无锡推荐功率器件MOS产品选型参数选型

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。

80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性，又具有双极型功率晶体管的电流传导性能，它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。静电感应晶闸管保存了晶闸管导通压降低的优点，结构上避免了一般晶闸管在门极触发时必须在门极周围先导通然后逐步横向扩展的过程，所以比一般晶闸管有更高的开关速度，而且容许的结温升也比普通晶闸管高。这些新器件，在更高的频率范围内满足了电力电子技术的要求。

功率集成电路其制造工艺既概括了***代功率电子器件向大电流、高电压发展过程中所积累起来的各种经验，又综合了大规模集成电路的工艺特点。这种器件很大程度地缩小了器件及其控制电路的体积，能够有效地减少当器件处于高频工作状态时寄生参数的影响，对提高电路工作频率和抑制外界干扰十分重要。 由于MOSFET是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此其驱动功率很小，对驱动电路要求较低.无锡推荐功率器件MOS产品选型参数选型

无锡商甲半导体有限公司有下列封装产品

TO-220与TO-220FTO-220与TO-220F这两种封装的MOS管在外观上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配备了散热片，因此其散热效果相较于TO-220F更为出色。同时，由于成本因素，TO-220的价格也相对较高。这两种封装的产品都适用于中压大电流场合，其电流范围在120A以下，同时也可用于高压大电流场合，但电流需控制在20A以内。

TO-251封装TO-251封装的产品旨在降低生产成本并减小产品尺寸，特别适用于中压大电流环境，电流范围控制在60A以下，同时也可用于高压环境，但需确保电流在7N以下。 绍兴12V至300V N MOSFET功率器件MOS产品选型工艺SOT是一种贴片型小功率晶体管封装，这种封装以小巧体积和良好可焊性见称，广泛应用于低功率场效应管中。

无锡商甲半导体MOS 管封装形式及散热性能分析

TO-220 

封装TO-220 封装是一种较为经典且常见的封装形式，具有通用性强、成本低的特点。它通常采用塑料材质，引脚呈直插式，便于焊接和安装。TO-220 封装的 MOS 管带有一个较大的金属散热片，该散热片与 MOS 管的漏极相连，能够将芯片产生的热量传导至外部。在自然对流的情况下，TO-220 封装的 MOS 管散热能力一般，热阻约为 60 - 80℃/W 。但如果配合散热片使用，散热性能可得到***提升，热阻能降低至 10 - 20℃/W，适用于功率在 10 - 50W 左右的**率电路。

无锡商甲半导体有想公司的MOS管封装可按其在PCB板上的安装方式分为两大类：插入式和表面贴装式。插入式封装中，MOSFET的管脚会穿过PCB板的安装孔并与板上的焊点焊接，实现芯片与电路的连接。常见的插入式封装类型包括双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）以及插针网格阵列封装（PGA）等。

插入式封装插入式封装中，MOSFET的管脚通过PCB板的安装孔实现连接，常见的形式包括DIP、TO等。这种封装方式常见于传统设计，与表面贴装式相对。其以可靠性见长，并允许不同的安装方式，但因插入式封装需要在PCB板上钻孔，增加了制造成本。

表面贴装式封装在表面贴装技术中，MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的特定焊盘上，从而实现了芯片与电路的紧密连接。这种封装形式包括D-PAK、SOT等，正成为主流，支持小型化和高散热性能。随着科技的进步，表面贴装式封装以其优势逐渐取代传统的插入式封装。 功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。

功率场效应晶体管及其特性一、 功率场效应晶体管是电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基础上改进而成的，没有V形槽，只形成了很短的导通沟槽。二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号1.极限参数和符号（1） 漏源极间短路时，栅漏极间的耐压VGDS（2） 漏源极间开路时，栅漏极间的耐压VGSO（3） 栅源极在规定的偏压下，漏源极间耐压VDSX（4） 击穿电压BVDS（5） 栅极电流IG（6） 比较大漏电极耗散功率PD（7） 沟道温度TGH，存储温度TSTG2.电气特性参数和符号（1） 栅极漏电电流IGSS（2） 漏极电流IDSS（3） 夹断电压VP（4） 栅源极门槛极电压VGS（th）（5） 导通时的漏极电流ID（on）（6） 输入电容Ciss（7） 反向传输电容Crss（8） 导通时的漏源极间电阻RDS（on）（9） 导通延时时间td（on）（10）上升时间tr（11）截止延时时间td（off）（12）下降时间tf这些参数反映了功率场效应晶体管在开关工作状态下的瞬间响应特性，在功率场效应晶体管用于电机控制等用途时特别有用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。温州常见功率器件MOS产品选型代理品牌

自上世纪80年代起，MOSFET、IGBT和功率集成电路已成为主流应用类型。无锡推荐功率器件MOS产品选型参数选型

无锡商甲半导体提供专业选型

功率MOS管的关键参数

***比较大额定值

***比较大额定值是功率MOS管不应超过的允许限制，即使是一瞬间也不行。这些值包括漏源电压、栅极电压、漏极电流等。了解这些额定值对于确保功率MOS管在正常工作范围内运行至关重要。超过这些值可能会导致器件损坏，降低系统的可靠性。

漏源击穿电压（V(BR)DSS）

漏源击穿电压是漏极和源极之间的击穿电压，决定了器件能够承受的最大电压。选择较高的击穿电压可以提高器件的安全性，但会增加导通电阻。漏源击穿电压的选择需要在安全性和效率之间进行权衡。较高的击穿电压可以提供更高的安全性，但会增加功率损耗。

栅极阈值电压（VGS(TH)）

栅极阈值电压是使功率MOS管开启且漏极电流开始流动时栅极和源极之间的电压。选择合适的阈值电压可以确保器件在不同的工作电压下正常工作。栅极阈值电压的选择直接影响功率MOS管的开关特性。较低的阈值电压可以使器件在低电压下快速开启，但可能会增加噪声和功耗。

漏源导通电阻（RDS(ON)）

漏源导通电阻是漏极电流流动时漏极和源极之间的电阻。低导通电阻可以减小功率损耗，提高效率。漏源导通电阻是影响功率MOS管能效的关键参数。 无锡推荐功率器件MOS产品选型参数选型

无锡商甲半导体有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准。。公司产品齐全，可广泛应用于工控、光伏、储能、家电、照明、5G通信、医疗、汽车等各行业多个领域。

在江苏省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，无锡商甲半导体供应携手大家一起走向共同辉煌的未来！