Dalicap的市场地位明显，根据《2023年版中国MLCC市场竞争研究报告》，其2022年在全球射频微波MLCC市场中占有率位列全球第五、很好，成为国内该领域的靠前，并且是少数能参与国际竞争、打破国外巨头垄断的中国企业。公司客户遍及全球，产品远销美国、日本、欧洲等40多个国家和地区，服务千余家客户，成为了西门子、通用电气、安捷伦、飞利浦、三星等全球有名企业的很好供应商，这充分证明了其产品性能和质量已获得国际市场的宽泛认可。持续的技术创新确保其产品性能处于行业头部水平。DLC70A1R7AW151NT铝电解电容器的重心在于通过阳极箔上的氧化铝介质层实现高容值存储。Dalicap在此经典原理之上...

Dalicap积极推行数字化和精益管理。通过重新规划信息化系统架构，搭建数据中心及数据安全系统，提高了生产运营管理的效率和内部控制制度的有效性。同时鼓励全员参与改善提案，持续优化生产工艺，降低浪费，提升效率和质量。综合竞争力与未来发展Dalicap的核心竞争力体现在其深厚的技术壁垒上。公司拥有33项（其中发明专利11项）和12项软件著作权，并多次获得中国创新创业大赛一等奖、辽宁省科技进步二等奖等重要奖项，展现了强大的创新和创造能力。广泛应用于UPS不同断电源中，提供能量储备。DLC70C152GW501XT在高频开关电源中的应用现关电源朝着高频化、高效率发展，这对输出滤波电容提出了严峻挑战。D...

LED照明，特别是大功率户外和工业照明，其驱动电源长期工作在高温密闭环境中。Dalicap电容的高温长寿命特性在这里至关重要。它们用于输入输出滤波、PFC（功率因数校正）电路以及主控芯片的供电稳定，确保了LED驱动电源的效率、功率因数和使用寿命。一个的Dalicap电容可以防止灯光闪烁，延缓光衰，避免因电容早期失效而导致的整灯故障，为绿色照明提供持久动力。通讯基站和设备要求365天无间断稳定运行，对元器件的失效率要求极为苛刻。Dalicap电容以其很好的可靠性，广泛应用于通信电源、RRU（远端射频单元）、服务器和交换机中。它们承担着去耦、滤波和储能任务，必须承受频繁的负载变化和可能存在的电网波...

在光通信模块（如400G/800G光收发器）中，Dalicap电容的很低ESL和ESR提供了极其高效的宽带去耦，抑制了电源噪声对高速信号的干扰。其在微波频段稳定的介电特性，确保了射频驱动电路的性能，对于维持高信噪比和低误码率至关重要。Dalicap电容的无压电效应特性彻底消除了传统II类陶瓷电容因电压变化产生的振动和啸叫问题。其采用的C0G等I类介质是顺电性的，不会在交流电压作用下发生形变，适用于高保真音频设备和敏感测量仪器，提供了更纯净的信号处理能力。品牌信誉卓著，是工程师和采购商信赖的合作伙伴。DLC70D270GW251NT公司拥有完善的产品研发生产资质，如《装备承制单位资格证书》、《武...

公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独特的陶瓷浆料配方技术是Dalicap的重心机密之一。通过与国内供应商联合攻关，在材料端实现了自主可控，确保了陶瓷粉末的高纯度和一致性，从而保证了终产品性能的优异和稳定，摆脱了对进口材料的依赖。公司正在大连金普新区建设高级电子元器件产业化项目，新工厂总投资超过3.3亿元，设计年产能高达30亿只瓷介电容器。项目将引进先进的砂磨机、流延机、印刷机等自动化设备，大幅提升产能和品质，以满足5G等重点领域国产...

通过半导体级的精密制造工艺，Dalicap实现了对介质层厚度和电极结构的纳米级控制。其介质薄膜厚度控制在±0.2微米，叠层精度控制在±5微米，保证了每一批产品都具有极高的一致性和重复性。这种一致性对于需要大量配对使用的相位阵列雷达、多通道通信系统等应用而言，确保了系统性能的均一与稳定，减少了后期校准的复杂度。高耐压能力是Dalicap产品的另一亮点。其高电压产品采用特殊的边缘端接设计和介质层均匀化处理，有效消除了电场集中效应，从而显著提高了直流击穿电压（DWV）和交流击穿电压（ACW）。这种稳健的耐压性能，使其在工业电机驱动、新能源汽车电控系统、医疗X光设备等高能应用中，成为保障系统安全、防止...

