厂家锁相红外热成像系统P20

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。高灵敏度红外相机（ mK 级），需满足高帧率（至少为激励频率的 2 倍，遵循采样定理）以捕捉周期性温度变化。厂家锁相红外热成像系统P20

在半导体行业飞速发展的现在，芯片集成度不断提升，器件结构日益复杂，失效分析的难度也随之大幅增加。传统检测设备往往难以兼顾微观观测与微弱信号捕捉，导致许多隐性缺陷成为 “漏网之鱼”。苏州致晟光电科技有限公司凭借自主研发实力，将热红外显微镜与锁相红外热成像系统创造性地集成一体，推出 Thermal EMMI P 热红外显微镜系列检测设备（搭载自主研发的 RTTLIT （实时瞬态锁相红外系统），为半导体的失效分析提供了全新的技术范式。

长波锁相红外热成像系统设备锁相热成像系统让电激励下的缺陷无所遁形。

这款一体化设备的核心竞争力，在于打破了两种技术的应用边界。热红外显微镜擅长微观尺度的热分布成像，能通过高倍率光学系统捕捉芯片表面微米级的温度差异；锁相红外热成像系统则依托锁相技术，可从环境噪声中提取微弱的周期性热信号，实现纳米级缺陷的精细定位。致晟光电通过硬件集成与算法优化，让两者形成 “1+1＞2” 的协同效应 —— 既保留热红外显微镜的微观观测能力，又赋予其锁相技术的微弱信号检测优势，无需在两种设备间切换即可完成从宏观扫描到微观定位的全流程分析。

在电子行业，锁相热成像系统为芯片检测带来了巨大的变革。芯片结构精密复杂，传统的检测方法不仅效率低下，还可能对芯片造成损伤。而锁相热成像系统通过对芯片施加周期性的电激励，使芯片内部因故障产生的微小温度变化得以显现，系统能够敏锐捕捉到这些变化，进而定位电路中的短路、虚焊等故障点。其非接触式的检测方式，从根本上避免了对精密电子元件的损伤，同时提升了芯片质检的效率与准确性。在芯片生产的大规模质检中，它能够快速筛选出不合格产品，为电子行业的高质量发展提供了有力支持。锁相热红外电激励成像主动加热，适用于定量和深层缺陷检测，被动式检测物体自身温度变化，用于定性检测。

在电子产业中，电激励与锁相热成像系统的结合为电子元件检测带来了前所未有的高效解决方案。电激励的原理是向电子元件施加特定频率的周期性电流，利用电流通过导体时产生的焦耳效应，使元件内部产生均匀且可控的热量。当元件存在短路、虚焊、内部裂纹等缺陷时，缺陷区域的热传导特性会与正常区域产生明显差异，进而导致温度分布出现异常。锁相热成像系统凭借其高灵敏度的红外探测能力和先进的锁相处理技术，能够捕捉这些细微的温度变化，即使是微米级的缺陷也能被清晰识别。与传统的探针检测或破坏性检测方法相比，这种非接触式的检测方式无需拆解元件，从根本上避免了对元件的损伤，同时还能实现大批量元件的快速检测。例如，在手机芯片的批量质检中，该系统可在几分钟内完成数百片芯片的检测，提升了电子产业质检环节的效率和产品的可靠性。电激励配合锁相热成像系统，检测精密电子元件缺陷。工业检测锁相红外热成像系统规格尺寸

锁相热成像系统借电激励，捕捉细微温度变化辨故障。厂家锁相红外热成像系统P20

RTTLIT 系统采用了先进的锁相热成像（Lock-In Thermography）技术，这是一种通过调制电信号来大幅提升特征分辨率与检测灵敏度的创新方法。在传统的热成像检测中，由于背景噪声和热扩散等因素的影响，往往难以精确检测到微小的热异常。而锁相热成像技术通过对目标物体施加特定频率的电激励，使目标物体产生与激励频率相同的热响应，然后通过锁相放大器对热响应信号进行解调，只提取与激励频率相关的热信号，从而有效地抑制了背景噪声，极大地提高了检测的灵敏度和分辨率。 厂家锁相红外热成像系统P20