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致晟光电的热红外显微镜（Thermal EMMI）系列 ——RTTLIT P10 实时瞬态锁相热分析系统，搭载非制冷型热红外成像探测器，采用锁相热成像（Lock-In Thermography）技术，通过调制电信号大幅提升特征分辨率与检测灵敏度，具备高灵敏度、高性价比的突出优势。该系统锁相灵敏度可达 0.001℃，显微分辨率可达 5μm，分析速度快且检测精度高，重点应用于电路板失效分析领域，可多用于适配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等产品的维修检测场景。 热红外显微镜助力科研人员研究新型材料的热稳定性与热性能 。IC热红外显微镜联系人

热点区域对应高温部位，可能是发热源或故障点；等温线连接温度相同点，能直观呈现温度梯度与热量传导规律。目前市面上多数设备受红外波长及探测器性能限制，普遍存在热点分散、噪点多的问题，导致发热区域定位不准，图像对比度和清晰度下降，影响温度分布判断的准确性。

而我方设备优势是设备抗干扰能力强，可有效减少外界环境及内部器件噪声影响，保障图像稳定可靠；等温线明显，能清晰展现温度相同区域，便于快速掌握温度梯度与热传导情况，提升热特性分析精度；成像效果大幅提升，具备更高的空间分辨率、温度分辨率及对比度，可清晰呈现细微细节，为分析提供高质量的图像支持。 国内热红外显微镜校准方法热红外显微镜的 AI 智能分析模块，自动标记异常热斑并匹配历史失效数据库。

热红外显微镜（Thermal EMMI) 图像分析是通过探测物体自身发出的红外辐射，将其转化为可视化图像，进而分析物体表面温度分布等信息的技术。其原理是温度高于零度的物体都会向外发射红外光，热红外显微镜通过吸收这些红外光，利用光电转换将其变为温度图像。物体内电荷扰动会产生远场辐射和近场辐射，近场辐射以倏逝波形式存在，强度随远离物体表面急剧衰退，通过扫描探针技术可散射近场倏逝波，从而获取物体近场信息，实现超分辨红外成像。

在失效分析中，零成本简单且常用的三个方法基于“观察-验证-定位”的基本逻辑，无需复杂设备即可快速缩小失效原因范围：

1.外观检查法（VisualInspection）

2.功能复现与对比法（FunctionReproduction&Comparison）

3.导通/通路检查法（ContinuityCheck）

但当失效分析需要进阶到微观热行为、隐性感官缺陷或材料/结构内部异常的层面时，热红外显微镜（Thermal EMMI) 能成为关键工具，与基础方法结合形成更深度的分析逻辑。在进阶失效分析中，热红外显微镜可捕捉微观热分布，锁定电子元件微区过热（如虚焊、短路）、材料内部缺陷（如裂纹、气泡）引发的隐性热异常，结合动态热演化记录，与基础方法协同，从 “不可见” 热信号中定位失效根因。 热红外显微镜借助图像分析技术，直观展示电子设备热分布状况 。

   在产品全寿命周期中，失效分析以解决失效问题、确定根本原因为目标。通过对失效模式开展综合性试验分析，它能定位失效部位，厘清失效机理 —— 无论是材料劣化、结构缺陷还是工艺瑕疵引发的问题，都能被系统拆解。在此基础上，进一步提出针对性纠正措施，从源头阻断失效的重复发生。

作为贯穿产品质量控制全流程的关键环节，失效分析的价值体现在对全链条潜在风险的追溯与排查：在设计（含选型）阶段，可通过模拟失效验证方案合理性；制造环节，能锁定工艺偏差导致的批量隐患；使用过程中，可解析环境因素对性能衰减的影响；质量管理层面，则为标准优化提供数据支撑。 热红外显微镜通过分析热辐射分布，评估芯片散热设计的合理性 。锁相热红外显微镜探测器

热红外显微镜在 SiC/GaN 功率器件检测中，量化评估衬底界面热阻分布。IC热红外显微镜联系人

近年来，非制冷热红外显微镜价格呈下行趋势。在技术进步层面，国内红外焦平面阵列芯片技术不断突破，像元间距缩小、阵列规模扩大，从早期的 17μm、384×288 发展到如今主流的 12μm 像元，1280 ×1 024、1920 × 1080 阵列规模实现量产，如大立科技等企业推动技术升级，提升生产效率，降低单台设备成本。同时，国产化进程加速，多家本土厂商崛起，如我司推出非制冷型锁相红外显微镜，打破进口垄断格局，市场竞争加剧，促使产品价格更加亲民。IC热红外显微镜联系人