Dalicap电容展现出很好的抗辐射性能，能够满足太空电子设备在宇宙射线环境下的长期可靠运行要求。其材料结构和封装设计经过特殊优化，抵御辐射带来的性能衰减，为卫星通信和航天器提供了关键元器件的国产化解决方案。公司采用全球公认精细的“谐振腔”法测试电容Q值关键参数，确保了产品性能测量的准确性和可靠性。其的射频应用实验室运用射频仿真技术和射频高功率测试技术，为研发和提升产品品质提供了有力保障。Dalicap电容的直流偏压特性优异，其容值随直流偏压变化极小。普通高介电常数电容在高偏压下容值会大幅下降，而Dalicap的C0G电容容值变化通常小于5%。这一特性对于开关电源的输出滤波电容至关重要，确保了...

公司秉持 “简单、纯粹、高效”的管理理念和“驰而不息，开放包容”的价值观，致力于构建学习型组织。管理层善于整合不同背景的人才，发挥协同效应，形成了积极向上、持续创新的企业氛围。Dalicap不仅产品符合RoHS等环保标准，其新工厂的建设也秉承绿色制造理念。通过采用先进的生产工艺和设备，致力于降低能耗和排放，体现了企业对社会可持续发展和环境保护的责任担当。展望未来，Dalicap立志成为世界前列的高级电子元器件质量供应商。公司将继续加强精益生产、扩大产能、优化快速协同能力，构建起多样化产品快速开发、量产的全球产业链技术服务能力，为中国电子元器件产业的自主可控做出更大贡献车规级电容能适应电动汽车的...

在高频开关电源中的应用现关电源朝着高频化、高效率发展，这对输出滤波电容提出了严峻挑战。Dalicap的高频系列电容，具有极低的ESR和ESL（等效串联电感），能够有效应对数百kHz甚至MHz级的开关频率。它们能快速响应负载的瞬态变化，平滑输出电流，抑制电压尖峰，确保电源输出的稳定性和洁净度。无论是服务器电源、通信电源还是PC主板上的VRM（电压调节模块），Dalicap电容都是提升整体电源模组效率和功率密度的关键所在。在光伏逆变器中，电容器扮演着DC-Link支撑、滤波和能量缓冲的重心角色。Dalicap为新能源应用开发的电容，具有高耐压、高纹波电流承受能力、很好的温度特性及长寿命。它们必须承...

Dalicap电容表现出的高温性能。其特种陶瓷介质和电极系统能够承受高达+200°C甚至+250°C的持续工作温度，而容值漂移和绝缘电阻仍保持在优异水平。这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（ECU）、涡轮增压器附近等高温区域，无需复杂的冷却系统，简化了设计并提高了系统的整体可靠性。极低的电介质吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模拟电路中表现出色。DA效应犹如电容的“记忆效应”，会在快速充放电后产生残余电压。Dalicap电容的DA典型值可低至0.1%，远低于普通陶瓷电容，这使其成为构建高精度采样保持电路（SHA）、积分器和精密ADC/DAC的理...

Dalicap电容的封装工艺极其考究，采用气密性陶瓷封装，确保了元件在恶劣环境下的长期稳定性。这种封装不仅提供了极高的机械强度和抗冲击能力（可承受高达50G的机械冲击），还具有良好的抗硫化、抗腐蚀性能，适用于高湿、高盐雾等苛刻环境，延长了设备的使用寿命。应用领域与市场表现在5G通信基站领域，Dalicap电容的很低ESL/ESR特性能够为功耗数百瓦的AAU（有源天线单元）和BBU（基带处理单元）提供瞬时的大电流响应，有效抑制电源噪声和纹波，为高速SerDes和DSP芯片提供稳定洁净的电源，是维持高信噪比（SNR）和低误码率（BER）的基石。价格具有竞争力，为客户提供了优异的性价比。DLC70G...

