低温热锁相红外热成像系统选购指南

在电子产业中，电激励与锁相热成像系统的结合为电子元件检测带来了前所未有的高效解决方案。电激励的原理是向电子元件施加特定频率的周期性电流，利用电流通过导体时产生的焦耳效应，使元件内部产生均匀且可控的热量。当元件存在短路、虚焊、内部裂纹等缺陷时，缺陷区域的热传导特性会与正常区域产生明显差异，进而导致温度分布出现异常。锁相热成像系统凭借其高灵敏度的红外探测能力和先进的锁相处理技术，能够捕捉这些细微的温度变化，即使是微米级的缺陷也能被清晰识别。与传统的探针检测或破坏性检测方法相比，这种非接触式的检测方式无需拆解元件，从根本上避免了对元件的损伤，同时还能实现大批量元件的快速检测。例如，在手机芯片的批量质检中，该系统可在几分钟内完成数百片芯片的检测，提升了电子产业质检环节的效率和产品的可靠性。锁相热成像系统缩短电激励检测的响应时间。低温热锁相红外热成像系统选购指南

致晟光电的一体化检测设备，不仅是技术的集成，更是对半导体失效分析逻辑的重构。它让 “微观观测” 与 “微弱信号检测” 不再是选择题，而是能同时实现的标准配置。在国产替代加速推进的背景下，这类自主研发的失效分析检测设备，正逐步打破国外品牌在半导体检测领域的技术垄断，为我国半导体产业的高质量发展提供坚实的设备支撑。未来随着第三代半导体、Micro LED 等新兴领域的崛起，对失效分析的要求将进一步提升，而致晟光电的技术探索，无疑为行业提供了可借鉴的创新路径。实时瞬态锁相分析系统锁相红外热成像系统图像分析锁相热成像系统的同步控制模块需与电激励源保持高度协同，极小的同步误差都可能导致检测图像出现相位偏移。

这款一体化设备的核心竞争力，在于打破了两种技术的应用边界。热红外显微镜擅长微观尺度的热分布成像，能通过高倍率光学系统捕捉芯片表面微米级的温度差异；锁相红外热成像系统则依托锁相技术，可从环境噪声中提取微弱的周期性热信号，实现纳米级缺陷的精细定位。致晟光电通过硬件集成与算法优化，让两者形成 “1+1＞2” 的协同效应 —— 既保留热红外显微镜的微观观测能力，又赋予其锁相技术的微弱信号检测优势，无需在两种设备间切换即可完成从宏观扫描到微观定位的全流程分析。

热红外显微镜是半导体失效分析与缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通过捕捉故障点产生的异常热辐射，实现精细定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表现为局部功耗异常，导致微区温度升高。显微热分布测试系统结合热点锁定技术，能够高效识别这些区域。热点锁定是一种动态红外热成像方法，通过调节电压提升分辨率与灵敏度，并借助算法优化信噪比。在集成电路（IC）分析中，该技术广泛应用于定位短路、ESD损伤、缺陷晶体管、二极管失效及闩锁问题等关键故障。电激励强度可控，保障锁相热成像系统检测安全。

锁相频率越高，得到的空间分辨率则越高。然而，对于锁相红外热成像系统来说，较高的频率往往会降低待检测的热发射。这是许多 LIT系统的限制。RTTLIT系统通过提供一个独特的系统架构克服了这一限制，在该架构中，可以在"无限"的时间内累积更高频率的 LIT 数据。数据采集持续延长，数据分辨率提高。系统采集数据的时间越长，灵敏度越高。当试图以极低的功率级采集数据或必须从弱故障模式中采集数据时，锁相红外热成像RTTLIT系统的这一特点尤其有价值。锁相热成像系统放大电激励下的微小温度差异。低温热锁相红外热成像系统选购指南

电激励与锁相热成像系统，电子检测黄金组合。低温热锁相红外热成像系统选购指南

电激励参数的实时监控对于锁相热成像系统在电子产业检测中的准确性至关重要，是保障检测结果可靠性的关键环节。在电子元件检测过程中，电激励的电流大小、频率稳定性等参数可能会受到电网波动、环境温度变化等因素的影响而发生微小波动，这些波动看似细微，却可能对检测结果产生干扰，尤其是对于高精度电子元件的检测。通过实时监控系统对电激励参数进行持续监测，并将监测数据实时反馈给控制系统，可及时调整激励源的输出，确保电流、频率等参数始终稳定在预设范围内。例如，在检测高精度 ADC（模数转换）芯片时，其内部电路对电激励的变化极为敏感，即使是 0.1% 的电流波动，也可能导致芯片内部温度分布出现异常，干扰对真实缺陷的判断。而实时监控系统能将参数波动控制在 0.01% 以内，有效保障了检测的准确性，为电子元件的质量检测提供了稳定可靠的技术环境。低温热锁相红外热成像系统选购指南