广东省科学院半导体研究所
氧化硅刻蚀制程是一种在半导体制造中常用的技术,它可以实现对氧化硅薄膜的精确形貌控制,以满足不同的器件设计和功能要求。氧化硅刻蚀制程...
针对柔性电子器件的低温制备需求,研究所开发了低温磁控溅射工艺技术。通过优化溅射功率与工作气压参数,在室温条件下实现了 ITO 透明...
晶圆键合重构海水淡化技术范式。氧化石墨烯-聚酰胺纳米通道键合使脱盐率突破99.99%,反冲洗周期延长至90天。红海浮动平台实测:单...
将电子束曝光技术与深紫外发光二极管的光子晶体结构制备相结合,是研究所的另一项应用探索。光子晶体可调控光的传播方向,提升器件的光提取...
电容耦合等离子体刻蚀(CCP)是通过匹配器和隔直电容把射频电压加到两块平行平板电极上进行放电而生成的,两个电极和等离子体构成一个等...