针对晶圆键合过程中的气泡缺陷问题，科研团队开展了系统研究，分析气泡产生的原因与分布规律。通过高速摄像技术观察键合过程中气泡的形成与...

研究所利用人才团队的技术优势，在电子束曝光的反演光刻技术上取得进展。反演光刻通过计算机模拟优化曝光图形，可补偿工艺过程中的图形畸变...

电子束曝光推动基因测序进入单分子时代，在氮化硅膜制造原子级精孔。量子隧穿电流检测实现DNA碱基直接识别，测序精度99.999%。快...

晶圆键合解决聚变堆包层材料在线监测难题。钨/碳化硅复合材料中集成光纤传感阵列，耐辐照键合层在1400K下光损耗＜0.1dB/m。E...

科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异，团队针对第三代半导体材料的...