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企业商机 - 广东省科学院半导体研究所
  • 驻马店UV光固化真空镀膜 发布时间:2025.11.26

    通常在真空镀膜中制备的薄膜与衬底的粘附主要与一下几个因素有关:1.衬底表面的清洁度;2.制备时腔体的本底真空度;3.衬底表面的预处理。衬底的清洁度会严重影响薄膜的粘附力,也可能导致制备的薄膜在脏污处出...

  • 量子点显示技术借力电子束曝光突破色彩转换瓶颈。在InGaN蓝光晶圆表面构建光学校准微腔,精细调控量子点受激辐射波长。多层抗蚀剂工艺形成倒金字塔反射结构,使红绿量子点光转化效率突破95%。色彩一致性控制...

  • 广东光栅电子束曝光价格 发布时间:2025.11.25

    研究所利用电子束曝光技术制备微纳尺度的热管理结构,探索其在功率半导体器件中的应用。功率器件工作时产生的热量需快速散出,团队通过电子束曝光在器件衬底背面制备周期性微通道结构,增强散热面积。结合热仿真与实...

  • 浙江光掩模电子束曝光工艺 发布时间:2025.11.24

    电子束曝光解决微型燃料电池质子传导效率难题。石墨烯质子交换膜表面设计螺旋微肋条通道,降低质传阻力同时增强水管理能力。纳米锥阵列催化剂载体使铂原子利用率达80%,较商业产品提升5倍。在5cm²微型电堆中...

  • 现代科研平台将电子束曝光模块集成于扫描电子显微镜(SEM),实现原位加工与表征。典型应用包括在TEM铜网制作10μm支撑膜窗口或在AFM探针沉积300纳米铂层。利用二次电子成像和能谱(EDS)联用,电...

  • 围绕电子束曝光在半导体激光器腔面结构制备中的应用,研究所进行了专项攻关。激光器腔面的平整度与垂直度直接影响其出光效率与寿命,科研团队通过控制电子束曝光的剂量分布,在腔面区域制备高精度掩模,再结合干法刻...

  • 佛山真空镀膜加工厂 发布时间:2025.11.22

    电介质在集成电路中主要提供器件、栅极和金属互连间的绝缘,选择的材料主要是氧化硅和氮化硅等。氧化硅薄膜可以通过热氧化、化学气相沉积和原子层沉积法的方法获得。如果按照压力来区分的话,热氧化一般为常压氧化工...

  • 山东图形化电子束曝光加工 发布时间:2025.11.21

    科研团队探索电子束曝光与化学机械抛光技术的协同应用,用于制备全局平坦化的多层结构。多层器件在制备过程中易出现表面起伏,影响后续曝光精度,团队通过电子束曝光定义抛光阻挡层图形,结合化学机械抛光实现局部区...

  • 研究所将电子束曝光技术应用于 IGZO 薄膜晶体管的沟道图形制备中,探索其在新型显示器件领域的应用潜力。IGZO 材料对曝光过程中的电子束损伤较为敏感,科研团队通过控制曝光剂量与扫描方式,减少电子束与...

  • 无锡真空镀膜工艺流程 发布时间:2025.11.20

    PVD镀膜(离子镀膜)技术,其具体原理是在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。...

  • 半导体材料刻蚀服务价格 发布时间:2025.11.20

    泛曝光是在不使用掩膜的曝光过程,会对未暴露的光刻胶区域进行曝光,从而可以在后续的显影过程被溶解显影。为了使光刻胶轮廓延伸到衬底,(衬底附近)光刻胶区域也应获得足够的曝光剂量。泛曝光的剂量过大并不会影响...

  • 福建MEMS材料刻蚀 发布时间:2025.11.19

    双面对准光刻机采用底部对准(BSA)技术,能实现“双面对准,单面曝光”。该设备对准精度高,适用于大直径基片。在对准过程中,图形处理技术起到了至关重要的作用。其基本工作原理是将CCD摄像头采集得到的连续...

  • 在量子材料如拓扑绝缘体Bi₂Te₃研究中,电子束曝光实现原子级准确电极定位。通过双层PMMA/MMA抗蚀剂堆叠工艺,结合电子束诱导沉积(EBID)技术,直接构建<100纳米间距量子点接触电极。关键技术...

  • 磁存储器技术通过电子束曝光实现密度与能效突破。在垂直磁各向异性薄膜表面制作纳米盘阵列,直径20nm下仍保持单畴磁结构。特殊设计的边缘畴壁锁定结构提升热稳定性300%,使存储单元临界尺寸突破5nm物理极...

  • 对于可修复的微小缺陷,通过局部二次曝光的方式进行修正,提高了图形的合格率。在 6 英寸晶圆的中试实验中,这种缺陷修复技术使无效区域的比例降低了一定程度,提升了电子束曝光的材料利用率。研究所将电子束曝光...

