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厦门制版光刻胶厂家
来源：
发布时间：2025年06月03日
应用场景
半导体集成电路（IC）制造：
◦ 逻辑芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中，正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化（如10nm节点线宽只有100nm）。
◦ 存储芯片（DRAM/NAND）：3D堆叠结构中，正性胶用于层间接触孔（Contact）和栅极（Gate）的高深宽比图形（深宽比＞10:1）。
平板显示（LCD/OLED）：
◦ 彩色滤光片（CF）：制作黑矩阵（BM）和彩色层（R/G/B），要求高透光率和边缘锐利度（线宽5-10μm）。
◦ OLED电极：在柔性基板上形成微米级透明电极，需低应力胶膜防止基板弯曲变形。
印刷电路板（PCB）：
◦ 高密度互连（HDI）：用于细线路（线宽/线距≤50μm），如智能手机主板，相比负性胶，正性胶可实现更精细的线路边缘。
微纳加工与科研：
◦ MEMS传感器：制作微米级悬臂梁、齿轮等结构，需耐干法蚀刻的正性胶（如含硅树脂胶）。
◦ 纳米光刻：电子束光刻胶（正性为主）用于研发级纳米图案（分辨率＜10nm）。
光刻胶的技术挑战现在就是需要突破难关！厦门制版光刻胶厂家
正性光刻胶
- 半导体分立器件制造：对于二极管、三极管等半导体分立器件，正性光刻胶可实现精细的图形化加工，满足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件时，正性光刻胶凭借其高分辨率和良好对比度，能精确刻画器件的结构，提高器件性能。
- 微机电系统（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度计、陀螺仪等，结构复杂且尺寸微小。正性光刻胶用于 MEMS 制造过程中的光刻步骤，可在硅片等材料上制作出高精度的微结构，确保 MEMS 器件的功能实现。
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吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000：国产技术突破耐高温极限
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。
厚板光刻胶：JT-3001 型号，具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好，符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺，如特定电路板制造。
负性光刻胶
- SU-3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应，重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
- 负性光刻胶 JT-1000：有 1L 和 100g 两种规格，具有优异的分辨率、良好的对比度和高曝光灵敏度，光源适应。主要应用于对光刻精度要求高的领域，如半导体器件制造。
- 耐腐蚀负性光刻胶 JT-NF100：重量 1L，具备耐腐蚀特性。适用于有腐蚀风险的光刻工艺，如特殊环境下的半导体加工或电路板制造。
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• 正性光刻胶
◦ YK-300：适用于半导体制造，具备高分辨率（线宽≤10μm）、耐高温（250℃）、耐酸碱腐蚀特性，主要用于28nm及以上制程的晶圆制造，适配UV光源（365nm/405nm）。
◦ 技术优势：采用进口树脂及光引发剂，绝缘阻抗高（>10^14Ω），满足半导体器件对绝缘性的严苛要求。
• 负性光刻胶
◦ JT-1000：负性胶，主打优异抗深蚀刻性能，分辨率达3μm，适用于功率半导体、MEMS器件制造，可承受氢氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等强腐蚀液处理。
◦ SU-3：经济型负性胶，性价比高，适用于分立器件及低端逻辑芯片，光源适应性广（248nm-436nm），曝光灵敏度≤200mJ/cm²。
2. 显示面板光刻胶
• LCD正性光刻胶YK-200：专为TFT-LCD制程设计，具备高涂布均匀性（膜厚误差±1%）、良好的基板附着力，用于彩色滤光片（CF）和阵列基板（Array）制造，支持8.5代线以上大规模生产。
• 水性感光胶JT-1200：环保型产品，VOC含量<50g/L，符合欧盟RoHS标准，适用于柔性显示基板，可制作20μm以下精细网点，主要供应京东方、TCL等面板厂商。
半导体光刻胶：技术领域取得里程碑。厦门制版光刻胶厂家
企业定位与资质
◦ 成立背景：深耕半导体材料行业23年，位于松山湖经济技术开发区，注册资本2000万元，是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。
◦ 质量体系：通过ISO9001:2008认证，严格执行8S现场管理，原材料源自美国、德国、日本等国，确保产品稳定性。
◦ 市场布局：产品远销全球，与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系，覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。
厦门制版光刻胶厂家
企业优势
◦ 研发能力：拥有多项专利证书，自主研发芯片光刻胶、纳米压印光刻胶等产品，配备全自动化生产设备，具备从材料合成到成品制造的全流程能力。
◦ 产能与品控：采用进口原材料和严格制程管控，确保金属杂质含量低于行业标准（如半导体光刻胶金属杂质<5ppb），良率达99%以上。