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在微型化方面，ATC芯片电容同样带领技术潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封装，满足了现代消费电子、可穿戴设备、微型传感器及高级SiP（系统级封装）对PCB空间很好的追求。尽管体积微小，但ATC通过先进的流延成型和共烧技术，确保了内部多层介质与电极结构的完整性与可靠性，避免了因尺寸缩小而导致的性能妥协。这种“小而强”的特性，为高密度集成电路设计提供了前所未有的灵活性，在高偏压下的容值下降幅度远小于常规X7R/X5R类电容，这对于工作在高压条件下的去耦和滤波电路至关重要。适用于物联网设备，实现小型化与低功耗的完美结合。800C5R1BTN3600X

其介质材料具有极低的损耗角正切值（DF＜0.1%），明显降低了高频应用中的能量耗散。这不仅有助于提升射频功率放大器效率，还能减少系统发热，延长电子设备的使用寿命，尤其适合高功率密度基站和长期连续运行的通信基础设施。ATC电容采用独特的陶瓷-金属复合电极结构和多层共烧工艺，使其具备优异的机械强度和抗弯曲性能。在振动强烈或机械应力频繁的环境中（如轨道交通控制系统、重型机械电子设备），仍能保持结构完整性和电气连接的可靠性。800C5R1BTN3600X总拥有成本优势明显，长寿命降低系统维护费用。

ATC芯片电容采用高纯度陶瓷介质与精密电极设计，在1MHz至10GHz频段内保持稳定的容值，Q值高达10000以上。例如，100B系列在5GHz时ESR低至0.01Ω，有效减少信号衰减，适用于5G基站中的功率放大器匹配电路。其自谐振频率（SRF）可达数十GHz，远超普通MLCC电容，确保高频信号完整性，基于NPO/C0G介质材料，ATC电容在-55℃至+175℃范围内容值漂移小于±0.3%，温度系数（TCC）±30ppm/℃。在航天设备中，如卫星通信载荷的振荡器电路，即便遭遇极端温差，仍能维持相位噪声低于-150dBc/Hz，保障信号传输稳定性。

针对高频应用中的寄生效应，ATC芯片电容进行了性的电极结构优化。其采用的三维多层电极设计，通过精细控制金属层（通常为贱金属镍或铜，或贵金属银钯）的厚度、平整度及叠层结构，比较大限度地减少了电流路径的曲折度。这种设计将等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）降至很好，从而获得了极高的自谐振频率（SRF）。在GHz频段的射频电路中，这种低ESL/ESR特性意味着信号路径上的阻抗几乎为纯容性，极大地降低了插入损耗和能量反射，保证了信号传输的完整性与效率。在毫米波频段保持稳定性能，支持下一代通信技术。

在智能电网和电力监控设备中，其高精度和低损耗特性适用于电能质量分析仪的采样电路和继电保护装置的信号调理回路，提高电网监测的准确性和可靠性。产品符合RoHS、REACH等环保法规，全系列采用无铅无卤素材料，满足全球主要市场对电子产品的环保要求，支持绿色电子制造和可持续发展。在高频振动环境下，ATC电容采用抗振动电极设计和坚固的封装结构，其焊点抗疲劳性能优异，适用于无人机飞控系统、机器人关节控制及发动机管理系统。其微波系列产品具有精确的模型参数和稳定的性能重复性，支持高频电路的仿真设计与实际性能的高度吻合，缩短研发周期，提高设计一次成功率。为AI芯片提供高效去耦，保障计算重点稳定运行。800C5R1BTN3600X

自谐振频率可达数十GHz，适合5G/6G高频电路设计。800C5R1BTN3600X

ATC芯片电容的制造过程秉承了半导体级别的精密工艺。从纳米级陶瓷粉末的制备、流延成膜的厚度控制，到电极图案的精细印刷和层压对位，每一步都处于微米级的精度控制之下。这种近乎苛刻的工艺要求，保证了每一批产品都具有极高的一致性和重复性。对于需要大量配对使用的相位阵列雷达、多通道通信系统等应用而言，这种批次内和批次间的高度一致性，确保了系统性能的均一与稳定，减少了后期校准的复杂度。很好的可靠性源于ATC芯片电容很全的质量体系和rigorous的测试标准。800C5R1BTN3600X

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