吉田半导体突破 ArF 光刻胶技术壁垒,国产替代再迎新进展
自主研发 ArF 光刻胶通过中芯国际验证,吉田半导体填补国内光刻胶空白。
吉田半导体成功研发出 AT-450 ArF 光刻胶,分辨率达 90nm,适用于 14nm 及以上制程,已通过中芯国际量产验证。该产品采用国产原材料与自主配方,突破日本企业对 ArF 光刻胶的垄断。其光酸产率提升 30%,蚀刻选择比达 4:1,性能对标日本信越的 ArF 系列。吉田半导体的技术突破加速了国产芯片制造材料自主化进程,为国内晶圆厂提供高性价比解决方案。
松山湖半导体材料厂家吉田,全系列产品支持小批量试产!青岛LED光刻胶品牌
广东吉田半导体材料有限公司凭借技术创新与质量优势,在半导体材料行业占据重要地位。公司聚焦光刻胶、电子胶、锡膏等产品,其中纳米压印光刻胶可耐受 250℃高温及强酸强碱环境,适用于高精度纳米结构制造;LCD 光刻胶以高稳定性和精细度成为显示面板行业的推荐材料。此外,公司还提供焊片、靶材等配套材料,满足客户多元化需求。
在技术层面,吉田半导体通过自主研发与国际合作结合,持续优化生产工艺,实现全流程自动化控制。其生产基地配备先进设备,并严格执行国际标准,确保产品性能达到国际水平。同时,公司注重人才培养与引进,汇聚化工、材料学等领域的专业团队,为技术创新提供坚实支撑。未来,吉田半导体将继续以 “中国前列半导体材料方案提供商” 为愿景,推动行业技术升级与国产化进程。
青岛LED光刻胶品牌产业链配套:原材料与设备协同发展。
吉田半导体 SU-3 负性光刻胶:国产技术赋能 5G 芯片封装
自主研发 SU-3 负性光刻胶支持 3 微米厚膜加工,成为 5G 芯片高密度封装材料。
针对 5G 芯片封装需求,吉田半导体自主研发 SU-3 负性光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min。其超高感光度与耐化学性确保复杂图形的完整性,已应用于高通 5G 基带芯片量产。产品采用国产原材料与工艺,不采用国外材料,成本较进口产品降低 40%,帮助客户提升封装良率至 98.5%,为国产 5G 芯片制造提供关键材料支撑。
光刻胶系列:
厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;
水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;
LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;
半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。
半导体材料选吉田,欧盟认证,支持定制化解决方案!
吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等领域,通过差异化技术(如纳米压印、厚膜工艺)和环保特性(水性配方),满足从传统电子到新兴领域(如第三代半导体、Mini LED)的多样化需求。其产品不仅支持高精度、高可靠性的制造工艺,还通过材料创新推动行业向绿色化、低成本化方向发展。吉田半导体光刻胶的优势在于技术全面性、环保创新、质量稳定性及本土化服务,尤其在纳米压印、厚膜工艺及水性胶领域形成差异化竞争力。
纳米压印光刻胶哪家强?吉田半导体附着力提升 30%!青岛LED光刻胶品牌
光刻胶的技术挑战现在就是需要突破难关!青岛LED光刻胶品牌
行业地位与竞争格局
1. 国际对比
◦ 技术定位:聚焦细分市场(如纳米压印、LCD),而国际巨头(如JSR、东京应化)主导半导体光刻胶(ArF、EUV)。
◦ 成本优势:原材料自主化率超80%,成本低20%;国际巨头依赖进口原材料,成本较高。
◦ 客户响应:48小时内提供定制化解决方案,认证周期为国际巨头的1/5。
2. 国内竞争
国内光刻胶市场仍由日本企业垄断(全球市占率超60%),但吉田在纳米压印、LCD光刻胶等领域具备替代进口的潜力。与南大光电、晶瑞电材等企业相比,吉田在细分市场的技术积累更深厚,但ArF、EUV光刻胶仍需突破。
风险与挑战
技术瓶颈:ArF、EUV光刻胶仍依赖进口,研发投入不足国际巨头的1/10。
客户认证周期:半导体光刻胶需2-3年验证,吉田尚未进入主流晶圆厂供应链。
供应链风险:部分树脂(如ArF用含氟树脂)依赖日本住友电木。
行业竞争加剧:国内企业如南大光电、晶瑞电材加速技术突破,可能挤压吉田的市场份额。
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