江西芯片LIT

LIT技术在电子器件的湿热测试中具有应用。湿热环境可能导致电子器件发生腐蚀、电化学迁移等失效模式。LIT系统在湿热测试前后对器件进行检测，捕获其表面的热分布。湿热环境造成的损伤往往表现为热特性变化，LIT技术能够捕捉到这些变化。锁相解调单元提取有效热信号，图像处理生成热图。LIT技术可评估湿热环境对器件热性能的影响。该技术适用于电子器件的环境可靠性评估。苏州致晟光电科技有限公司的LIT设备支持湿热测试相关的检测。 LIT 遇到金属层覆盖的样品，金属会反射红外，对 LIT 信号形成遮挡影响。江西芯片LIT

LIT技术在系统级芯片（SoC）的失效分析中具有应用。SoC集成了多个功能模块，包括处理器、存储器、通信接口、模拟前端等。LIT系统对SoC施加工作电压和多模块协同激励，捕获其表面的热分布。SoC在特定工作场景下，缺陷模块会产生热异常。LIT技术可识别SoC中的模块间通信故障、电源管理问题、局部过热等失效模式。分析时，可运行典型应用场景（如视频编解码、无线数据收发、传感器融合处理），使多个模块同时工作，LIT系统捕获整个芯片表面的热图。通过锁相解调提取与模块工作时钟或数据包传输频率同步的热信号，不同模块的发热区域在热图上呈现空间分离。当片上网络（NoC）通信链路出现阻塞时，对应路由节点区域的热幅度明显升高；电源管理单元失效时，某路电源域内多个模块的发热一致性变差；模拟前端异常则表现为特定模拟电路区域的热响应相位偏差。多频LIT检测还能区分故障位于芯片表层金属互连还是深层晶体管。该技术适用于SoC的设计验证、系统调试和失效分析。苏州致晟光电科技有限公司的LIT设备支持SoC的检测，并配备多激励源协同控制模块，满足复杂芯片的分析需求。贵州集成电路LITLIT 的镜头倍率切换，会改变 LIT 单帧成像覆盖的样品视场范围。

在PCB制造过程中的质量检测环节，LIT技术能够对线路板的导通性和绝缘性进行非接触式验证。系统通过对PCB施加电激励，捕获线路表面的热响应分布。LIT技术可识别线路中的微短路、开路、阻抗不连续等问题。锁相解调单元从背景噪声中提取有效热信号，图像处理生成热图，直观显示异常发热区域。LIT技术适用于PCB从内层线路到外层线路、从单层板到多层板的各个检测环节。苏州致晟光电科技有限公司的LIT设备支持不同尺寸和层数的PCB检测，满足PCB制造企业的质量控制需求。

LIT技术在太阳能电池的检测中具有广泛应用。系统通过对太阳能电池施加偏压或光照激励，捕获其表面的热响应分布。一开始LIT作为一种无需光照的分流成像技术被引入光伏领域，近年来光照LIT（ILIT）等新型技术不断涌现，可在光照条件下成像少数载流子寿命分布和焦耳热损耗，并能检测电池中的非接触区域。LIT技术可识别电池片中的分流缺陷、裂纹、串联电阻不均匀等问题，其中分流缺陷是光伏组件中常见的失效模式。锁相解调单元提取有效热信号，图像处理生成热图，直观显示性能不均匀的区域。该技术适用于单晶硅、多晶硅、薄膜太阳能电池等多种类型的检测。LIT还可用于热点分类与局部效率分析，通过不同偏压条件下的热图序列实现缺陷的量化评估。苏州致晟光电科技有限公司的LIT设备支持太阳能电池从研发到量产的检测需求。LIT 会接收到部分环境杂散红外信号，需要通过设置来降低这类干扰。

在LIT技术的实际应用中，激励信号的选择对检测效果有影响。直流偏置叠加交流激励的方式适用于检测与工作点相关的缺陷，例如MOSFET在线性区的电流 crowding效应或双极型晶体管在特定偏置下的局部热斑，这种激励方式可使缺陷在静态工作条件下充分暴露。纯交流激励的方式适用于检测与频率相关的热响应，如电容器的介质损耗随频率变化产生的发热、电感器的磁芯损耗，以及功率器件在开关频率下的动态热行为。脉冲激励的方式适用于检测瞬态热行为，如器件在上电或负载突加瞬间的热响应过程，有助于分析热时间常数和瞬态热阻抗。用户可根据失效模式和样品特性，在LIT系统中选择合适的激励方式。不同的激励方式对应不同的锁相解调策略，包括参考信号的相位锁定方式、积分时间的设定以及滤波带宽的选择，这些因素综合影响的热图像质量。激励频率的高低还决定热扩散深度，低频信号可探测封装内部界面缺陷，高频信号则聚焦于芯片表层互连结构。苏州致晟光电科技有限公司的LIT设备支持直流偏置交流叠加、纯交流、脉冲及自定义波形等多种激励模式，为用户提供灵活的检测方案。 LIT 在研发验证环节，帮助研发人员观察器件在不同工况下的 LIT 热分布状态。广东智能LIT研发

LIT 处理多芯片模组样品，LIT 扫描范围需要覆盖模组全部被测芯片区域。江西芯片LIT

LIT技术在第三代半导体器件的检测中具有应用。碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体器件工作在高电压、高频率、高温条件下。LIT系统对这些器件施加工作激励，捕获其表面的热分布。SiC和GaN器件的热特性与硅器件存在差异，LIT技术能够适应这些差异。LIT技术可识别宽禁带半导体器件中的电流拥挤、热斑、封装热应力等问题。该技术适用于第三代半导体器件的研发验证和可靠性评估。苏州致晟光电科技有限公司的LIT设备支持SiC和GaN器件的检测。 江西芯片LIT

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