广东吉田半导体材料有限公司成立于松山湖经济技术开发区,是一家专注于半导体材料研发、生产与销售的技术企业。公司注册资本 2000 万元,拥有 23 年行业经验,产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等,服务全球市场并与多家世界 500 强企业建立长期合作关系。
作为国家技术企业,吉田半导体以科技创新为驱动力,拥有多项技术,并通过 ISO9001:2008 质量体系认证。生产过程严格遵循 8S 现场管理标准,原材料均采用美、德、日等国进口的材料,确保产品质量稳定可靠。公司配备全自动化生产设备,具备行业大型的规模化生产能力,致力于成为 “半导体材料方案提供商”。
其明星产品包括:适用于 LCD 制造的正性光刻胶 YK-200/YK-300,具备高分辨率与优异涂布性能;3 微米负性光刻胶 SU-3,适用于厚膜工艺;耐高温达 250℃的纳米压印光刻胶 JT-2000,可满足高精度微纳加工需求。所有产品均符合要求,部分型号通过欧盟 ROHS 认证。
半导体材料方案选吉田,欧盟 REACH 合规,24 小时技术支持!中山水油光刻胶感光胶
吉田半导体获评 "专精特新" 企业,行业技术标准,以技术创新与标准化生产为,吉田半导体荣获 "广东省专精特新企业" 称号,树立行业。
凭借在光刻胶领域的表现,吉田半导体获评 "广东省专精特新企业"" ",承担多项国家 02 专项课题。公司主导制定《半导体光刻胶用树脂技术规范》等行业标准,推动国产材料标准化进程。未来,吉田半导体将继续以" 中国半导体材料方案提供商 "为愿景,深化技术研发与市场拓展,为全球半导体产业发展贡献" 中国力量 "。东莞LCD光刻胶多少钱水性感光胶推荐吉田 JT-1200,精细网点+易操作性!
吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000:国产技术突破耐高温极限
自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐受 250℃高温,为国产纳米器件制造提供关键材料。吉田半导体 JT-2000 纳米压印光刻胶采用国产交联树脂,在 250℃高温下仍保持图形保真度 > 95%。产品采用国产原材料与全自动化工艺,其高粘接强度与耐强酸强碱特性,适用于光学元件、传感器等精密器件。产品已通过国内科研机构验证,应用于国产 EUV 光刻机前道工艺,帮助客户实现纳米结构加工自主化。
广东吉田半导体材料有限公司凭借技术创新与质量优势,在半导体材料行业占据重要地位。公司聚焦光刻胶、电子胶、锡膏等产品,其中纳米压印光刻胶可耐受 250℃高温及强酸强碱环境,适用于高精度纳米结构制造;LCD 光刻胶以高稳定性和精细度成为显示面板行业的推荐材料。此外,公司还提供焊片、靶材等配套材料,满足客户多元化需求。
在技术层面,吉田半导体通过自主研发与国际合作结合,持续优化生产工艺,实现全流程自动化控制。其生产基地配备先进设备,并严格执行国际标准,确保产品性能达到国际水平。同时,公司注重人才培养与引进,汇聚化工、材料学等领域的专业团队,为技术创新提供坚实支撑。未来,吉田半导体将继续以 “中国前列半导体材料方案提供商” 为愿景,推动行业技术升级与国产化进程。
负性光刻胶生产原料。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
厚板光刻胶 JT - 3001:具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年,适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景,如一些特殊的电路板制造。
SU - 3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应。重量为 100g,常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000:有 1L 和 100g 两种规格,具有优异的分辨率,准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造,能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶:耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高。重量 100g,适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如一些半导体器件的制造。
松山湖半导体材料厂家吉田,全系列产品支持小批量试产!中山低温光刻胶
吉田半导体强化研发,布局下一代光刻技术。中山水油光刻胶感光胶
市场拓展
◦ 短期目标:2025年前实现LCD光刻胶国内市占率10%,半导体负性胶进入中芯国际、华虹供应链,纳米压印胶完成台积电验证。
◦ 长期愿景:成为全球的半导体材料方案提供商,2030年芯片光刻胶营收占比超40%,布局EUV光刻胶和第三代半导体材料。
. 政策与产业链协同
◦ 受益于广东省“强芯工程”和东莞市10亿元半导体材料基金,获设备采购补贴(30%)和税收减免,加速KrF/ArF光刻胶研发。
◦ 与松山湖材料实验室、华为终端建立联合研发中心,共同攻关光刻胶关键技术,缩短客户验证周期(目前平均12-18个月)。
. 挑战与应对
◦ 技术壁垒:ArF/EUV光刻胶仍依赖进口,计划2026年建成中试线,突破分辨率和灵敏度瓶颈(目标曝光剂量<10mJ/cm²)。
◦ 供应链风险:部分原材料(如树脂)进口占比超60%,正推进“国产替代计划”,与鼎龙股份、久日新材建立战略合作为原材料供应。
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