技术趋势与挑战
半导体先进制程：
◦ EUV光刻胶需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷数＜10个），开发低粗糙度（≤5nm）材料；
◦ 极紫外吸收问题：胶膜对13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑战化学增幅体系的灵敏度。
环保与低成本：
◦ 水性负性胶替代溶剂型胶（如PCB阻焊胶），减少VOC排放；
◦ 单层胶工艺替代多层胶，简化流程（如MEMS厚胶的一次性涂布）。
新兴领域拓展：
◦ 柔性电子：开发耐弯曲（曲率半径＜5mm）、低模量感光胶，用于可穿戴设备电路；
◦ 光子芯片：高折射率胶（n＞1.8）制作光波导，需低传输损耗（＜0.1dB/cm）。
典型产品与厂商
• 半导体正性胶：
◦ 日本信越（Shin-Etsu）的ArF胶（分辨率22nm，用于12nm制程）；
◦ 美国陶氏（Dow）的EUV胶（灵敏度10mJ/cm²，缺陷密度＜5个/cm²）。
• PCB负性胶：
◦ 中国容大感光（LP系列）：耐碱性蚀刻，厚度20-50μm，国产化率超60%；
◦ 日本东京应化（TOK）的THMR-V：全球PCB胶市占率30%，适用于高可靠性汽车板。
• MEMS厚胶：
◦ 美国陶氏的SU-8：实验室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需优化交联均匀性）；
◦ 德国Microresist的MR胶：耐深硅蚀刻，线宽精度±2%，用于工业级MEMS制造。
吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造环保光刻胶。广州阻焊油墨光刻胶供应商
应用场景
半导体集成电路（IC）制造：
◦ 逻辑芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中，正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化（如10nm节点线宽只有100nm）。
◦ 存储芯片（DRAM/NAND）：3D堆叠结构中，正性胶用于层间接触孔（Contact）和栅极（Gate）的高深宽比图形（深宽比＞10:1）。
平板显示（LCD/OLED）：
◦ 彩色滤光片（CF）：制作黑矩阵（BM）和彩色层（R/G/B），要求高透光率和边缘锐利度（线宽5-10μm）。
◦ OLED电极：在柔性基板上形成微米级透明电极，需低应力胶膜防止基板弯曲变形。
印刷电路板（PCB）：
◦ 高密度互连（HDI）：用于细线路（线宽/线距≤50μm），如智能手机主板，相比负性胶，正性胶可实现更精细的线路边缘。
微纳加工与科研：
◦ MEMS传感器：制作微米级悬臂梁、齿轮等结构，需耐干法蚀刻的正性胶（如含硅树脂胶）。
◦ 纳米光刻：电子束光刻胶（正性为主）用于研发级纳米图案（分辨率＜10nm）。
宁波PCB光刻胶国产厂家光刻胶新兴及扩展应用。
光刻胶系列：
厚板光刻胶 JT - 3001，具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能，符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年；
水油光刻胶 SR - 3308，容量 5L；SU - 3 负性光刻胶，分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应，重量 100g；
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000，有 1L 装和 100g 装两种规格，分辨率高，准确性和稳定性好；
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶，耐强酸强碱，耐高温达 250°C，长期可靠性高，粘接强度高，重量 100g；
LCD 正性光刻胶 YK - 200，具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力，重量 100g；
半导体正性光刻胶 YK - 300，具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性，重量 100g；
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100，重量 1L。
定义与特性
正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案一致的图形。与负性光刻胶（未曝光区域溶解）相比，其优势是分辨率高、图案边缘清晰，是半导体制造（尤其是制程）的主流选择。
化学组成与工作原理
主要成分
• 树脂（成膜剂）：
◦ 传统正性胶：采用**酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ，光敏剂）**的复合体系（PAC体系），占比约80%-90%。
◦ 化学增幅型（用于DUV/EUV）：含环化烯烃树脂或含氟聚合物，搭配光酸发生器（PAG），通过酸催化反应提高感光度和分辨率。
• 溶剂：溶解树脂和感光剂，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。
• 添加剂：表面活性剂（改善涂布均匀性）、稳定剂（防止暗反应）、碱溶解度调节剂等。
工作原理
• 曝光前：光敏剂（如DNQ）与树脂结合，形成不溶于碱性显影液的复合物。
• 曝光时：
◦ 传统PAC体系：DNQ在紫外光（G线436nm、I线365nm）照射下发生光分解，生成羧酸，使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。
◦ 化学增幅型：PAG在DUV/EUV光下产生活性酸，催化树脂发生脱保护反应，大幅提高显影速率（灵敏度提升10倍以上）。
• 显影后：曝光区域溶解去除，未曝光区域保留，形成正性图案。
半导体材料方案选吉田，欧盟 REACH 合规，24 小时技术支持！
聚焦先进封装需求，吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务，助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域，吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，为高密度金属互连提供可靠支撑。其 BGA 助焊膏采用低温固化技术（180℃），焊接空洞率 < 5%；针筒锡膏适用于 01005 超微型元件，印刷精度达 ±5μm。通过标准化实验室与快速响应团队，公司为客户提供工艺优化建议，帮助降低生产成本，增强市场竞争力。负性光刻胶生产厂家。珠海制版光刻胶
吉田半导体材料的绿色环保与可持续发展。广州阻焊油墨光刻胶供应商
国家战略支持
《国家集成电路产业投资基金三期规划》将光刻胶列为重点投资领域，计划投入超500亿元支持研发。工信部对通过验证的企业给予税收减免和设备采购补贴，单家企业比较高补贴可达研发投入的30%。
地方产业协同
济南设立宽禁带半导体产业专项基金，深圳国际半导体光刻胶产业展览会（2025年4月）吸引全球300余家企业参展，推动技术交流。
资本助力产能扩张
恒坤新材通过科创板IPO募资15亿元，扩大KrF光刻胶产能并布局集成电路前驱体项目。彤程新材半导体光刻胶业务2024年上半年营收增长54.43%，ArF光刻胶开始形成销售。
广州阻焊油墨光刻胶供应商
广东吉田半导体材料有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标，有组织有体系的公司，坚持于带领员工在未来的道路上大放光明，携手共画蓝图，在广东省等地区的电工电气行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源，也收获了良好的用户口碑，为公司的发展奠定的良好的行业基础，也希望未来公司能成为*****，努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量，我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息，斗志昂扬的的企业精神将**吉田半导体供应和您一起携手步入辉煌，共创佳绩，一直以来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，员工精诚努力，协同奋取，以品质、服务来赢得市场，我们一直在路上！
