深圳双靶磁控溅射设备

中频磁控溅射镀膜技术已逐渐成为溅射镀膜的主流技术。它优于直流磁控溅射镀膜，因为它克服了阳极的消失并削减或消除了靶材的异常电弧放电。直流磁控溅射适用镀膜设备，适用于笔记本电脑，手机外壳，电话，无线通信，视听电子，遥控器，导航和医疗工具等，全自动控制，配备大功率磁控管电源，双靶替换运用，恒定流输出。独特的工件架设计合理，自传性强，产量大，成品率高。膜层的厚度能够通过石英晶体厚度计测量，并且能够镀覆准确的膜厚度。这两种类型的磁控溅射镀膜机在市场上被普遍运用。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。深圳双靶磁控溅射设备

磁控溅射技术是近年来新兴的一种材料表面镀膜技术,该技术实现了金属、绝缘体等多种材料的表面镀膜,具有高速、低温、低损伤的特点.利用磁控溅射技术进行超细粉体的表面镀膜处理,不但能有效提高超细粉体的分散性,大幅度提高镀层与粉体之间的结合力,还能赋予超细粉体的新的特异性能。在各种溅射镀膜技术中，磁控溅射技术是较重要的技术之一，为了制备大面积均匀且批量一致好的薄膜，釆用优化靶基距、改变基片运动方式、实行膜厚监控等措施。多工位磁控溅射镀膜仪器由于其速度比可调以及同时制作多个基片，效率大幅度提高，被越来越多的重视和使用。黑龙江脉冲磁控溅射步骤使用钻头的人射频磁控溅射过程的第一步是将基片材料置于真空中真空室。

高速率磁控溅射的一个固有的性质是产生大量的溅射粒子而获得高的薄膜沉积速率。高的沉积速率意味着高的粒子流飞向基片，导致沉积过程中大量粒子的能量被转移到生长薄膜上，引起沉积温度明显增加。由于溅射离子的能量大约70%需要从阴极冷却水中带走，薄膜的较大溅射速率将受到溅射靶冷却的限制。冷却不但靠足够的冷却水循环，还要求良好的靶材导热率及较薄膜的靶厚度。同时高速率磁控溅射中典型的靶材利用率只有20%～30%，因而提高靶材利用率也是有待于解决的一个问题。

物相沉积的基本特点：物相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术普遍应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。随着高科技及新兴工业发展，物相沉积技术出现了不少新的先进的亮点，如多弧离子镀与磁控溅射兼容技术，大型矩形长弧靶和溅射靶，非平衡磁控溅射靶，孪生靶技术，带状泡沫多弧沉积卷绕镀层技术，条状纤维织物卷绕镀层技术等，使用的镀层成套设备，向计算机全自动，大型化工业规模方向发展。磁控溅射在技术上可以分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。

真空磁控溅射技术：真空磁控溅射技术是指一种利用阴极表面配合的磁场形成电子陷阱，使在E×B的作用下电子紧贴阴极表面飘移。设置一个与靶面电场正交的磁场，溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。这种技术是玻璃膜技术中的较较好技术，是由航天工业、兵器工业、和核工业三个方面相结合的较好技术的民用化，民用主要是通过这种技术达到节能、环保等作用。磁控直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极。深圳多层磁控溅射流程

真空磁控溅射涂层技术与真空蒸发涂层技术相比有许多优点。深圳双靶磁控溅射设备

为了解决阴极溅射的缺陷，人们在20世纪70年代的时候开发出了直流磁控溅射技术，它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点，因而获得了迅速发展和普遍应用。其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜，而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生明显的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，一般只为20%-30%。深圳双靶磁控溅射设备

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