作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
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YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
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SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
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JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
吉田半导体助力区域经济发展,推动产业链协同创新。烟台高温光刻胶品牌
以 15% 年研发投入为驱动,吉田半导体加速 EUV 光刻胶与木基材料研发,抢占行业制高点。布局下一代光刻技术。
面对极紫外光刻技术挑战,吉田半导体与中科院合作开发化学放大型 EUV 光刻胶,在感光效率(<10mJ/cm²)和耐蚀性(>80%)指标上取得阶段性进展。同时,公司前瞻性布局木基光刻胶研发,对标日本王子控股技术,探索生物基材料在半导体封装中的应用。这些技术储备为 7nm 及以下制程提供支撑,助力中国在下一代光刻技术中占据重要地位。湖南高温光刻胶纳米级图案化的主要工具。
吉田半导体水性感光胶 JT-1200:水油兼容,钢片加工精度 ±5μm
JT-1200 水性感光胶解决钢片加工难题,提升汽车电子部件制造精度。
针对汽车电子钢片加工需求,吉田半导体研发的 JT-1200 水性感光胶实现水油兼容性达 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接强度与耐强酸强碱特性,确保复杂结构的长期可靠性。其涂布性能优良,易做精细网点,适用于安全气囊传感器、车载摄像头模组等精密部件。产品通过 IATF 16949 汽车行业认证,生产过程严格控制金属离子含量,确保电子产品可靠性。
技术挑战与发展趋势
更高分辨率需求:
◦ EUV光刻胶需解决“线边缘粗糙度(LER)”问题(目标<5nm),通过纳米颗粒分散技术或新型聚合物设计改善。
缺陷控制:
◦ 半导体级正性胶要求金属离子含量<1ppb,颗粒(>50nm)<1个/mL,需优化提纯工艺(如多级过滤+真空蒸馏)。
国产化突破:
◦ 国内企业(如上海新阳、南大光电、容大感光)已在KrF/ArF胶实现批量供货,但EUV胶仍被日本JSR、美国陶氏、德国默克垄断,需突破树脂合成、PAG纯度等瓶颈。
环保与节能:
◦ 开发水基显影正性胶(减少有机溶剂使用),或低烘烤温度胶(降低半导体制造能耗)。
典型产品示例
• 传统正性胶:Shipley S1813(G/I线,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩阵)。
• DUV正性胶:信越化学的ArF胶(用于14nm FinFET制程)、中芯国际认证的国产KrF胶(28nm节点)。
• EUV正性胶:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。
正性光刻胶是推动半导体微缩的主要材料,其技术进步直接关联芯片制程的突破,未来将持续向更高精度、更低缺陷、更绿色工艺演进。
正性光刻胶的工艺和应用场景。
感光机制
◦ 重氮型(双液型):需混合光敏剂(如二叠氮二苯乙烯二磺酸钠),曝光后通过交联反应固化,适用于精细图案(如PCB电路线宽≤0.15mm)。
◦ SBQ型(单液型):预混光敏剂,无需调配,感光度高(曝光时间缩短30%),适合快速制版(如服装印花)。
◦ 环保型:采用无铬配方(如CN10243143A),通过多元固化体系(热固化+光固化)实现12-15mJ/cm²快速曝光,分辨率达2μm,符合欧盟REACH标准。
功能细分
◦ 耐溶剂型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶剂,适用于电子油墨印刷。
◦ 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性强,适合纺织品水性浆料。
◦ 厚版型:如德国Köppen厚版胶,单次涂布可达50μm,用于立体印刷。
典型应用场景:
• PCB制造:使用360目尼龙网+重氮感光胶,配合LED曝光(405nm波长),实现0.15mm线宽,耐酸性蚀刻液。
• 纺织印花:圆网制版采用9806A型感光胶,涂布厚度20μm,耐碱性染料色浆,耐印率超10万次。
• 包装印刷:柔版制版选用杜邦赛丽® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+无溶剂工艺,碳排放降低40%。
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国产替代进程加速
日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后,国内企业加速验证本土产品。鼎龙股份潜江工厂的KrF/ArF产线2024年12月获两家大厂百万大单,二期300吨生产线在建。武汉太紫微的T150A光刻胶性能参数接近日本UV1610,已通过中芯国际14nm工艺验证。预计到2025年,国内KrF/ArF光刻胶国产化率将从不足5%提升至10%。
原材料国产化突破
光刻胶树脂占成本50%-60%,八亿时空的光刻胶树脂产线预计2025年实现百吨级量产,其产品纯度达到99.999%,金属杂质含量低于1ppb。怡达股份作为全球电子级PM溶剂前段(市占率超40%),与南大光电合作开发配套溶剂,打破了日本关东化学的垄断。这些进展使光刻胶生产成本降低约20%。
供应链风险缓解
合肥海关通过“空中专线”保障光刻胶运输,将进口周期从28天缩短至17天,碳排放减少18%。国内在建12座光刻胶工厂(占全球总数58%),预计2025年产能达3000吨/年,较2023年增长150%。
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