红外光谱微光显微镜分析

可探测到亮点的情况

一、由缺陷导致的亮点结漏电（Junction Leakage）接触毛刺（Contact Spiking）热电子效应（Hot Electrons）闩锁效应（Latch-Up）氧化层漏电（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶须（Poly-silicon Filaments）衬底损伤（Substrate Damage）物理损伤（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮点饱和 / 有源状态的双极晶体管（Saturated/Active Bipolar Transistors）饱和状态的 MOS 管 / 动态 CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二极管 / 反向偏置二极管（击穿状态）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。 微光显微镜的快速预热功能，可缩短设备启动至正常工作的时间，提高检测效率。红外光谱微光显微镜分析

漏电是芯片另一种常见的失效模式，其诱因复杂多样，既可能源于晶体管长期工作后的老化衰减，也可能由氧化层存在裂纹等缺陷引发。

与短路类似，芯片内部发生漏电时，漏电路径中会伴随微弱的光发射现象——这种光信号的强度往往远低于短路产生的光辐射，对检测设备的灵敏度提出了极高要求。EMMI凭借其的微光探测能力，能够捕捉到漏电产生的极微弱光信号。通过对芯片进行全域扫描，可将漏电区域以可视化图像的形式清晰呈现，使工程师能直观识别漏电位置与分布特征。

国内微光显微镜大概价格多少在航空航天芯片检测中，它可定位因辐射导致的芯片损伤，为航天器电子设备的稳定运行保驾护航。

相较于传统微光显微镜，InGaAs（铟镓砷）微光显微镜在检测先进制程组件微小尺寸组件的缺陷方面具有更高的适用性。其原因在于，较小尺寸的组件通常需要较低的操作电压，这导致热载子激发的光波长增长。InGaAs微光显微镜特别适合于检测先进制程产品中的亮点和热点（HotSpot）定位。InGaAs微光显微镜与传统EMMI在应用上具有相似性，但InGaAs微光显微镜在以下方面展现出优势：

1.侦测到缺陷所需时间为传统EMMI的1/5~1/10；

2.能够侦测到微弱电流及先进制程中的缺陷；

3.能够侦测到较轻微的MetalBridge缺陷；

4.针对芯片背面（Back-Side）的定位分析中，红外光对硅基板具有较高的穿透率。

需要失效分析检测样品，我们一般会在提前做好前期的失效背景调查和电性能验证工作，能够为整个失效分析过程找准方向、提供依据，从而更高效、准确地找出芯片失效的原因。

1.失效背景调查收集芯片型号、应用场景、失效模式（如短路、漏电、功能异常等）、失效比例、使用环境（温度、湿度、电压）等。确认失效是否可复现，区分设计缺陷、制程问题或应用不当（如过压、ESD）。

2.电性能验证使用自动测试设备（ATE）或探针台（ProbeStation）复现失效，记录关键参数（如I-V曲线、漏电流、阈值电压偏移）。对比良品与失效芯片的电特性差异，缩小失效区域（如特定功能模块）。 微光显微镜可搭配偏振光附件，分析样品的偏振特性，为判断晶体缺陷方向提供独特依据，丰富检测维度。

我司专注于微弱信号处理技术的深度开发与场景化应用，凭借深厚的技术积累，已成功推出多系列失效分析检测设备及智能化解决方案。更懂本土半导体产业的需求，软件界面贴合工程师操作习惯，无需额外适配成本即可快速融入产线流程。

性价比优势直击痛点：相比进口设备，采购成本降低 30% 以上，且本土化售后团队实现 24 小时响应、48 小时现场维护，备件供应周期缩短至 1 周内，彻底摆脱进口设备 “维护慢、成本高” 的困境。用国产微光显微镜，为芯片质量把关，让失效分析更高效、更经济、更可控！ 红外成像可以不破坏芯片封装，尝试定位未开封芯片失效点并区分其在封装还是 Die 内部，利于评估芯片质量。国产微光显微镜图像分析

微光显微镜在 LED 故障分析中作用关键，可检测漏电倒装、短路倒装及漏电垂直 LED 芯片的异常点。红外光谱微光显微镜分析

通过对这些微光信号的成像与定位，它能直接“锁定”电性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉萤火虫的微光，实现微米级的定位。而热红外显微镜则是“温度的解读师”，依托红外热成像技术，它检测的是芯片工作时因能量损耗产生的温度差异。电流通过芯片时的电阻损耗、电路短路时的异常功耗，都会转化为局部温度的细微升高，这些热量以红外辐射的形式散发，被热红外显微镜捕捉并转化为热分布图。通过分析温度异常区域，它能间接推断电路中的故障点，尤其擅长发现与能量损耗相关的问题。红外光谱微光显微镜分析