深硅刻蚀通是MEMS器件中重要的一环,其中使用较广的是Bosch工艺,Bosch工艺的基本原理是在刻蚀腔体内循环通入SF6和C4F8气体,SF6在工艺中作为刻蚀气体,C4F8作为保护气体,C4F8在腔...
干法刻蚀设备根据不同的等离子体激发方式和刻蚀机理,可以分为以下几种工艺类型:一是反应离子刻蚀(RIE),该类型是指利用射频(RF)电源产生平行于电极平面的电场,从而激发出具有较高能量和方向性的离子束,...
曝光后烘烤是化学放大胶工艺中很关键,也是反应机理很复杂的一道工序。后烘过程中,化学放大胶内存在多种反应机制,情况复杂并相互影响。例如各反应基团的扩散,蒸发将导致抗蚀刑的组成分布梯度变化:基质树脂中的去...
随着半导体工艺的不断进步,光刻机的光源类型也在不断发展。从传统的汞灯到现代的激光器、等离子体光源和极紫外光源,每种光源都有其独特的优点和适用场景。汞灯作为传统的光刻机光源,具有成本低、易于获取和使用等...
掩膜对准光刻及步进投影式光刻机中常用汞灯作为曝光光源,其发射光谱包括g-(波长435nm)、h-(波长405nm)和i-线(波长365nm)。一个配有350wHg灯的6英寸掩模对准器通常能获得大约光输...
电子束蒸发是目前真空镀膜技术中一种成熟且主要的镀膜方法,它解决了电阻加热方式中钨舟材料与蒸镀源材料直接接触容易互混的问题。同时在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚,实现同时或分别蒸发,沉积多种不同的物...
真空系统:真空系统是深硅刻蚀设备中用于维持低压工作环境的系统,它由一个真空泵、一个真空计、一个阀门等组成。真空系统可以将反应室内的压力降低到所需的工作压力,一般在0.1-10托尔之间。真空系统还可以将...
从对准信号上分,主要包括标记的显微图像对准、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。对准法则是光刻只是把掩膜版上的Y轴与晶园上的平边成90º,如图所示。接下来的掩膜版都用对准标记与上一层带有图形的掩膜对...
功能密度是指单位体积内包含的功能单位的数量。从系统级封装(SiP)到先进封装,鲜明的特点就是系统功能密度的提升。通过先进封装技术,可以将不同制程需求的芯粒分别制造,然后把制程代际和功能不同的芯粒像积木...
半导体行业的废水中含有大量有机物和金属离子,需要进行适当的废水处理。常见的废水处理技术包括生物处理、化学沉淀、离子交换和膜分离等。这些技术可以有效去除废水中的污染物,使其达到排放标准。此外,通过循环利...
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