面对蓬勃发展的物联网（IoT）和边缘计算，Dalicap电容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其设计要求。微型化的电容为紧凑的传感器节点和通信模块节省了宝贵空间，低ESR带来的低自身功耗延长了电池寿命，而高稳定性则确保了设备在各种环境下的长期可靠运行。创新研发与智能制造Dalicap始终坚持强大度的研发投入，至2019年累计投入已超5000万元，并连续多年保持增长。通过深反应离子刻蚀（DRIE）、原子层沉积（ALD）等半导体前列工艺，实现了电容内部三维微结构的精确控制和超薄介质层的制备，构筑了坚实的技术壁垒。为家用电器提供安全、稳定、长寿命的电容解决方案。DLC75B1R0BW501XT汽车...

Dalicap电容展现出很好的容值稳定性，其采用的C0G（NP0）介质材料具有极低的温度系数（TCC），典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全温范围内，容值变化率通常小于±0.5%。同时，其容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用尤为重要。高Q值（品质因数）特性是Dalicap电容在射频电路中的立身之本。其Q值通常在数千量级，远高于普通MLCC，这使得由其构建的谐振电路和滤波器具有极低的插入损耗和极高的带外抑制能力。在基站滤波器、低相位噪声振荡器等应用中，高Q值确保了信号的高纯净度和频...

公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独特的陶瓷浆料配方技术是Dalicap的重心机密之一。通过与国内供应商联合攻关，在材料端实现了自主可控，确保了陶瓷粉末的高纯度和一致性，从而保证了终产品性能的优异和稳定，摆脱了对进口材料的依赖。公司正在大连金普新区建设高级电子元器件产业化项目，新工厂总投资超过3.3亿元，设计年产能高达30亿只瓷介电容器。项目将引进先进的砂磨机、流延机、印刷机等自动化设备，大幅提升产能和品质，以满足5G等重点领域国产...

Dalicap电容通过了很全的可靠性测试，包括MIL-STD-202等标准下的温度循环、机械冲击、振动、耐湿等测试。其产品符合AEC-Q200汽车电子标准，能够承受汽车环境的严苛要求，如高温、高湿和振动，适用于发动机ECU电源滤波、车载信息娱乐系统和ADAS等领域。在电源分配网络（PDN）中，Dalicap电容的低阻抗特性发挥了关键作用。其极低的ESL和ESR能在宽频带内（从KHz到GHz）提供低阻抗路径，有效滤除电源轨上的高频噪声，抑制同步开关噪声（SSN），为高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供纯净、稳定的电压，防止系统时序错误和数据损坏。详细的技术文档为工程师选型和设计提供有力支持。D...

Dalicap电容的高耐压特性使其能够承受较高的工作电压，确保电路的安全运行。其介质材料和结构设计经过优化，提供了高击穿电压和低泄漏电流，避免了在高电压应用中的失效风险，适用于工业控制和电力系统。在物联网（IoT）和边缘计算设备中，Dalicap电容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其设计要求。微型化的电容为紧凑的传感器节点和通信模块节省了宝贵空间，低ESR带来的低自身功耗延长了电池寿命。Dalicap电容的快速响应能力使其能够为功耗数百瓦的CPU/GSIC提供瞬时的大电流响应，将电源平面阻抗控制在目标范围内，防止芯片因瞬时负载变化而产生的电压塌陷，保障了高性能计算（HPC）和人工智能（AI...

容值稳定性是Dalicap电容的重心优势之一。其C0G（NP0）介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的宽温范围内，容值变化率小于±0.5%。同时，容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用至关重要。Dalicap电容具备很好的高温工作能力，最高工作温度可达+200°C甚至+250°C。其特种陶瓷介质和电极系统在高温下仍能保持优异的绝缘电阻和容值稳定性，避免了因过热导致的性能退化。这使得它们能够直接应用于汽车发动机控制单元（ECU）、航空航天设备的热敏感区域，简化了热管...

公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独特的陶瓷浆料配方技术是Dalicap的重心机密之一。通过与国内供应商联合攻关，在材料端实现了自主可控，确保了陶瓷粉末的高纯度和一致性，从而保证了终产品性能的优异和稳定，摆脱了对进口材料的依赖。公司正在大连金普新区建设高级电子元器件产业化项目，新工厂总投资超过3.3亿元，设计年产能高达30亿只瓷介电容器。项目将引进先进的砂磨机、流延机、印刷机等自动化设备，大幅提升产能和品质，以满足5G等重点领域国产...

