您好,欢迎访问

商机详情 -

中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好

来源: 发布时间:2025年08月27日

功率MOSFET是70年代末开始应用的新型电力电子器件,适合于数千瓦以下的电力电子装置,能***缩小装置的体积并提高其性能,预期将逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的发展趋势是提高容量,普及应用,与其他器件结合构成复合管,将多个元件制成组件和模块,进而与控制线路集成在一个模块中(这将会更新电力电子线路的概念)。此外,随着频率的进一步提高,将出现能工作在微波领域的大容量功率MOSFET。这些参数反映了功率场效应晶体管在开关工作状态下的瞬间响应特性,在功率场效应晶体管用于电机控制等用途时特别有用。微型化设备则依赖超小封装的SOT-23或QFN。实际设计中还需结合PCB布局、生产工艺和供应链情况综合决策。中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好

中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好,功率器件MOS产品选型

功率MOSFET属于电压型控制器件。它依靠多数载流子工作,因而具有许多优点:能与集成电路直接相连;开关频率可在数兆赫以上(可达100MHz),比双极型功率晶体管(GTR)至少高10倍;导通电阻具有正温度系数,器件不易发生二次击穿,易于并联工作。与GTR相比,功率MOSFET的导通电阻较大,电流密度不易提高,在100kHz以下频率工作时,其功率损耗高于GTR。此外,由于导电沟道很窄(微米级),单元尺寸精细,其制作也较GTR困难。在80年代中期,功率MOSFET的容量还不大(有100A/60V,75A/100V,5A/1000V等几种)。中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好半导体,这一在我们日常生活中不可或缺的器件,其应用多元且功能多样.

中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好,功率器件MOS产品选型

从60年代到70年代初期,以半控型普通晶闸管为**的电力电子器件,主要用于相控电路。这些电路十分***地用在电解、电镀、直流电机传动、发电机励磁等整流装置中,与传统的汞弧整流装置相比,不仅体积小、工作可靠,而且取得了十分明显的节能效果(一般可节电10~40%,从中国的实际看,因风机和泵类负载约占全国用电量的1/3,若采用交流电动机调速传动, 可平均节电20%以上,每年可节电400亿千瓦时),因此电力电子技术的发展也越来越受到人们的重视。70年代中期出现的全控型可关断晶闸管和功率晶体管,开关速度快,控制简单,逆导可关断晶闸管更兼容了可关断晶闸管和快速整流二极管的功能。它们把电力电子技术的应用推进到了以逆变、斩波为中心内容的新领域。这些器件已普遍应用于变频调速、开关电源、静止变频等电力电子装置中。

功率MOSFET的基本特性

静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs

MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。


不同的封装设计和规格尺寸会影响MOS管的电性参数及其在电路中的应用。

中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好,功率器件MOS产品选型

单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的,能通过的电流大小也是一定的。因此,由单个电力电子器件组成的电力电子装置容量受到限制。所以,在实用中多用几个电力电子器件串联或并联形成组件,其耐压和通流的能力可以成倍地提高,从而可极大地增加电力电子装置的容量。器件串联时,希望各元件能承受同样的正、反向电压;并联时则希望各元件能分担同样的电流。但由于器件的个异性,串、并联时,各器件并不能完全均匀地分担电压和电流。所以,在电力电子器件串联时,要采取均压措施;在并联时,要采取均流措施。TO-263(D2PAK) 多引脚表面贴装,扩大散热面积,用于中高压大电流场景(如工业设备)。南通好的功率器件MOS产品选型技术

功率器件属于分立器件,单独封装且功能不可拆分(如IGBT单管);中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好

超结MOS也是为了解决额定电压提高而导通电阻增加的问题,超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构,其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在突破了硅的理论极限,而且额定电压越高,导通电阻的下降越明显。以下图为例,超结在S端和D端增加了长长的柱子,形成垂直的PN结,交替排列。N层和P层在漂移层中设置垂直沟槽,当施加电压时耗尽层水平扩展,很快合并形成与沟槽深度相等的耗尽层。耗尽层扩展至沟槽间距的一半,因此形成厚度等于沟槽深度的耗尽层。耗尽层的膨胀小且良好,允许漂移层杂质浓度增加约5倍,从而可以降低RDS(ON)。中国台湾新型功率器件MOS产品选型哪家公司好