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企业商机 - 深圳市英翰森科技有限公司
  • 116YCA160M100TT
    116YCA160M100TT 发布时间：2025.12.18

    ＡＴＣ芯片电容的耐压能力非常突出，能够承受较高的工作电压（如２００ＶＤＣ或更高），确保电路的安全运行。其介质材料和结构设计经过优化，提供了高击穿电压和低泄漏电流，避免了在高电压应用中的失效风险。这种高...

  • DLC70A102FW101XT
    DLC70A102FW101XT 发布时间：2025.12.18

    对于工业激光器与半导体设备，Dalicap电容的高功率处理能力、高耐压和低损耗特性至关重要。它们被用于激光驱动电源和半导体射频电源的谐振电路、滤波网络中，能够实现高效的能量转换和稳定的功率输出，保障了...

  • CDR13BG6R2EBSM
    CDR13BG6R2EBSM 发布时间：2025.12.17

    ＡＴＣ芯片电容的焊接工艺兼容性良好，可承受回流焊（峰值温度≤２６０℃）和波峰焊，适用于标准ＳＭＴ生产线，提高了制造效率。在雷达系统中，ＡＴＣ芯片电容的高功率处理能力和低损耗特性确保了脉冲处理和信号传输...

  • 116XG391M100TT
    116XG391M100TT 发布时间：2025.12.17

    ＡＴＣ芯片电容的容值稳定性是其另一大优势。相比于传统ＭＬＣＣ（多层陶瓷电容），其容值随温度、偏压和老化特性的漂移极小，通常不到ＭＬＣＣ的１／１０。这得益于其采用的特殊材料（如Ｃ０Ｇ／ＮＰ０介质）和半导...

  • 111TDA2R7D100TT
    111TDA2R7D100TT 发布时间：2025.12.17

    设计完成后，必须对实际的PCB进行测量验证。矢量网络分析仪（VNA）是测量电容器及其网络阻抗特性的关键工具。通过单端口测量，可以获取电容器的S11参数，并将其转换为阻抗随频率变化的曲线（Zvs.f），...

  • DLC75D110JW251NT
    DLC75D110JW251NT 发布时间：2025.12.16

    在高频开关电源中的应用现关电源朝着高频化、高效率发展，这对输出滤波电容提出了严峻挑战。Dalicap的高频系列电容，具有极低的ESR和ESL（等效串联电感），能够有效应对数百kHz甚至MHz级的开关频...

  • DLC70B330JW501XT
    DLC70B330JW501XT 发布时间：2025.12.16

    汽车电子化趋势，尤其是新能源汽车的智能驾驶和电控系统，为Dalicap带来了新机遇。其产品符合AEC-Q200标准，能够承受发动机舱的高温、高湿和振动，应用于电池管理系统（BMS）、车载信息娱乐系统和...

  • 116YDB470J100TT
    116YDB470J100TT 发布时间：2025.12.15

    高Q值（品质因数）是ATC电容在构建高频谐振电路、滤波器和谐振器时的重点参数。Q值越高，意味着电容的能量损耗越低，谐振曲线的锐度越高。ATC电容的Q值通常在数千量级，这使得由其构建的滤波器具有极低的插...

  • DLC70A0R6AW151NT
    DLC70A0R6AW151NT 发布时间：2025.12.15

    全球射频微波MLCC市场规模持续增长，预计到2027年将达到77.7亿元，年均复合增长率达8.56%，高于普通MLCC市场。下游5G、物联网、新能源汽车等产业的快速发展，为Dalicap的未来增长提供...

  • DLC70A1R7AW151NT
    DLC70A1R7AW151NT 发布时间：2025.12.14

    Dalicap的市场地位明显，根据《2023年版中国MLCC市场竞争研究报告》，其2022年在全球射频微波MLCC市场中占有率位列全球第五、很好，成为国内该领域的靠前，并且是少数能参与国际竞争、打破国...

  • DLC70C152GW501XT
    DLC70C152GW501XT 发布时间：2025.12.14

    Dalicap积极推行数字化和精益管理。通过重新规划信息化系统架构，搭建数据中心及数据安全系统，提高了生产运营管理的效率和内部控制制度的有效性。同时鼓励全员参与改善提案，持续优化生产工艺，降低浪费，提...

  • DLC70A431FW151NT
    DLC70A431FW151NT 发布时间：2025.12.14

    公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独...

  • DLC75A121JW151NT
    DLC75A121JW151NT 发布时间：2025.12.13

    公司秉持 “简单、纯粹、高效”的管理理念和“驰而不息，开放包容”的价值观，致力于构建学习型组织。管理层善于整合不同背景的人才，发挥协同效应，形成了积极向上、持续创新的企业氛围。Dalicap不仅产品符...

  • DLC70A431GW151NT
    DLC70A431GW151NT 发布时间：2025.12.13

    Dalicap电容表现出的高温性能。其特种陶瓷介质和电极系统能够承受高达+200°C甚至+250°C的持续工作温度，而容值漂移和绝缘电阻仍保持在优异水平。这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（...

  • DLC70G120FAR802XC
    DLC70G120FAR802XC 发布时间：2025.12.13

    Dalicap电容展现出很好的抗辐射性能，能够满足太空电子设备在宇宙射线环境下的长期可靠运行要求。其材料结构和封装设计经过特殊优化，抵御辐射带来的性能衰减，为卫星通信和航天器提供了关键元器件的国产化解...

