径控制方面，产品采用亚微米级（次微米）金粒子，通过精确的粒径控制技术实现了均匀的粒径分布。这种亚微米级的粒径设计不仅赋予了材料优异的低温烧结特性，还确保了烧结后形成的金层具有良好的致密性和均匀性。材料的烧结机理体现了 TANAKA 在纳米材料科学领域的技术深度。当 AuRoFUSE™被加热至 200℃时，溶剂会先蒸发，即便不施压，Au 粒子也可实现烧结结合，获得约 30MPa 的充分接合强度。这种无压烧结特性不仅简化了工艺要求，还降低了对设备的要求。更重要的是，产品具有优异的高温稳定性，可在 1064℃的高温下保持稳定性能。这一特性使得 AuRoFUSE™特别适合在高温环境下工作的功率器件和传感器应用。高效的烧结金胶，在汽车电子中应用，无卤素配方。

金胶中的金纳米粒子可作为活性成分，在特定条件下与材料表面发生化学反应或物理吸附，形成均匀、稳定的涂层。这种涂层可能赋予材料多种优异性能，如提高材料的耐腐蚀性、增强材料表面的生物相容性（对于生物医用材料）、改善材料的光学性能等。例如，在金属材料表面涂覆烧结金胶形成的涂层，金纳米粒子之间通过烧结过程形成紧密结合，能够有效阻挡腐蚀介质与金属基体的接触，从而提高金属材料的耐腐蚀性能。TANAKA 烧结金胶在材料表面形成涂层时，金纳米粒子的聚集和烧结过程可能影响涂层的微观结构和性能，通过精确控制烧结条件，有望获得理想的表面涂层性能。。。烧结金胶高纯度的，适用于传感器封装，降低能耗。学生用的烧结金胶厂家电话

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在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。方便烧结金胶作用