  • 珠海PVD真空镀膜 发布时间:2025.11.18

    磁控溅射可以使用各种类型的气体进行,例如氩气、氮气和氧气等。气体的选择取决于薄膜的所需特性和应用。例如,氩气通常用作沉积金属的溅射气体,而氮气则用于沉积氮化物。磁控溅射可以以各种配置进行,例如直流(D...

  • 山东材料刻蚀加工 发布时间:2025.11.18

    对于透明基片的双面光刻加工,其准标记可灵活设计,沿目镜的光轴上方的图案区域如果是不透光的,该区域的对准标记可以简单设计成透光十字或透光方框作为对准标记。如果目镜光轴上方掩模板图案区域是透光的,该区域设...

  • 河南材料刻蚀加工厂 发布时间:2025.11.18

    用O2等离子体对样品整体处理,以清理显影后可能的非望残留。特别是负胶但也包括正胶,在显影后会在原来胶-基板界面处残留聚合物薄层,这个问题在结构小于1um或大深-宽比的结构中更为严重。当然过程中留胶厚度...

  • 天津真空晶圆键合服务 发布时间:2025.11.17

    晶圆键合加速量子计算硬件落地。石英-超导共面波导键合实现微波精确操控,量子门保真度达99.99%。离子阱阵列精度<50nm,支持500量子比特并行操控。霍尼韦尔系统实测量子体积1024,较传统架构提升...

  • 在电子束曝光与离子注入工艺的结合研究中,科研团队探索了高精度掺杂区域的制备技术。离子注入的掺杂区域需要与器件图形精确匹配,团队通过电子束曝光制备掩模图形,控制离子注入的区域与深度,研究不同掺杂浓度对器...

  • 四川材料刻蚀价格 发布时间:2025.11.17

    在光刻胶技术数据表中,会给出一些参考的曝光剂量值,通常,这里所写的值是用单色i-线或者BB-UV曝光。正胶和负胶的光反应通常是一个单光子过程与时间没太大关系。因此,在原则上需要多长时间(从脉冲激光的飞...

  • 研究所将电子束曝光技术应用于生物传感器的微纳电极制备中,探索其在跨学科领域的应用。生物传感器的电极尺寸与间距会影响检测灵敏度,科研团队通过电子束曝光制备纳米级间隙的电极对,研究间隙尺寸与生物分子检测信...

  • 硅的酸性蚀刻液:Si与HNO3、HF的混合溶液发生反应,硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶...

  • 北京材料刻蚀平台 发布时间:2025.11.15

    掩膜对准光刻及步进投影式光刻机中常用汞灯作为曝光光源,其发射光谱包括g-(波长435nm)、h-(波长405nm)和i-线(波长365nm)。一个配有350wHg灯的6英寸掩模对准器通常能获得大约光输...

  • 中山热压晶圆键合加工厂 发布时间:2025.11.14

    围绕晶圆键合技术的中试转化,研究所建立了从实验室工艺到中试生产的过渡流程,确保技术参数在放大过程中的稳定性。在 2 英寸晶圆键合技术成熟的基础上,团队逐步探索 6 英寸晶圆的中试工艺,通过改进设备的承...

  • 半导体材料刻蚀代工 发布时间:2025.11.14

    电子束曝光指使用电子束在表面上制造图样的工艺,是光刻技术的延伸应用。它的特点是分辨率高、图形产生与修改容易、制作周期短。它可分为扫描曝光和投影曝光两大类,其中扫描曝光系统是电子束在工件面上扫描直接产生...

  • 浙江IBE材料刻蚀多少钱 发布时间:2025.11.14

    刻蚀是利用化学或者物理的方法将晶圆表面附着的不必要的材料进行去除的过程。刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。目前应用主要以干法刻蚀为主,市场占比90%以上。湿法刻蚀在小尺寸及复杂结构应用中具有局限性,目...

  • 山东GaN材料刻蚀 发布时间:2025.11.14

    双面对准光刻机采用底部对准(BSA)技术,能实现“双面对准,单面曝光”。该设备对准精度高,适用于大直径基片。在对准过程中,图形处理技术起到了至关重要的作用。其基本工作原理是将CCD摄像头采集得到的连续...

  • 北京纳米电子束曝光价钱 发布时间:2025.11.13

    电子束曝光推动再生医学跨越式发展,在生物支架构建人工血管网。梯度孔径设计模拟真实血管分叉结构,促血管内皮细胞定向生长。在3D打印兔骨缺损模型中,两周实现血管网络重建,骨愈合速度加快两倍。智能药物缓释单...

  • 贵州GaN材料刻蚀 发布时间:2025.11.13

    双面对准光刻机采用底部对准(BSA)技术,能实现“双面对准,单面曝光”。该设备对准精度高,适用于大直径基片。在对准过程中,图形处理技术起到了至关重要的作用。其基本工作原理是将CCD摄像头采集得到的连续...

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