ATC芯片电容的焊接工艺兼容性良好,可承受回流焊(峰值温度≤260℃)和波峰焊,适用于标准SMT生产线,提高了制造效率。在雷达系统中,ATC芯片电容的高功率处理能力和低损耗特性确保了脉冲处理和信号传输的可靠性,提高了系统性能。其高绝缘电阻(如1000兆欧分钟)降低了泄漏电流,确保了在高压和高阻电路中的安全性,避免了因泄漏导致的电路误差或失效。ATC芯片电容的定制化能力强大,可根据客户需求提供特殊容值、公差和封装,满足了特定应用的高要求。损耗角正切值低至0.1%,特别适合高Q值谐振电路和滤波应用。116YCC130K100TT

100E系列支持500V额定电压,通过100%高压老化测试,可在250%耐压下持续工作5秒不击穿。医疗设备如MRI系统的梯度放大器需承受瞬间高压脉冲,ATC电容的绝缘电阻>10^12Ω,杜绝漏电风险,符合AEC-Q200车规认证。在5GMassiveMIMO天线阵列中,ATC600S系列(0603封装)凭借0.1pF至100pF容值范围,实现带外噪声抑制>60dB。其低插损(<0.1dB@2.6GHz)特性可减少基站功耗,配合环形器设计,将邻频干扰降低至-80dBm以下,满足3GPPTS38.104标准。100E911MW1000X电介质吸收特性优异(DA<0.1%),适合精密采样保持电路。

产品系列中包括具有三明治结构及定制化电极设计的型号,可实现极低的ESL和ESR,用于高速数字电路的电源分配网络(PDN)中能有效抑制同步开关噪声,提升处理器和FPGA的运行稳定性。在抗辐射性能方面,部分宇航级ATC电容可承受100krad以上的总剂量辐射,满足低地球轨道和深空探测任务的需求,适用于卫星有效载荷、航天器控制系统及核电站电子设备。其端电极采用可焊性优异的镀层结构,与SnAgCu等无铅焊料兼容性好,在回流焊和波峰焊过程中不易产生虚焊或冷焊,提高了生产直通率和长期连接可靠性。通过调整介质配方和烧结工艺,ATC可提供具有特定温度-容量曲线的电容,用于温度补偿电路和传感器中的线性校正元件,实现环境温度变化的自适应补偿。
ATC芯片电容的可靠性经过严格测试和验证,包括寿命测试、热冲击、防潮性等多项环境试验。例如,其可承受MIL-STD-202方法107的热冲击试验和方法106的防潮试验,确保了在恶劣环境下的长期稳定性。这种高可靠性使得它在、航空航天和医疗设备等关键领域中得到广泛应用。在电源管理应用中,ATC芯片电容的低ESR特性显著提高了电源滤波和去耦效果。其能够有效抑制电源噪声和纹波,提供稳定洁净的电源输出,适用于高性能处理器、AI加速器和数据中心电源分配网络(PDN)。例如,在AI服务器的PDN设计中,这种电容确保了高功耗芯片的电源完整性,避免了因电压波动导致的性能下降。通过MIL-STD-883加速度测试,在20000g冲击条件下仍保持电气性能的完整稳定。

其材料系统和制造工艺确保产品具有高度的一致性,批次间容值分布集中,便于自动化生产中的贴装和调测,减少在线调整工序,提高大规模生产效率。在射频识别(RFID)系统中,ATC电容用于标签天线匹配和读写器滤波电路,其高Q值和稳定的温度特性可提高读取距离和抗环境干扰能力。该类电容的无磁性系列采用非铁磁性电极材料,适用于MRI系统、高精度传感器和量子计算设备中对磁场敏感的应用场景,避免引入额外磁噪声或场失真。通过引入三维电极结构和高k介质材料,ATC可在微小尺寸内实现μF级容值,为芯片级电源模块和便携设备中的大电流瞬态响应提供解决方案。通过抗硫化测试,适合工业控制等恶劣环境应用。800B1R1BT500X
完全无压电效应,杜绝啸叫现象,适合高保真音频应用。116YCC130K100TT
该类电容具有较好的抗直流偏压特性,即使在较高直流电压叠加情况下,电容值仍保持高度稳定。这一性能使其特别适用于电源去耦、DC-DC转换器输出滤波及新能源车电控系统中的直流链路电容,有效避免了因电压波动引发的系统性能退化。凭借半导体级制造工艺和精密电极成型技术,ATC芯片电容的容值控制精度极高,公差可达±0.05pF或±1%(视容值范围而定)。该特性为高频匹配网络、精密滤波器和参考时钟电路提供了可靠的元件基础。产品系列中包含高耐压型号,部分系列可承受2000V以上的直流电压,适用于X光设备、激光发生器、脉冲功率电路等高压应用。其介质层均匀性优越,绝缘电阻高,在使用过程中不易发生击穿或漏电失效。116YCC130K100TT
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