116TBB0R9B100TT 发布时间：2025.11.09

现代汽车电子，特别是自动驾驶系统和ADAS（高级驾驶辅助系统），高度依赖各种传感器（摄像头、激光雷达、毫米波雷达）和高速数据处理单元。车载毫米波雷达工作在24GHz和77GHz频段，其射频前端需要超宽...

DLC70D560FW251NT 发布时间：2025.11.08

LED照明，特别是大功率户外和工业照明，其驱动电源长期工作在高温密闭环境中。Dalicap电容的高温长寿命特性在这里至关重要。它们用于输入输出滤波、PFC（功率因数校正）电路以及主控芯片的供电稳定，确...

111UDA5R1M100TT 发布时间：2025.11.08

即使选择了ESL极低的超宽带电容，不合理的PCB布局和安装也会引入巨大的安装电感，彻底毁掉其性能。安装电感主要来自电容焊盘到电源/地平面之间的过孔（via）和走线。为了小化安装电感，必须遵循以下原则：...

DLC70A330GW151NT 发布时间：2025.11.07

Dalicap电容采用高纯度钛酸盐陶瓷介质材料，通过独特的配方和烧结工艺，实现了极高的介电常数和稳定性。其电容值范围覆盖0.1pF至470μF，工作电压可达200V，温度范围横跨-55℃至+125...

116UBB1R5C100TT 发布时间：2025.11.07

在射频和微波系统中，超宽带电容的应用至关重要且多样。它们用于RF模块的电源退耦，防止功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、混频器和频率合成器的噪声通过电源线相互串扰，确保信号纯净度和系统灵敏度。...

111ZCA150K100TT 发布时间：2025.11.07

微波电路应用在微波领域，超宽带电容发挥着关键作用。作为耦合电容、旁路电容和调谐电容广泛应用于雷达系统、卫星通信设备和微波收发模块中。在这些应用中，电容器需要处理GHz频率的信号，传统电容由于寄生参数的...

DLC70D101JW251NT 发布时间：2025.11.06

作为医疗影像设备（如MRI核磁共振） 的重心供应商，其产品的高可靠性、高稳定性和生物兼容性得到了GE医疗、西门子医疗、联影医疗等全球巨头的认可。在千万级别的设备中，电容器的成本占比虽小，但其品质直接决...

DLC70A180FW151NT 发布时间：2025.11.06

工业环境往往伴随着高温、高湿及强烈的电磁干扰，这对电子元件的可靠性提出了很好要求。Dalicap电容凭借其优异的温度稳定性和长寿命特性，成为PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器、工业电源等设备中不可...

118GL471M100TT 发布时间：2025.11.05

低ESL设计是超宽带电容技术的重中之重。结构创新包括采用多端电极设计，如三端电容或带翼电极电容，将传统的两端子“进-出”电流路径，改为“穿心”式或更低回路的路径，从而抵消磁场、减小净电感。内部电极采用...

DLC70B151FW301X 发布时间：2025.11.05

低ESR（等效串联电阻）技术的优势低ESR是现关电源对电容器的重心要求之一。Dalicap通过使用低电阻率的电极箔、高电导率的电解液以及先进的内部结构设计，使其电容产品的ESR值远低于行业平均水平。低...

111SDB2R2K100TT 发布时间：2025.11.05

在现代高速电路设计中，凭借经验或简单计算已无法设计出有效的超宽带退耦网络。必须借助先进的仿真工具。电源完整性（PI）仿真软件（如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysi...

118JEC430K100TT 发布时间：2025.11.04

在射频和微波系统中，超宽带电容的应用至关重要且多样。它们用于RF模块的电源退耦，防止功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、混频器和频率合成器的噪声通过电源线相互串扰，确保信号纯净度和系统灵敏度。...

111TEA150K100TT 发布时间：2025.11.04

在现代高速数字集成电路（如CPU， GPU， FPGA）中，时钟频率高达数GHz，电流切换速率极快（纳秒甚至皮秒级），会产生极其丰富的高次谐波噪声。同时，芯片内核电压不断降低（<1V），而对噪声的容限...

118FCC2R7K100TT 发布时间：2025.11.04

在现代高速电路设计中，凭借经验或简单计算已无法设计出有效的超宽带退耦网络。必须借助先进的仿真工具。电源完整性（PI）仿真软件（如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysi...

DLC75D2R4DW251NT 发布时间：2025.11.04

高温性能与长寿命设计高温是电容器寿命的头号。Dalicap电容通过采用高性能的电解液和特制的密封橡胶塞，极大地抑制了高温下电解液的挥发和氧化老化过程。其产品通常可在105℃甚至125℃的高环境温度下连...

