广东省科学院半导体研究所
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将被刻蚀固体材料转化为液体化合物。选择性非常高,是因为所使用的腐蚀液可以非常精确地腐蚀特定薄膜。对...
光刻胶原料是光刻胶产业的重要环节,原料的品质也决定了光刻胶产品品质。光刻胶上游原材料是指光刻胶化学品一级原料,可以细分为感光剂、溶...
从对准信号上分,主要包括标记的显微图像对准、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。对准法则是光刻只是把掩膜版上的Y轴与晶园上的平边...
显影速度:显影速率主要取决于使用的光刻胶和反转烘烤步骤的时间和温度。反转烘烤的温度越高、时间越长,光引发剂的热分解率就越高。在常规...
通过光刻技术制作出的微纳结构需进一步通过刻蚀或者镀膜,才可获得所需的结构或元件。刻蚀技术,是按照掩模图形对衬底表面或表面覆盖薄膜进...