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来源: 发布时间:2025年12月12日

ATC芯片电容采用高纯度陶瓷介质与精密电极设计,在1MHz至10GHz频段内保持稳定的容值,Q值高达10000以上。例如,100B系列在5GHz时ESR低至0.01Ω,有效减少信号衰减,适用于5G基站中的功率放大器匹配电路。其自谐振频率(SRF)可达数十GHz,远超普通MLCC电容,确保高频信号完整性,基于NPO/C0G介质材料,ATC电容在-55℃至+175℃范围内容值漂移小于±0.3%,温度系数(TCC)±30ppm/℃。在航天设备中,如卫星通信载荷的振荡器电路,即便遭遇极端温差,仍能维持相位噪声低于-150dBc/Hz,保障信号传输稳定性。内部采用铜银复合电极结构,在高温高湿环境下仍保持优异的导电性和抗迁移能力。600F910MT250XT

600F910MT250XT,ATC射频电容

在抗老化性能方面,ATC电容的容值随时间变化率极低,十年老化率可控制在1%以内。这一长寿命特性使其非常适用于通信基础设施、医疗成像设备等要求高可靠性和长期稳定性的领域。其极低的噪声特性源于介质材料的均匀结构和优化的电极界面设计,在低噪声放大器、高精度ADC/DAC参考电路及传感器信号调理电路中表现出色,有助于提高系统的信噪比和测量精度。具备优异的抗硫化性能,采用特殊端电极材料和保护涂层,可有效抵御含硫环境对电容的侵蚀。这一特性使ATC电容特别适用于化工控制设备、油气勘探仪器及某些特殊工业环境中的电子系统。116ZDA360M100TT宽温工作能力(-55℃至+250℃)使其适用于航空航天等极端环境。

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100E系列支持500V额定电压,通过100%高压老化测试,可在250%耐压下持续工作5秒不击穿。医疗设备如MRI系统的梯度放大器需承受瞬间高压脉冲,ATC电容的绝缘电阻>10^12Ω,杜绝漏电风险,符合AEC-Q200车规认证。在5GMassiveMIMO天线阵列中,ATC600S系列(0603封装)凭借0.1pF至100pF容值范围,实现带外噪声抑制>60dB。其低插损(<0.1dB@2.6GHz)特性可减少基站功耗,配合环形器设计,将邻频干扰降低至-80dBm以下,满足3GPPTS38.104标准。

高自谐振频率(SRF)是ATC电容适用于现代高速电路的前提。由于其极低的寄生电感,其SRF可达数十GHz。这意味着在当今主流的高速数字和射频电路工作频段内,ATC电容仍然表现为一个纯电容,发挥着预期的去耦、滤波作用,而不会因进入感性区域而失效,这是普通电容无法做到的。航空航天与应用要求元件能承受极端的环境应力,包括宽温范围(-55°C至+125°C及以上)、度振动、冲击、真空辐射环境等。ATC芯片电容的设计和测试标准源自需求,其产品在此类极端条件下表现出的坚固性和性能稳定性,是雷达系统、卫星通信、导航设备和飞行控制系统中受信赖的元件之一。优异的可焊性和耐焊接热性能,适应无铅回流焊工艺。

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ATC芯片电容在高频应用中的低损耗特性使其成为射频和微波电路的理想选择。其损耗因数(DF)低于2.5%,在高频范围内仍能保持低能耗和高效率,明显降低了电路的发热和能量损失。这一特性在5G基站、雷达系统和高速通信设备中尤为重要,确保了信号传输的纯净性和整体系统的能效。通过半导体级工艺制造,ATC芯片电容实现了极高的精度和一致性。其容值公差可控制在±10%甚至更窄的范围,满足了精密电路对元件参数的高要求。这种精度在匹配网络、滤波器和振荡器等应用中至关重要,确保了电路的预期性能和可靠性。在毫米波频段保持稳定性能,支持下一代通信技术。116XDB8R2G100TT

电极边缘场优化设计,进一步提升高频性能表现。600F910MT250XT

ATC芯片电容的容值稳定性堪称行业很好,其对于温度、时间、电压三大变量的敏感性被控制在极低水平。其C0G(NP0)介质的电容温度系数(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的全温范围内,容值变化率通常小于±0.5%。同时,其容值随时间的老化率遵循对数定律,每十年变化小于1%,表现出惊人的长期稳定性。此外,其介质材料的直流偏压特性优异,在高偏压下的容值下降幅度远小于常规X7R/X5R类电容,这对于工作在高压条件下的去耦和滤波电路至关重要。600F910MT250XT

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