在半导体芯片的失效分析和可靠性研究中,温度分布往往是**关键的参考参数之一。由于芯片结构高度集成,任何局部的异常发热都可能导致电性能下降,甚至出现器件击穿等严重问题。传统的接触式测温方法无法满足高分辨...
Thermal EMMI 在第三代半导体器件检测中发挥着关键作用。第三代半导体以氮化镓、碳化硅等材料,具有耐高温、耐高压、高频的特性,广泛应用于新能源汽车、5G 通信等领域。但这类器件在制造和工作过程...
当电子器件出现失效时,如何快速、准确地定位问题成为工程师**为关注的任务。传统电学测试手段只能给出整体异常信息,却难以明确指出具体的故障位置。热红外显微镜通过捕捉器件在异常工作状态下的局部发热信号,能...
在微电子、半导体以及材料研究等高精度领域,温度始终是影响器件性能与寿命的重要因素。随着芯片工艺向高密度和高功率方向发展,器件内部的热行为愈发复杂。传统的热测试方法由于依赖接触探测,往往在空间分辨率、灵...
RTTLITP20热红外显微镜通过多元化的光学物镜配置,构建起从宏观到纳米级的全尺度热分析能力,灵活适配多样化的检测需求。Micro广角镜头可快速覆盖整块电路板、大型模组等大尺寸样品,直观呈现整体热分...
在半导体失效分析实验室中,工程师们常常面临令人头疼的难题:一块价值百万的芯片突然“歇工”,却迟迟找不到故障根源。传统检测手段轮番上阵——电性测试无从下手,物理开盖又可能破坏关键痕迹,整个分析仿佛陷入迷...
锁相红外热成像系统仪器搭载的高分辨率红外焦平面阵列(IRFPA),是实现目标热分布可视化的部件,其性能直接决定了热图像的清晰度与测温精度。目前主流系统采用的红外焦平面阵列分辨率可达 640×512 或...
苏州致晟光电科技有限公司自主研发的 RTTLIT 系统以高精度ADC(模数转换)芯片检测为例,其内部电路对电激励变化高度敏感,即便0.1%的电流波动,也可能造成局部温度异常,影响缺陷定位和分析结果。通...
锁相红外技术在半导体失效分析中用途***,尤其在检测短路、漏电、接触不良以及材料内部裂纹方面表现突出。对于多层封装或 BGA 封装芯片,LIT 可以穿透一定厚度的封装材料,通过调制频率的调整,选择性地...
在芯片研发与生产过程中,失效分析(FailureAnalysis,FA)是一项必不可少的环节。从实验室样品验证到客户现场应用,每一次失效背后,都隐藏着值得警惕的机理与经验。致晟光电在长期的失效分析工作...
对于3D封装产品,传统的失效点定位往往需要采用逐层去层的方法,一层一层地进行异常排查与确认,不仅耗时长、人工成本高,还存在对样品造成不可逆损伤的风险。借助Thermal EMMI设备,可通过检测失效点...