该设备搭载的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探测器与高分辨率显微物镜形成黄金组合,从硬件层面确保了超高检测灵敏度的稳定输出。这种良好的性能使其能够突破微光信号检测的技术瓶颈,即便在微弱漏电流环...
热红外显微镜(ThermalEMMI)的另一大优势在于其非接触式检测能力,相较于传统接触式方法具有优势。传统接触式检测通常需要使用探针直接接触被测设备,这不仅可能因机械压力导致芯片焊点形变或线路微...
微光显微镜下可以产生亮点的缺陷,如:1.漏电结(JunctionLeakage);2.接触毛刺(Contactspiking);3.热电子效应(Hotelectrons);4.闩锁效应(Latch-U...
热红外显微镜是半导体失效分析与缺陷定位的三大主流手段之一(EMMI、THERMAL、OBIRCH),通过捕捉故障点产生的异常热辐射,实现精细定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表现为局部功耗异常,导致微...
在电子器件和半导体元件的检测环节中,如何在不损坏样品的情况下获得可靠信息,是保证研发效率和产品质量的关键。传统分析手段,如剖片、电镜扫描等,虽然能够提供一定的内部信息,但往往具有破坏性,导致样品无法重...
致晟光电的EMMI微光显微镜依托公司在微弱光信号处理领域技术,将半导体器件在通电状态下产生的极低强度光信号捕捉并成像。当器件内部存在PN结击穿、漏电通道、金属迁移等缺陷时,会释放特定波长的光子。致晟光...
半导体制程逐步迈入3纳米及更先进阶段,芯片内部结构愈发复杂密集,供电电压不断降低,微观热行为对器件性能的影响日益明显。在这一背景下,致晟光电热红外显微镜应运而生,并在传统热发射显微技术基础上实现了深度...
作为专为半导体检测设计的红外热点显微镜,它兼具高频、高灵敏度与高分辨率优势。通过周期性电信号激励与相位分析,红外热点显微镜能实时提取微弱红外光谱信号,检测mK级温度变化——这意味着即使是芯片内部0.1...
半导体行业持续向更小尺寸、更高集成度方向迈进,这对检测技术提出了更高要求。EMMI 顺应这一趋势,不断创新发展。一方面,研发团队致力于进一步提升探测器灵敏度,使其能够探测到更微弱、更罕见的光信号,以应...
在不同类型的半导体产品中,EMMI(微光显微镜) 扮演着差异化却同样重要的角色。对于功率半导体,如 IGBT 模块,其工作时承受高电压、大电流,微小的缺陷极易引发过热甚至烧毁。EMMI 能够检测到因缺...
从技术实现角度来看,Thermal EMMI热红外显微镜的核心竞争力源于多模块的深度协同设计:其搭载的高性能近红外探测器(如InGaAs材料器件)可实现900-1700nm波段的高灵敏度响应,配合...
对于半导体研发工程师而言,排查失效问题往往是一场步步受阻的过程。在逐一排除外围电路异常、生产工艺缺陷等潜在因素后,若仍无法定位问题根源,往往需要依赖芯片原厂介入,借助剖片分析手段深入探查芯片内核。然而...
在半导体产业加速国产化的浪潮中,致晟光电始终锚定半导体失效分析这一**领域,以技术创新突破进口设备垄断,为国内半导体企业提供高性价比、高适配性的检测解决方案。不同于通用型检测设备,致晟光电的产品研发完...
EMMI 技术自诞生以来,经历了漫长且关键的发展历程。早期的 EMMI 受限于探测器灵敏度与光学系统分辨率,只能检测较为明显的半导体缺陷,应用范围相对狭窄。随着科技的飞速进步,新型深制冷型探测器问世,...
热红外显微镜的分辨率不断提升,推动着微观热成像技术的发展。早期的热红外显微镜受限于光学系统和探测器性能,空间分辨率通常在几十微米级别,难以满足微观结构的检测需求。随着技术的进步,采用先进的红外焦平面阵...