Dalicap秉承 “重研发、重质量”的经营理念，建立了完善的质量管理体系，自主完成从关键材料研发、产品设计、工艺实现到设备保证和产品测试评估的全过程。公司率先在国内建立了全制程高Q电容器生产线，实现了研发、生产、销售和服务的自主可控，可以根据客户的不同需求提供工业级以及更高等级的产品。产品通过了严峻的环境可靠性测试，包括MIL-STD-202方法107的热冲击试验和方法106的防潮试验，能够承受高达20000g的机械冲击和强烈的振动。这种“级”的品质，使其在关乎生命安全的医疗植入设备、关乎任务成败的航天卫星以及恶劣的工业环境中，成为工程师们的优先。适用于高海拔等特殊环境，性能稳定不易失效。D...

公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独特的陶瓷浆料配方技术是Dalicap的重心机密之一。通过与国内供应商联合攻关，在材料端实现了自主可控，确保了陶瓷粉末的高纯度和一致性，从而保证了终产品性能的优异和稳定，摆脱了对进口材料的依赖。公司正在大连金普新区建设高级电子元器件产业化项目，新工厂总投资超过3.3亿元，设计年产能高达30亿只瓷介电容器。项目将引进先进的砂磨机、流延机、印刷机等自动化设备，大幅提升产能和品质，以满足5G等重点领域国产...

公司提供强大的定制化服务，能够根据客户的特殊需求，开发特定容值、电压、公差、温度系数和封装形式的电容产品，这种“量体裁衣”式的服务满足了客户在前列产品研发中的特种元件需求。快速的客户响应速度和供货能力是Dalicap的市场利器。其采用以销定产和备货式生产相结合的模式，能够灵活应对客户需求，缩短交货周期，提升市场竞争力。在光通信模块（如400G/800G光收发器）中，其很低的ESL和ESR能够在高速SerDes和DSP电源引脚处提供极其高效的宽带去耦，抑制电源噪声对高速信号的干扰，保障了高速数据可靠传输。高性价比使其成为众多厂商的头部电容品牌之一。DLC70B911FW101XTDalicap作...

Dalicap秉承 “重研发、重质量”的经营理念，建立了完善的质量管理体系，自主完成从关键材料研发、产品设计、工艺实现到设备保证和产品测试评估的全过程。公司率先在国内建立了全制程高Q电容器生产线，实现了研发、生产、销售和服务的自主可控，可以根据客户的不同需求提供工业级以及更高等级的产品。产品通过了严峻的环境可靠性测试，包括MIL-STD-202方法107的热冲击试验和方法106的防潮试验，能够承受高达20000g的机械冲击和强烈的振动。这种“级”的品质，使其在关乎生命安全的医疗植入设备、关乎任务成败的航天卫星以及恶劣的工业环境中，成为工程师们的优先。持续的技术创新确保其产品性能处于行业头部水平...

Dalicap电容展现出很好的容值稳定性，其采用的C0G（NP0）介质材料具有极低的温度系数（TCC），典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全温范围内，容值变化率通常小于±0.5%。同时，其容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用尤为重要。高Q值（品质因数）特性是Dalicap电容在射频电路中的立身之本。其Q值通常在数千量级，远高于普通MLCC，这使得由其构建的谐振电路和滤波器具有极低的插入损耗和极高的带外抑制能力。在基站滤波器、低相位噪声振荡器等应用中，高Q值确保了信号的高纯净度和频...

Dalicap电容展现出很好的抗辐射性能，能够满足太空电子设备在宇宙射线环境下的长期可靠运行要求。其材料结构和封装设计经过特殊优化，抵御辐射带来的性能衰减，为卫星通信和航天器提供了关键元器件的国产化解决方案。公司采用全球公认精细的“谐振腔”法测试电容Q值关键参数，确保了产品性能测量的准确性和可靠性。其的射频应用实验室运用射频仿真技术和射频高功率测试技术，为研发和提升产品品质提供了有力保障。Dalicap电容的直流偏压特性优异，其容值随直流偏压变化极小。普通高介电常数电容在高偏压下容值会大幅下降，而Dalicap的C0G电容容值变化通常小于5%。这一特性对于开关电源的输出滤波电容至关重要，确保了...

