定义与特性
负性光刻胶是一种在曝光后,未曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案相反的图形。与正性光刻胶相比,其主要特点是耐蚀刻性强、工艺简单、成本低,但分辨率较低(通常≥1μm),主要应用于对精度要求相对较低、需要厚胶或高耐腐蚀性的场景。
化学组成与工作原理
主要成分
基体树脂:
◦ 早期以聚异戊二烯橡胶(天然或合成)为主,目前常用环化橡胶(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,提供胶膜的机械强度和耐蚀刻性。
光敏剂:
◦ 主要为双叠氮化合物(如双叠氮芪)或重氮醌类衍生物,占比约5%-10%,吸收紫外光后引发交联反应。
交联剂:
◦ 如六亚甲基四胺(乌洛托品),在曝光后与树脂发生交联,形成不溶性网状结构。
溶剂:
◦ 多为有机溶剂(如二甲苯、环己酮),溶解树脂和光敏剂,涂布后挥发形成均匀胶膜。
工作原理
曝光前:光敏剂和交联剂均匀分散在树脂中,胶膜可溶于显影液(有机溶剂)。
曝光时:
◦ 光敏剂吸收紫外光(G线436nm为主)后产生活性自由基,引发交联剂与树脂分子间的共价键交联,使曝光区域形成不溶于显影液的三维网状结构。
显影后:
◦ 未曝光区域的树脂因未交联,被显影液溶解去除,曝光区域保留,形成负性图案(与掩膜版相反)。
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技术挑战:
◦ 技术壁垒:EUV光刻胶、3nm以下制程材料仍处研发阶段,光刻胶分辨率、灵敏度与国际水平存在差距(如东京应化ArF胶分辨率达14nm)。
◦ 供应链风险:树脂、光引发剂等原材料自给率不足8%,部分依赖进口(如日本信越化学);美国对华技术封锁可能影响设备采购。
◦ 客户验证:光刻胶需通过晶圆厂全流程测试,验证周期长(1-2年),国内企业在头部客户渗透率较低。
未来展望:
◦ 短期(2025-2027年):KrF/ArF光刻胶国产化率预计提升至10%-15%,南大光电、上海新阳等企业实现28nm-7nm制程产品量产,部分替代日本进口。
◦ 中期(2028-2030年):EUV光刻胶进入中试验证阶段,原材料自给率提升至30%,国内企业在全球市场份额突破15%。
◦ 长期(2030年后):实现光刻胶全产业链自主可控,技术指标对标国际前列,成为全球半导体材料重要供应商。
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吉田半导体 SU-3 负性光刻胶:国产技术赋能 5G 芯片封装
自主研发 SU-3 负性光刻胶支持 3 微米厚膜加工,成为 5G 芯片高密度封装材料。
针对 5G 芯片封装需求,吉田半导体自主研发 SU-3 负性光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min。其超高感光度与耐化学性确保复杂图形的完整性,已应用于高通 5G 基带芯片量产。产品采用国产原材料与工艺,不采用国外材料,成本较进口产品降低 40%,帮助客户提升封装良率至 98.5%,为国产 5G 芯片制造提供关键材料支撑。
光刻胶系列:
厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;
水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;
LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;
半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。
吉田半导体:以技术革新驱动光刻胶产业升级。
光刻胶(Photoresist)是一种对光敏感的高分子材料,主要用于光刻工艺中,通过光化学反应实现图案的转移,是半导体、集成电路(IC)、印刷电路板(PCB)、液晶显示(LCD)等制造领域的材料之一。
光刻胶特性与组成
• 光敏性:在特定波长(如紫外光、极紫外光EUV等)照射下,会发生化学结构变化(如交联或分解),从而改变在显影液中的溶解性。
• 主要成分:
◦ 树脂(成膜剂):形成基础膜层,决定光刻胶的机械和化学性能。
◦ 光敏剂:吸收光能并引发化学反应(如光分解、光交联)。
◦ 溶剂:调节粘度,便于涂覆成膜。
◦ 添加剂:改善性能(如感光度、分辨率、对比度等)。
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吉田半导体强化研发,布局下一代光刻技术。江西水性光刻胶
全品类覆盖与定制化能力
吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶等全品类,适用于半导体、显示面板、MEMS等多个领域。例如,其LCD正性光刻胶YK-200和水油光刻胶JT-2001可满足0.45μm及以上线宽需求,支持客户定制化工艺参数,尤其在柔性显示(OLED)和Mini/Micro LED等新兴领域表现突出。
技术亮点:通过自主研发的树脂配方和光敏剂体系,实现了高分辨率(120nm)和高抗蚀性的平衡,部分指标(如线宽粗糙度LWR<3nm)接近国际主流产品水平。
国产化材料与工艺适配
公司采用进口原材料+本地化生产模式,关键树脂单体、光敏剂等主要成分通过德国默克、日本信越等供应商采购,同时建立了超纯提纯工艺(杂质含量<1ppm),确保产品稳定性。此外,其光刻胶与国内主流光刻机(如上海微电子SSA800)、匀胶显影机(如盛美上海)的兼容性已通过验证,缩短客户工艺调试周期。
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