您好,欢迎访问

商机详情 -

烟台高温光刻胶

来源: 发布时间:2025年04月29日

  1. 全品类覆盖
    吉田半导体产品线涵盖正性 / 负性光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、厚膜光刻胶及水性光刻胶等,覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等多领域需求,技术布局全面性于多数国内厂商。
  2. 关键技术突破
    纳米压印技术:JT-2000 纳米压印光刻胶耐高温达 250℃,支持纳米级精度图案复制,适用于第三代半导体(GaN/SiC)及 Mini LED 等新兴领域,技术指标接近国际先进水平。
    水性环保配方:JT-1200 水性感光胶以水为溶剂替代传统有机溶剂,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 标准,环保性能优于同类产品。
    厚膜工艺能力:JT-3001 厚板光刻胶膜厚可控(达数十微米),满足高密度像素阵列及 MEMS 器件的制造需求。
负性光刻胶生产原料。烟台高温光刻胶

烟台高温光刻胶,光刻胶

作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
  • YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
  • SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
  • JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
惠州3微米光刻胶水性感光胶推荐吉田 JT-1200,水油兼容配方,钢片加工精度 ±5μm!

烟台高温光刻胶,光刻胶

技术研发:从配方到工艺的经验壁垒

 配方设计的“黑箱效应”
光刻胶配方涉及成百上千种成分的排列组合,需通过数万次实验优化。例如,ArF光刻胶需在193nm波长下实现0.1μm分辨率,其光酸产率、热稳定性等参数需精确匹配光刻机性能。日本企业通过数十年积累形成的配方数据库,国内企业短期内难以突破。

 工艺控制的极限挑战
光刻胶生产需在百级超净车间进行,金属离子含量需控制在1ppb以下。国内企业在“吸附—重结晶—过滤—干燥”耦合工艺上存在技术短板,导致产品批次一致性差。例如,恒坤新材的KrF光刻胶虽通过12英寸产线验证,但量产良率较日本同类型产品低约15%。

 EUV光刻胶的“代际鸿沟”
EUV光刻胶需在13.5nm波长下工作,传统有机光刻胶因吸收效率低、热稳定性差面临淘汰。国内企业如久日新材虽开发出EUV光致产酸剂,但金属氧化物基光刻胶(如氧化锌)的纳米颗粒分散技术尚未突破,导致分辨率达10nm,而国际水平已实现5nm。

研发投入的“高门槛”
一款KrF光刻胶的研发费用约2亿元,而国际巨头年研发投入超10亿美元。国内企业如彤程新材2024年半导体光刻胶业务营收5.4亿元,研发投入占比不足15%,难以支撑长期技术攻关。

2. 价格竞争的“双重挤压”
国内PCB光刻胶价格较国际低30%,但半导体光刻胶因性能差距,价格为进口产品的70%,而成本却高出20%。例如,国产ArF光刻胶售价约150万元/吨,而日本同类产品为120万元/吨,且性能更优。

突破路径与未来展望

 原材料国产化攻坚:聚焦树脂单体合成、光酸纯化等关键环节,推动八亿时空、怡达股份等企业实现百吨级量产。

 技术路线创新:探索金属氧化物基光刻胶、电子束光刻胶等新方向,华中科技大学团队已实现5nm线宽原型验证。

 产业链协同创新:借鉴“TSMC-供应商”模式,推动晶圆厂与光刻胶企业共建联合实验室,缩短认证周期。

 政策与资本双轮驱动:依托国家大基金三期,对通过验证的企业给予设备采购补贴(30%),并设立专项基金支持EUV光刻胶研发。
吉田半导体公司基本概况。

烟台高温光刻胶,光刻胶

光刻胶系列

厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;

水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;

LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;

半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;

耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。 吉田技术自主化与技术领域突破!沈阳厚膜光刻胶价格

水性感光胶推荐吉田 JT-1200,精细网点+易操作性!烟台高温光刻胶

纳米压印光刻胶


  • 微纳光学器件制造:制作衍射光学元件、微透镜阵列等微纳光学器件时,纳米压印光刻胶可实现高精度的微纳结构复制。通过纳米压印技术,将模板上的微纳图案转移到光刻胶上,再经过后续处理,可制造出具有特定光学性能的微纳光学器件,应用于光通信、光学成像等领域。
  • 生物芯片制造:在 DNA 芯片、蛋白质芯片等生物芯片的制造中,需要在芯片表面构建高精度的微纳结构,用于生物分子的固定和检测。纳米压印光刻胶可帮助实现这些精细结构的制作,提高生物芯片的检测灵敏度和准确性。

  • 烟台高温光刻胶

    广东吉田半导体材料有限公司是一家有着先进的发展理念,先进的管理经验,在发展过程中不断完善自己,要求自己,不断创新,时刻准备着迎接更多挑战的活力公司,在广东省等地区的电工电气中汇聚了大量的人脉以及**,在业界也收获了很多良好的评价,这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果,这些评价对我们而言是比较好的前进动力,也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神,努力把公司发展战略推向一个新高度,在全体员工共同努力之下,全力拼搏将共同吉田半导体供应和您一起携手走向更好的未来,创造更有价值的产品,我们将以更好的状态,更认真的态度,更饱满的精力去创造,去拼搏,去努力,让我们一起更好更快的成长!

    标签: 锡片 光刻胶