热红外显微镜按需定制

在半导体 IC 裸芯片研究与检测中，热红外显微镜是一项重要工具。裸芯片结构紧凑、集成度高，即便出现轻微热异常，也可能影响性能甚至导致失效，因此有效的热检测十分必要。热红外显微镜以非接触方式完成热分布成像，能够直观呈现芯片在运行中的温度变化。通过对局部热点的识别，可发现电路设计缺陷、电流集中或器件老化等问题，帮助工程师在早期阶段进行调整与优化。此外，该设备还能测量半导体结点的结温，结温水平直接关系到器件的稳定性与寿命。依托较高分辨率的成像能力，热红外显微镜既能提供结温的准确数据，也为散热方案的制定和芯片性能提升提供了可靠依据。热红外显微镜范围：温度测量范围广，可覆盖 - 200℃至 1500℃，适配低温超导材料到高温金属样品的检测。热红外显微镜按需定制

在失效分析中，Thermal EMMI 并不是孤立使用的工具，而是与电性测试、扫描声学显微镜（CSAM）、X-ray、FIB 等技术形成互补。通常，工程师会先通过电性测试确认失效模式，再用 Thermal EMMI 在通电条件下定位热点区域。锁定区域后，可使用 FIB 进行局部开窗或切片，进一步验证缺陷形貌。这种“先定位、再剖片”的策略，不仅提高了分析效率，也降低了因盲剖带来的风险。Thermal EMMI 在这一配合体系中的价值，正是用**快速、比较低损的方法缩小分析范围，让后续的精细分析事半功倍。厂家热红外显微镜与光学显微镜对比制冷型探测器（如斯特林制冷 MCT）可降低噪声，提升对低温样品（-50℃至室温）的探测精度。

随着半导体器件向先进封装（如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成）方向发展，传统失效分析方法在穿透力和分辨率之间往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在这一领域展现出独特优势，它能够透过硅层或封装材料观测内部热点分布，并在不破坏结构的情况下快速锁定缺陷位置。对于 TSV（硅通孔）结构中的漏电、短路或工艺缺陷，Thermal EMMI 结合多波段探测和长时间积分成像，可在微瓦级功耗下识别异常点，极大减少了高价值样品的损坏风险。这一能力让 Thermal EMMI 成为先进封装良率提升的重要保障，也为后续的物理剖片提供精确坐标，从而节省分析时间与成本。

Thermal EMMI 在第三代半导体器件检测中发挥着关键作用。第三代半导体以氮化镓、碳化硅等材料，具有耐高温、耐高压、高频的特性，广泛应用于新能源汽车、5G 通信等领域。但这类器件在制造和工作过程中，容易因材料缺陷或工艺问题产生漏电和局部过热，影响器件可靠性。thermal emmi 凭借其高灵敏度的光信号和热信号检测能力，能定位这些缺陷。例如，在检测氮化镓功率器件时，可同时捕捉漏电产生的微光和局部过热信号，帮助工程师分析缺陷产生的原因，优化器件结构和制造工艺，提升第三代半导体器件的质量。热红外显微镜原理遵循黑体辐射规律，通过对比样品与标准黑体的辐射强度，计算样品实际温度。

Thermal EMMI的制冷技术不断升级，提升了探测器的灵敏度。探测器的噪声水平与其工作温度密切相关，温度越低，噪声越小，检测灵敏度越高。早期的 thermal emmi 多采用液氮制冷，虽能降低温度，但操作繁琐且成本较高。如今，斯特林制冷、脉冲管制冷等新型制冷技术的应用，使探测器可稳定工作在更低温度，且无需频繁添加制冷剂，操作更便捷。例如，采用 深制冷技术的探测器，能有效降低暗电流噪声，大幅提升对微弱光信号和热信号的检测能力，使 thermal emmi 能捕捉到更细微的缺陷信号。失效分析已成为贯穿产业链从研发设计到量产交付全程的 “关键防线”。科研用热红外显微镜批量定制

致晟光电是一家国产失效分析设备制造商，其在、有两项技术：Thermal 热红外显微镜 和 EMMI 微光显微镜。热红外显微镜按需定制

随着新能源汽车和智能汽车的快速发展，汽车电子系统的稳定性和可靠性显得尤为重要。由于车载环境复杂，功率器件、控制芯片和传感器在运行中极易受到温度波动的影响，从而引发性能衰减或失效。热红外显微镜为这一领域提供了先进的检测手段。它能够在不干扰系统运行的情况下，实时监控关键器件的温度分布，快速发现潜在的过热隐患。通过对热红外显微镜成像结果的分析，工程师可以有针对性地优化散热设计和器件布局，确保电子系统在高温、震动等极端条件下仍能稳定工作。这不仅提升了汽车电子的可靠性，也为整车的安全性能提供了保障。可以说，热红外显微镜已经成为推动汽车电子产业升级的重要技术支撑，未来其应用范围还将进一步拓展至智能驾驶和车载功率系统的更多环节。热红外显微镜按需定制