磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不只很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下较终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。磁控溅射的技术特点是要在阴极靶面附件产生与电场方向垂直的磁场,一般采用永久磁铁实现。北京高温磁控溅射技术
随着工业的需求和表面技术的发展,新型磁控溅射如高速溅射、自溅射等成为磁控溅射领域新的发展趋势。高速溅射能够得到大约几个μm/min的高速率沉积,可以缩短溅射镀膜的时间,提高工业生产的效率;有可能替代对环境有污染的电镀工艺。当溅射率非常高,以至于在完全没有惰性气体的情况下也能维持放电,即是只用离化的被溅射材料的蒸汽来维持放电,这种磁控溅射被称为自溅射。被溅射材料的离子化以及减少甚至取消惰性气体,会明显地影响薄膜形成的机制,加强沉积薄膜过程中合金化和化合物形成中的化学反应。由此可能制备出新的薄膜材料,发展新的溅射技术,例如在深孔底部自溅射沉积薄膜。北京共溅射磁控溅射优点双室磁控溅射沉积系统是带有进样室的高真空多功能磁控溅射镀膜设备。
影响磁控溅射镀膜结果的因素:1、溅射功率的影响,在基体和涂层材料确定的情况下,工艺参数的选择对于涂层生长速率和涂层质量都有很大的影响.其中溅射功率的设定对这两方面都有极大的影响.2、气压的影响,磁控溅射是在低气压下进行高速溅射,为此需要提高气体的离化率,使气体形成等离子体.在保证溅射功率固定的情况下,分析气压对于磁控溅射的影响。磁控溅射镀膜的产品优点:1、几乎所有材料都可以通过磁控溅射沉积,而不论其熔化温度如何;2、可以根据基材和涂层的要求缩放光源并将其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉积合金和化合物的薄膜,同时保持与原始材料相似的组成。
相较于蒸发镀膜,真空磁控溅射镀膜的膜更均匀,那么真空蒸发镀膜所镀出来的膜厚度在中心位置一般会薄一点。因此,由于我们无法控制真空蒸发镀膜的膜层的厚度,而真空磁控溅射镀膜的过程中可通过控制时间长短来控制镀层厚度,所以蒸镀真空镀膜不适应企业大规模的生产。反之,溅射镀膜在这方面就比较有优势了。那么相对于蒸发镀膜来说,真空磁控溅射镀膜除了膜厚均匀与可控灵活的优势之外,还有这些特点:磁控溅射镀的膜层的纯度高,因此致密性好;膜层物料灵活,薄膜可以由大多数材料构成,包括常见的合金、化合物之类的;溅射镀膜的沉积速率较低,整体设备相对复杂一些;真空溅射薄膜与作用基底之间的粘合、附着力很好。磁控溅射的优点:膜的牢固性好。
磁控溅射设备在光学范畴:IF关闭场非平衡磁控溅射技术也已应用于光学薄膜(例如抗反射涂层),低辐射率玻璃和通明导电玻璃中。特别地,通明导电玻璃现在普遍地用于平板显示设备,太阳能电池,微波和射频屏蔽设备和设备以及传感器中。在机械加工工业中,自引入以来,外表功用膜,超硬膜和自润滑膜的外表沉积技术得到了大的发展,可以有效进步外表硬度,复合韧性,耐磨性和高韧性。温度化学稳定性。性能,从而大幅度进步了涂层产品的使用寿命。除了已普遍使用的上述范畴外,磁控溅射镀膜仪还在高温超导薄膜,铁电薄膜,巨磁阻薄膜,薄膜发光材料,太阳能电池和记忆合金薄膜。磁控溅射镀膜的适用范围:高级产品零/部件表面的装饰镀中的应用。广州高温磁控溅射过程
磁控溅射就是提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。北京高温磁控溅射技术
磁控溅射就是在外加电场的两极之间引入一个磁场。这个磁场使得电子受到洛伦兹力的束缚作用,其运动路线受到控制,因此大幅度增加了电子与Ar分子(原子)碰撞的几率,提高了气体分子的电离程度,从而使溅射效率得到很大的提升。溅射现象自发现以来己被普遍应用在多种薄膜的制备中,如制备金属、半导体、合金、氧化物以及化合物半导体等。磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。磁控溅射在技术上可以分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。北京高温磁控溅射技术
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