宿迁应用功率器件MOS产品选型

超结MOSFET的应用超结MOSFET在多个领域中得到了广泛应用，尤其是在以下几个方面：

1、开关电源超结MOSFET的低导通电阻和高击穿电压使其非常适合用于开关电源中，能够提高转换效率，减少能量损失。

2、电动汽车（EV）超结MOSFET被广泛应用于电机驱动和电池管理系统中。它们的高效能和优异的热性能能够提升整车的性能和可靠性。

3、光伏逆变器光伏逆变器需要处理高电压和大电流，超结MOSFET的性能优势使其成为这些系统中的理想选择，能够提高能量转换效率，减少热量损耗。

4、工业自动化在工业自动化领域，超结MOSFET被用于各种电机驱动和电源管理应用中。它们的高效能和高可靠性能够确保设备的稳定运行。 汽车电子‌：电动汽车电驱系统、车载充电模块（OBC）、DC-DC转换器；宿迁应用功率器件MOS产品选型

无锡商甲半导体有限公司有下列封装产品

TO-92封装

TO-92封装主要适用于低压MOS管，其电流控制在10A以下，耐压值不超过60V。此外，高压1N60/65也采用了这种封装方式，旨在帮助降低产品成本。

TO-263封装

TO-263封装，作为TO-220封装的衍生品，旨在提升生产效率和散热性能。它能够支持极高的电流和电压，特别适用于中压大电流MOS管，其电流范围在150A以下，电压则超过30V。这种封装方式在电力电子领域有着广泛的应用。TO-252封装

TO-252封装，作为当前主流的封装方式之一，其适用范围***。在高压环境下，它能够承受7N以下的压力；而在中压环境中，其电流容量则限制在70A以下。这种封装方式因其优越的电气性能和稳定性，在多个领域中得到了广泛的应用。

SOP-8封装

SOP-8封装设计旨在降低成本，常用于中压环境下电流容量低于50A，或低压环境下60V左右的MOS管。 徐州功率器件MOS产品选型技术指导TO-263（D2PAK） 多引脚表面贴装，扩大散热面积，用于中高压大电流场景（如工业设备）。

关于选择功率mosfet管的步骤:

1、找出应用的所有参数，例如最大电压、最大电流和工作温度。

2、找出电路的总负载。

3、计算 MOSFET 所需的峰值电流和峰值负载。

4、找出系统的效率。

5、计算有损耗的负载。

6、增加安全系数（视操作温度而定）。

7、检查设备是否将作为双向设备运行。

关于MOSFET管的选型参数，这里只是简单的带过一下，如果想要了解更为详细的参数，欢迎联系我们无锡商甲半导体有限公司，有专业人员为您提供专业选型服务及送样。

功率场效应晶体管及其特性一、 功率场效应晶体管是电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基础上改进而成的，没有V形槽，只形成了很短的导通沟槽。二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号1.极限参数和符号（1） 漏源极间短路时，栅漏极间的耐压VGDS（2） 漏源极间开路时，栅漏极间的耐压VGSO（3） 栅源极在规定的偏压下，漏源极间耐压VDSX（4） 击穿电压BVDS（5） 栅极电流IG（6） 比较大漏电极耗散功率PD（7） 沟道温度TGH，存储温度TSTG2.电气特性参数和符号（1） 栅极漏电电流IGSS（2） 漏极电流IDSS（3） 夹断电压VP（4） 栅源极门槛极电压VGS（th）（5） 导通时的漏极电流ID（on）（6） 输入电容Ciss（7） 反向传输电容Crss（8） 导通时的漏源极间电阻RDS（on）（9） 导通延时时间td（on）（10）上升时间tr（11）截止延时时间td（off）（12）下降时间tf这些参数反映了功率场效应晶体管在开关工作状态下的瞬间响应特性，在功率场效应晶体管用于电机控制等用途时特别有用。功率器件是电力电子领域的重要组件，处理高压大电流，广泛应用于新能源、汽车电子和工业控制。

功率器件的分类定义

一、主要分类‌按器件的结构划分‌‌二极管‌：如整流二极管、快恢复二极管，用于单向导电与电压钳位；‌

晶体管‌：含双极结型晶体管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具开关与控制功能；‌

晶闸管‌：包含可控硅（SCR）、双向晶闸管（TRIAC），适用于大功率交流控制。‌

按功率等级划分‌‌低压小功率‌：如消费电子中的驱动器件；‌中高功率‌：工业变频器、电机控制器；‌高压大功率‌：新能源发电、特高压输电系统。 功率器件几乎用于所有的电子制造业。宿迁应用功率器件MOS产品选型

TO-Leadless（如TOLL） 无引脚封装，减少电迁移，占用空间较D²PAK减少30%（如电动工具）。宿迁应用功率器件MOS产品选型

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：

1.半控型器件，例如晶闸管；

2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；

3.不可控器件，例如电力二极管。

按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：

1.电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；

2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。

根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：

1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；

2.电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。

按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：

1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；

2.单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；

3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。 宿迁应用功率器件MOS产品选型