无损检测锁相红外热成像系统用户体验

光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）技术常被集成于同一检测系统，合称为光发射显微镜（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理与应用上形成巧妙互补，能够协同应对集成电路中绝大多数失效模式，大幅提升失效分析的全面性与效率。OBIRCH技术的独特优势在于，即便失效点被金属层覆盖形成“热点”，其仍能通过光束照射引发的电阻变化特性实现精细检测——这恰好弥补了EMMI在金属遮挡区域光信号捕捉受限的不足。快速定位相比其他检测技术，锁相热成像技术能够在短时间内快速定位热点，缩短失效分析时间。无损检测锁相红外热成像系统用户体验

先进的封装应用、复杂的互连方案和更高性能的功率器件的快速增长给故障定位和分析带来了前所未有的挑战。有缺陷或性能不佳的半导体器件通常表现出局部功率损耗的异常分布，导致局部温度升高。RTTLIT系统利用锁相红外热成像进行半导体器件故障定位，可以准确有效地定位这些目标区域。LIT是一种动态红外热成像形式，与稳态热成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的灵敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半导体失效分析中用于定位线路短路、ESD缺陷、氧化损坏、缺陷晶体管和二极管以及器件闩锁。LIT可在自然环境中进行，无需光屏蔽箱。检测用锁相红外热成像系统规格尺寸在无损检测领域，电激励与锁相热成像系统的结合，为金属构件疲劳裂纹的早期发现提供了有效手段。

RTTLIT 系统采用了先进的锁相热成像（Lock-In Thermography）技术，这是一种通过调制电信号来大幅提升特征分辨率与检测灵敏度的创新方法。在传统的热成像检测中，由于背景噪声和热扩散等因素的影响，往往难以精确检测到微小的热异常。而锁相热成像技术通过对目标物体施加特定频率的电激励，使目标物体产生与激励频率相同的热响应，然后通过锁相放大器对热响应信号进行解调，只提取与激励频率相关的热信号，从而有效地抑制了背景噪声，极大地提高了检测的灵敏度和分辨率。

电子产业的电路板老化检测中，电激励的锁相热成像系统效果优异，为电子设备的维护和更换提供了科学依据，有效延长了设备的使用寿命。电路板在长期使用过程中，会因元件老化、线路氧化、灰尘积累等原因，导致性能下降，可能出现隐性缺陷，如电阻值漂移、电容漏电、线路接触不良等。这些隐性缺陷在设备正常工作时可能不会立即显现，但在负载变化或环境温度波动时，可能会导致设备故障。通过对老化的电路板施加适当的电激励，模拟设备的工作状态，老化缺陷处会因性能参数的变化而产生与正常区域不同的温度变化。锁相热成像系统能够检测到这些温度变化，并通过分析温度场的分布特征，评估电路板的老化程度和潜在故障风险。例如，在检测工业控制设备的电路板时，系统可以发现老化电容周围的温度明显高于正常区域，提示需要及时更换电容，避免设备在运行过程中突然故障。电激励为锁相热成像系统提供稳定的热激励源。

致晟光电推出的多功能显微系统，创新实现热红外与微光显微镜的集成设计，搭配灵活可选的制冷/非制冷模式，可根据您的实际需求定制专属配置方案。这套设备的优势在于一体化集成能力：只需一套系统，即可同时搭载可见光显微镜、热红外显微镜及InGaAs微光显微镜三大功能模块。这种设计省去了多设备切换的繁琐，更通过硬件协同优化提升了整体性能，让您在同一平台上轻松完成多波段观测任务。相比单独购置多套设备，该集成系统能大幅降低采购与维护成本，在保证检测精度的同时，为实验室节省空间与预算，真正实现性能与性价比的双重提升。电激励为锁相热成像系统提供稳定热信号源。IC锁相红外热成像系统emmi

非接触式检测在不破坏样品的情况下实现成像，适用于各种封装状态的样品，包括未开封的芯片和PCBA。无损检测锁相红外热成像系统用户体验

锁相热成像系统凭借电激励在电子产业的芯片封装检测中表现出的性能，成为芯片制造过程中不可或缺的质量控制手段。芯片封装是保护芯片、实现电气连接的关键环节，在封装过程中，可能会出现焊球空洞、引线键合不良、封装体开裂等多种缺陷。这些缺陷会严重影响芯片的散热性能和电气连接可靠性，导致芯片在工作过程中因过热而失效。通过对芯片施加特定的电激励，使芯片内部产生热量，缺陷处由于热传导受阻，会形成局部高温区域。锁相热成像系统能够实时捕捉芯片表面的温度场分布，并通过分析温度场的相位和振幅变化，生成清晰的缺陷图像，精确显示出缺陷的位置、大小和形态。例如，在检测 BGA 封装芯片时，系统能准确识别出焊球中的空洞，即使空洞体积占焊球体积的 5%，也能被定位。这一技术的应用，帮助芯片制造企业及时发现封装过程中的问题，有效降低了产品的不良率，提升了芯片产品的质量。无损检测锁相红外热成像系统用户体验