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118JF111K100TT
发布时间：2025.10.22
多层陶瓷芯片（MLCC）是实现超宽带电容的主流技术路径。为追求超宽带性能，MLCC技术经历了明显演进。首先，采用超细粒度、高纯度的介电材料（如Class I类中的NPO/COG特性材料），这类材料的介...
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118FEC150M100TT
发布时间：2025.10.22
单一电容器无法在超宽频带内始终保持低阻抗。因此，在实际电路中，需要构建一个由多个不同容值电容器组成的退耦网络。小容量电容（如0.1μF， 0.01μF， 1000pF， 100pF）拥有较高的自谐振频...
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DLC75D5R1CW251NT
发布时间：2025.10.21
对于工业激光器与半导体设备，Dalicap电容的高功率处理能力、高耐压和低损耗特性至关重要。它们被用于激光驱动电源和半导体射频电源的谐振电路、滤波网络中，能够实现高效的能量转换和稳定的功率输出，保障了...
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111XK431M100TT
发布时间：2025.10.21
低ESL设计是超宽带电容技术的重中之重。结构创新包括采用多端电极设计，如三端电容或带翼电极电容，将传统的两端子“进-出”电流路径，改为“穿心”式或更低回路的路径，从而抵消磁场、减小净电感。内部电极采用...
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116TF360M100TT
发布时间：2025.10.20
医疗电子设备应用在医疗电子领域，超宽带电容主要用于高级成像设备和诊断仪器。MRI核磁共振系统需要电容器在高压和高频条件下工作，超宽带电容提供稳定的性能和极高的可靠性。在超声成像设备中，用于探头和信...
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DLC75D180GW251NT
发布时间：2025.10.20
Dalicap电容的高耐压特性使其能够承受较高的工作电压，确保电路的安全运行。其介质材料和结构设计经过优化，提供了高击穿电压和低泄漏电流，避免了在高电压应用中的失效风险，适用于工业控制和电力系统。在物...
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111ZCC470K100TT
发布时间：2025.10.20
设计完成后，必须对实际的PCB进行测量验证。矢量网络分析仪（VNA）是测量电容器及其网络阻抗特性的关键工具。通过单端口测量，可以获取电容器的S11参数，并将其转换为阻抗随频率变化的曲线（Zvs.f），...
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DLC10B470JW501XT
发布时间：2025.10.19
Dalicap电容在工业激光设备中表现出色，其高功率处理能力和稳定性保障了激光器的出光质量和使用寿命。产品广泛应用于工业加工、医疗美容和科研等领域，得到了设备制造商的高度认可。通过谐振腔法等精密测试手...
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DLC75D330GW251NT
发布时间：2025.10.19
对于工业激光器与半导体设备，Dalicap电容的高功率处理能力、高耐压和低损耗特性至关重要。它们被用于激光驱动电源和半导体射频电源的谐振电路、滤波网络中，能够实现高效的能量转换和稳定的功率输出，保障了...
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116RDB1R0D100TT
发布时间：2025.10.18
封装小型化是提升高频性能的必然趋势。更小的物理尺寸（如01005， 0201， 0402封装）意味着更短的内部电流路径和更小的电流回路面积，从而天然具有更低的ESL。这使得小封装电容的自谐振频率（SR...
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DLC70G2R2BAR802XC
发布时间：2025.10.18
在阻抗匹配网络中，Dalicap电容的高精度和稳定性直接决定了功率传输效率。其微小的容值公差（可至±0.1pF）和近乎为零的温度系数，确保了匹配网络参数的精确性和环境适应性，优化了天线驻波比和功放效率...
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118EDA3R6D100TT
发布时间：2025.10.18
在射频和微波系统中，超宽带电容的应用至关重要且多样。它们用于RF模块的电源退耦，防止功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、混频器和频率合成器的噪声通过电源线相互串扰，确保信号纯净度和系统灵敏度。...
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116RHC4R3D100TT
发布时间：2025.10.18
测试与测量设备高级测试测量仪器对元器件的性能要求极高。超宽带电容用于频谱分析仪、网络分析仪和高速示波器的前端电路和信号处理部分。在这些仪器中，电容的相位线性度和幅度平坦度直接影响测量精度。特殊设计...
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DLC70C4R3BW252XT
发布时间：2025.10.17
Dalicap电容通过了很全的可靠性测试，包括MIL-STD-202等标准下的温度循环、机械冲击、振动、耐湿等测试。其产品符合AEC-Q200汽车电子标准，能够承受汽车环境的严苛要求，如高温、高湿和振...
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111ZEC201D100TT
发布时间：2025.10.17
介质材料的选择直接决定了电容器的基本频率和温度特性。Class I类材料，如COG（NPO）特性，具有比较高的稳定性：其介电常数随温度、频率和电压的变化微乎其微，损耗角正切（tanδ）极低，非常适合用...