Thermal和EMMI是半导体失效分析中常用的两种定位技术,主要区别在于信号来源和应用场景不同。Thermal(热红外显微镜)通过红外成像捕捉芯片局部发热区域,适用于分析短路、功耗异常等因电流集中引...
在电性失效分析领域,微光显微镜 EMMI 常用于检测击穿通道、漏电路径以及器件早期退化区域。芯片在高压或大电流应力下运行时,这些缺陷部位会产生局部光发射,而正常区域则保持暗场状态。EMMI 能够在器件...
在微光显微镜(EMMI)的操作过程中,对样品施加适当电压时,其失效点会由于载流子加速散射或电子-空穴对复合效应而发射特定波长的光子。这些光子经过光学采集与图像处理后,可形成一张清晰的信号图,用于反映样...
具体工作流程中,当芯片处于通电工作状态时,漏电、短路等异常电流会引发局部焦耳热效应,产生皮瓦级至纳瓦级的极微弱红外辐射。这些信号经 InGaAs 探测器转换为电信号后,通过显微光学系统完成成像,再经算...
无损热红外显微镜的非破坏性分析(NDA)技术,为失效分析提供了 “保全样品” 的重要手段。它在不损伤高价值样品的前提下,捕捉隐性热信号以定位内部缺陷,既保障了分析的准确性,又为后续验证、复盘保留了完整...
Thermal和EMMI是半导体失效分析中常用的两种定位技术,主要区别在于信号来源和应用场景不同。Thermal(热红外显微镜)通过红外成像捕捉芯片局部发热区域,适用于分析短路、功耗异常等因电流集中引...
功率器件在工作时往往需要承受高电压和大电流,因此其热管理问题直接影响到产品的性能与寿命。常规热测试手段通常无法兼顾分辨率和动态响应速度,难以满足现代功率器件的研发需求。热红外显微镜的出现,弥补了这一空...
EMMI 的技术基于半导体物理原理,当半导体器件内部存在缺陷导致异常电学行为时,会引发电子 - 空穴对的复合,进而产生光子发射。设备中的高灵敏度探测器如同敏锐的 “光子猎手”,能将这些微弱的光信号捕获...
在芯片失效分析的流程中,失效背景调查相当于提前设置好的“导航系统”,它能够为分析人员提供清晰的方向,帮助快速掌握样品的整体情况,为后续环节奠定可靠基础。 首先需要明确的是芯片的型号信息。不同...
在不同类型的半导体产品中,EMMI(微光显微镜) 扮演着差异化却同样重要的角色。对于功率半导体,如 IGBT 模块,其工作时承受高电压、大电流,微小的缺陷极易引发过热甚至烧毁。EMMI 能够检测到因缺...
红外线介于可见光和微波之间,波长范围0.76~1000μm。凡是高于jd零度(0 K,即-273.15℃)的物质都可以产生红外线,也叫黑体辐射。 由于红外肉眼不可见,要察觉这种辐射的存在并测...
基于这些信息,可以初步判断失效现象是否具有可重复性,并进一步区分是由设计问题、制程工艺偏差还是应用不当(如过压、静电冲击)所引发。其次,电性能验证能为失效定位提供更加直观的依据。通过自动测试设备(AT...
在芯片失效分析的流程中,失效背景调查相当于提前设置好的“导航系统”,它能够为分析人员提供清晰的方向,帮助快速掌握样品的整体情况,为后续环节奠定可靠基础。 首先需要明确的是芯片的型号信息。不同...
热点区域对应高温部位,可能是发热源或故障点;等温线连接温度相同点,能直观呈现温度梯度与热量传导规律。目前市面上多数设备受红外波长及探测器性能限制,普遍存在热点分散、噪点多的问题,导致发热区域定位不准,...
与传统的 emmi 相比,thermal emmi 在检测复杂半导体器件时展现出独特优势。传统 emmi 主要聚焦于光信号检测,而 thermal emmi 增加了温度监测维度,能更***地反映缺陷的...