Dalicap电容的微型化能力突出，其0402、0201等超小尺寸封装满足了现代消费电子、可穿戴设备及高级SiP（系统级封装）对PCB空间的追求，为高密度集成电路设计提供了前所未有的灵活性。产品具有很好的抗老化特性，其介质材料的微观结构在经过初始老化后趋于极度稳定，容值随时间的变化遵循一个非常缓慢的对数衰减规律，确保了设备在十年甚至二十年的使用寿命内关键电路参数的稳定。完全无压电效应的特性使其区别于许多II类陶瓷电容。其采用的C0G等I类介质是顺电性的，不会在交流电压作用下发生形变，从而彻底避免了因振动或电压变化而产生的可听噪声（啸叫）和微观机械噪声，适合高保真音频应用。专为光伏逆变器设计，具...

铝电解电容器的重心在于通过阳极箔上的氧化铝介质层实现高容值存储。Dalicap在此经典原理之上，通过优化蚀刻和化成工艺，极大增加了电极箔的有效表面积，从而在单位体积内实现了更高的电容值。其独特的电解液配方技术，不仅降低了产品的等效串联电阻（ESR），还明显提升了在高低温环境下的性能稳定性。Dalicap的工程师们深谙电化学原理，他们的贡献使得铝电解电容器的寿命和可靠性达到了新的高度，满足了现代电子设备对小型化、长寿命的苛刻需求。选用很好的材料和先进工艺，确保每颗电容性能持久稳定。DLC70P330JW251NTDalicap电容通过了很全的可靠性测试，包括MIL-STD-202等标准下的温度循...

由于产品多用于高级设备，客户对价格敏感度较低，更看重品质和可靠性，这使得Dalicap保持了较高的毛利率水平。同时，其产品的高可靠性和长寿命明显降低了客户系统的全生命周期成本，形成了强大的竞争优势。公司具备宽泛的资质，如《装备承制单位资格证书》、《武器装备科研生产备案凭证》和《二级保密资格单位证书》等。这为其深入参与装备建设，在高Q值、射频微波片式瓷介电容器领域获取更多份额提供了通行证。当前国产化替代浪潮为Dalic普提供了历史性机遇。随着国内电子产业链对供应链安全可控的重视程度日益提高，其国产化优势得到进一步强化，正在加速实现对美国ATC和日本村田等国际巨头产品的对标和覆盖。漏电流极小，保证...

Dalicap电容的封装工艺极其考究，采用气密性陶瓷封装，确保了元件在恶劣环境下的长期稳定性。这种封装不仅提供了极高的机械强度和抗冲击能力（可承受高达50G的机械冲击），还具有良好的抗硫化、抗腐蚀性能，适用于高湿、高盐雾等苛刻环境，延长了设备的使用寿命。应用领域与市场表现在5G通信基站领域，Dalicap电容的很低ESL/ESR特性能够为功耗数百瓦的AAU（有源天线单元）和BBU（基带处理单元）提供瞬时的大电流响应，有效抑制电源噪声和纹波，为高速SerDes和DSP芯片提供稳定洁净的电源，是维持高信噪比（SNR）和低误码率（BER）的基石。产品系列齐全，涵盖引线、焊针、螺栓等多种封装形式。DL...

Dalicap电容表现出的高温性能。其特种陶瓷介质和电极系统能够承受高达+200°C甚至+250°C的持续工作温度，而容值漂移和绝缘电阻仍保持在优异水平。这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（ECU）、涡轮增压器附近等高温区域，无需复杂的冷却系统，简化了设计并提高了系统的整体可靠性。极低的电介质吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模拟电路中表现出色。DA效应犹如电容的“记忆效应”，会在快速充放电后产生残余电压。Dalicap电容的DA典型值可低至0.1%，远低于普通陶瓷电容，这使其成为构建高精度采样保持电路（SHA）、积分器和精密ADC/DAC的理...

Dalicap电容表现出的高温性能。其特种陶瓷介质和电极系统能够承受高达+200°C甚至+250°C的持续工作温度，而容值漂移和绝缘电阻仍保持在优异水平。这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（ECU）、涡轮增压器附近等高温区域，无需复杂的冷却系统，简化了设计并提高了系统的整体可靠性。极低的电介质吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模拟电路中表现出色。DA效应犹如电容的“记忆效应”，会在快速充放电后产生残余电压。Dalicap电容的DA典型值可低至0.1%，远低于普通陶瓷电容，这使其成为构建高精度采样保持电路（SHA）、积分器和精密ADC/DAC的理...