DLC70A621JW151NT 发布时间：2025.11.04

汽车电子化趋势，尤其是新能源汽车的智能驾驶和电控系统，为Dalicap带来了新机遇。其产品符合AEC-Q200标准，能够承受发动机舱的高温、高湿和振动，应用于电池管理系统（BMS）、车载信息娱乐系统和...

DLC70A360FW151NT 发布时间：2025.11.04

Dalicap电容展现出很好的容值稳定性，其采用的C0G（NP0）介质材料具有极低的温度系数（TCC），典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全温范围内，容值变化率通常小于±0....

118GF910K100TT 发布时间：2025.11.04

在现代高速电路设计中，凭借经验或简单计算已无法设计出有效的超宽带退耦网络。必须借助先进的仿真工具。电源完整性（PI）仿真软件（如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysi...

111TGA750M100TT 发布时间：2025.11.03

超宽带电容并非指单一类型的电容器，而是一种设计理念和技术追求，旨在让单个电容器或电容网络在极其宽广的频率范围内（通常从几Hz或几十Hz的低频一直覆盖到数GHz甚至数十GHz的高频）保持稳定、一致且优异...

116SHC3R9M100TT 发布时间：2025.11.03

即使选择了ESL极低的超宽带电容，不合理的PCB布局和安装也会引入巨大的安装电感，彻底毁掉其性能。安装电感主要来自电容焊盘到电源/地平面之间的过孔（via）和走线。为了小化安装电感，必须遵循以下原则：...

111ZDB360D100TT 发布时间：2025.11.03

介质材料的选择直接决定了电容器的基本频率和温度特性。Class I类材料，如COG（NPO）特性，具有比较高的稳定性：其介电常数随温度、频率和电压的变化微乎其微，损耗角正切（tanδ）极低，非常适合用...

111UDB9R1K100TT 发布时间：2025.11.03

低ESL设计是超宽带电容技术的重中之重。结构创新包括采用多端电极设计，如三端电容或带翼电极电容，将传统的两端子“进-出”电流路径，改为“穿心”式或更低回路的路径，从而抵消磁场、减小净电感。内部电极采用...

118HG301M100TT 发布时间：2025.11.03

封装小型化是提升高频性能的必然趋势。更小的物理尺寸（如01005， 0201， 0402封装）意味着更短的内部电流路径和更小的电流回路面积，从而天然具有更低的ESL。这使得小封装电容的自谐振频率（SR...

116UDA4R3D100TT 发布时间：2025.11.03

高速数字系统应用现代高速数字系统对电源完整性和信号完整性提出了极高要求。超宽带电容在处理器、FPGA和ASIC的电源去耦中至关重要。随着数字信号速率达到数十Gbps，电源噪声成为限制系统性能的主要因素...

DLC70D0R1CW251NT 发布时间：2025.11.03

作为医疗影像设备（如MRI核磁共振） 的重心供应商，其产品的高可靠性、高稳定性和生物兼容性得到了GE医疗、西门子医疗、联影医疗等全球巨头的认可。在千万级别的设备中，电容器的成本占比虽小，但其品质直接决...

DLC70A1R4BW151NT 发布时间：2025.11.03

铝电解电容器的重心在于通过阳极箔上的氧化铝介质层实现高容值存储。Dalicap在此经典原理之上，通过优化蚀刻和化成工艺，极大增加了电极箔的有效表面积，从而在单位体积内实现了更高的电容值。其独特的电解液...

116SECA5R6D100TT 发布时间：2025.11.02

低ESL设计是超宽带电容技术的重中之重。结构创新包括采用多端电极设计，如三端电容或带翼电极电容，将传统的两端子“进-出”电流路径，改为“穿心”式或更低回路的路径，从而抵消磁场、减小净电感。内部电极采用...

DLC75B111JW501XT 发布时间：2025.11.02

Dalicap拥有完善的质量管理体系，自主完成从关键材料研发、产品设计、工艺实现到设备保证和产品测试评估的全过程。这种垂直整合能力确保了产品的高可靠性、高功率处理能力和低损耗特性，保证了信号传输过程中...

111UDA8R2K100TT 发布时间：2025.11.02

超宽带电容除了用于退耦，还与电感组合，构成LC滤波器，用于信号线的噪声滤除。通过精心选择电容和电感的 values，可以设计出带通、带阻或低通特性的滤波器，覆盖非常宽的频带。例如，在高速数字接口（如P...

111SJ150K100TT 发布时间：2025.11.02

系统级封装（SiP）是电子 miniaturization 的重要方向。在其中，嵌入式电容技术扮演了关键角色。该技术将电容介质材料（如聚合物-陶瓷复合材料）以薄膜形式直接沉积在SiP基板（如硅中介层、...