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113FBB0R2B100TT
发布时间：2025.10.17
多层陶瓷芯片（MLCC）是实现超宽带电容的主流技术路径。为追求超宽带性能，MLCC技术经历了明显演进。首先，采用超细粒度、高纯度的介电材料（如Class I类中的NPO/COG特性材料），这类材料的介...
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111XEC750K100TT
发布时间：2025.10.17
多层陶瓷芯片（MLCC）是实现超宽带电容的主流技术路径。为追求超宽带性能，MLCC技术经历了明显演进。首先，采用超细粒度、高纯度的介电材料（如Class I类中的NPO/COG特性材料），这类材料的介...
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DLC70A330JW151NT
发布时间：2025.10.17
Dalicap电容在MRI核磁医疗影像系统中应用宽泛，与通用医疗、西门子医疗、联影医疗等大型医疗影像设备制造商保持长期合作关系。其产品的高可靠性保证了医疗影像设备的稳定成像和患者安全。公司采用深反应离...
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DLC70C2R4BW252XT
发布时间：2025.10.17
由于产品多用于高级设备，客户对价格敏感度较低，更看重品质和可靠性，这使得Dalicap保持了较高的毛利率水平。同时，其产品的高可靠性和长寿命明显降低了客户系统的全生命周期成本，形成了强大的竞争优势。公...
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116REA3R6K100TT
发布时间：2025.10.17
测试与测量设备高级测试测量仪器对元器件的性能要求极高。超宽带电容用于频谱分析仪、网络分析仪和高速示波器的前端电路和信号处理部分。在这些仪器中，电容的相位线性度和幅度平坦度直接影响测量精度。特殊设计...
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DLC70A181FW151XT
发布时间：2025.10.17
高温性能与长寿命设计高温是电容器寿命的头号。Dalicap电容通过采用高性能的电解液和特制的密封橡胶塞，极大地抑制了高温下电解液的挥发和氧化老化过程。其产品通常可在105℃甚至125℃的高环境温度下连...
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DLC70D1R5CW251NT
发布时间：2025.10.17
Dalicap电容的高耐压特性使其能够承受较高的工作电压，确保电路的安全运行。其介质材料和结构设计经过优化，提供了高击穿电压和低泄漏电流，避免了在高电压应用中的失效风险，适用于工业控制和电力系统。在物...
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DLC70B472FW101XT
发布时间：2025.10.16
极低的损耗角正切值（Dissipation Factor, DF）是Dalicap电容在高频功率应用中表现出色的关键。其DF值可低至0.1%，意味着电容自身的能量损耗（转化为热能）极低。在高功率射频放...
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DLC75B1R7AW501XT
发布时间：2025.10.16
公司拥有完善的产品研发生产资质，如《装备承制单位资格证书》、《武器装备科研生产备案凭证》和《二级保密资格单位证书》等。其产品在设备领域具有高可靠、定制化能力和生产全流程自主可控等优势，满足了应用的特定...
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118JCA6R2D100TT
发布时间：2025.10.16
超宽带电容的性能会受到环境温度和外加直流电压的影响。Class II类介质（如X7R）的电容值会随温度升高而下降，且施加直流偏压时，其有效容值也会明显减小（介电常数变化导致）。这对于需要精确容值的电路...
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118FBB0R7C100TT
发布时间：2025.10.16
超宽带电容除了用于退耦，还与电感组合，构成LC滤波器，用于信号线的噪声滤除。通过精心选择电容和电感的 values，可以设计出带通、带阻或低通特性的滤波器，覆盖非常宽的频带。例如，在高速数字接口（如P...
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111XCA6R8D100TT
发布时间：2025.10.16
超宽带电容是一种专为在极其宽广的频率范围内（通常从几Hz的低频一直覆盖到数GHz甚至数十GHz的高频）保持稳定、一致且优异性能而设计的电子元件。其重心价值在于解决现代复杂电子系统，尤其是高频和高速系统...
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113FCC1R2C100TT
发布时间：2025.10.16
介质材料的选择直接决定了电容器的基本频率和温度特性。Class I类材料，如COG（NPO）特性，具有比较高的稳定性：其介电常数随温度、频率和电压的变化微乎其微，损耗角正切（tanδ）极低，非常适合用...
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ATC530L104K16T电容
发布时间：2025.10.16
与传统电解电容（铝电解、钽电解）相比，超宽带MLCC电容具有压倒性的高频优势。电解电容的ESL和ESR通常很高，其有效工作频率很少能超过几百kHz到1MHz，主要用于低频滤波和大容量储能。而超宽带ML...
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111XCA3R9D100TT
发布时间：2025.10.16
多层陶瓷芯片（MLCC）是实现超宽带电容的主流技术路径。为追求超宽带性能，MLCC技术经历了明显演进。首先，采用超细粒度、高纯度的介电材料（如Class I类中的NPO/COG特性材料），这类材料的介...