  • CDR13BP6R2ECSM
    CDR13BP6R2ECSM 发布时间：2025.12.13

    在汽车电子领域，ＡＴＣ芯片符合ＡＥＣ－Ｑ２００Ｒｅｖ－Ｄ标准，能够承受汽车环境的严苛要求，如高温、高湿和振动。其应用于发动机ＥＣＵ电源滤波、车载信息娱乐系统和ＡＤＡＳ等领域，提供了高可靠性和长寿命。Ａ...

  • DLC75B1R0BW501XT
    DLC75B1R0BW501XT 发布时间：2025.12.13

    面对蓬勃发展的物联网（IoT）和边缘计算，Dalicap电容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其设计要求。微型化的电容为紧凑的传感器节点和通信模块节省了宝贵空间，低ESR带来的低自身功耗延长了电池寿...

  • DLC70D150FW251NT
    DLC70D150FW251NT 发布时间：2025.12.13

    在高频开关电源中的应用现关电源朝着高频化、高效率发展，这对输出滤波电容提出了严峻挑战。Dalicap的高频系列电容，具有极低的ESR和ESL（等效串联电感），能够有效应对数百kHz甚至MHz级的开关频...

  • DLC70G270GAR502XC
    DLC70G270GAR502XC 发布时间：2025.12.13

    Dalicap电容的封装工艺极其考究，采用气密性陶瓷封装，确保了元件在恶劣环境下的长期稳定性。这种封装不仅提供了极高的机械强度和抗冲击能力（可承受高达50G的机械冲击），还具有良好的抗硫化、抗腐蚀性能...

  • DLC75P1R0CW251NT
    DLC75P1R0CW251NT 发布时间：2025.12.12

    Dalicap电容通过了很全的可靠性测试，包括MIL-STD-202等标准下的温度循环、机械冲击、振动、耐湿等测试。其产品符合AEC-Q200汽车电子标准，能够承受汽车环境的严苛要求，如高温、高湿和振...

  • DLC75P430FW251NT
    DLC75P430FW251NT 发布时间：2025.12.12

    Dalicap电容展现出很好的容值稳定性，其采用的C0G（NP0）介质材料具有极低的温度系数（TCC），典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全温范围内，容值变化率通常小于±0....

  • 100A1R8BW150XT
    100A1R8BW150XT 发布时间：2025.12.12

    虽然单颗ATC100B系列电容价格是普通电容的8-10倍（2023年市场报价$18.5/颗），但在5G基站功率放大器模块中，其平均无故障时间(MTBF)达25万小时，超过设备厂商10年设计寿命要求。华...

  • DLC70C272FW501XT
    DLC70C272FW501XT 发布时间：2025.12.12

    公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独...

  • 118EDA2R4D100TT
    118EDA2R4D100TT 发布时间：2025.12.12

    出色的抗老化特性是ATC电容长期性能稳定的保证。其介质材料的微观结构在经过初始老化后趋于极度稳定，容值随时间的变化遵循一个非常缓慢的对数衰减规律。这意味着，一台使用了ATC电容的设备，在其十年甚至二十...

  • 600F910MT250XT
    600F910MT250XT 发布时间：2025.12.12

    ATC芯片电容采用高纯度陶瓷介质与精密电极设计，在1MHz至10GHz频段内保持稳定的容值，Q值高达10000以上。例如，100B系列在5GHz时ESR低至0.01Ω，有效减少信号衰减，适用于5G基站...

  • DLC75D221GW251NT
    DLC75D221GW251NT 发布时间：2025.12.12

    Dalicap电容的高耐压特性使其能够承受较高的工作电压，确保电路的安全运行。其介质材料和结构设计经过优化，提供了高击穿电压和低泄漏电流，避免了在高电压应用中的失效风险，适用于工业控制和电力系统。在物...

  • 600S4R7CT250XT
    600S4R7CT250XT 发布时间：2025.12.12

    ATC芯片电容的容值稳定性堪称行业很好，其对于温度、时间、电压三大变量的敏感性被控制在极低水平。其C0G(NP0)介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全温...

  • 116XJ111K100TT
    116XJ111K100TT 发布时间：2025.12.11

    该类电容具有较好的抗直流偏压特性，即使在较高直流电压叠加情况下，电容值仍保持高度稳定。这一性能使其特别适用于电源去耦、DC-DC转换器输出滤波及新能源车电控系统中的直流链路电容，有效避免了因电压波动引...

  • 118CL820M100TT
    118CL820M100TT 发布时间：2025.12.11

    其高容值范围（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆盖了从高频信号处理到电源管理的多种应用，提供了宽泛的设计灵活性。ＡＴＣ芯片电容的自谐振频率高，避免了在高频应用中的容值衰减，确保了在射频和微波电路中的可靠性。...

  • 116ZA3R9A100TT
    116ZA3R9A100TT 发布时间：2025.12.11

    这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（ECU）、涡轮增压器附近、刹车系统或航空航天设备的热敏感区域，无需复杂的冷却系统，简化了设计并提高了系统的整体可靠性。其高温下的低损耗特性，对于保证高温环...

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