国产替代GEN3测试系统市价

随着智能手机进入AI时代，SoC的竞争已从单一CPU性能转向“CPU+GPU+NPU”三位一体的综合算力比拼。Counterpoint数据显示，天玑9000系列凭借在AI能力上的前瞻布局，2024年出货量同比增长60%，预计2025年将再翻一番。这一成就的背后，不**是架构设计的**，更是对NPU（神经网络处理单元）和AI工作负载深度优化的结果。而这类高度集成的AISoC，对测试设备提出了前所未有的挑战：高引脚数、多电源域、复杂时序、低功耗模式、混合信号模块等，均需在量产前完成**验证。国磊GT600测试机正是为此类**手机SoC量身打造的测试平台，具备从功能到参数、从数字到模拟的全栈测试能力。国磊半导体，推动测试技术的进步与创新。国产替代GEN3测试系统市价

AI眼镜的轻量化设计要求SoC具备极高的功能密度与能效比，其内部状态机复杂，需支持多种低功耗模式（如DeepSleep、Standby）与快速唤醒机制。GT600的GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率与0.1%测量精度，可精确测量SoC从休眠到**的响应延迟，确保用户语音唤醒、手势触发等交互的实时性。其32/64/128M向量存储深度支持复杂状态机序列测试，覆盖AI推理、传感器融合、无线传输等多任务并发场景。国磊GT600测试机支持C++编程与VisualStudio开发环境，便于实现定制化低功耗测试流程，如周期性唤醒、事件驱动中断等典型AI眼镜工作模式的自动化验证。GEN3测试系统制作精密的电流检测能力，实时捕捉微小电流变化。

GM8800CAF测试系统通过3000V外置高压模拟电池过充状态，实时监测0.1μA~500μA漏电流（8次/秒·通道）。当隔膜绝缘电阻降至10⁸Ω（精度±3%）时触发多级报警，预防热失控。在双85环境（85℃/85%RH）下进行1000小时加速测试，精确量化电解液浸润后的材料劣化曲线：1、10¹⁰Ω阈值点对应0.05mm级隔膜缺陷。2、电阻变化率>10⁴Ω/s时自动生成失效报告（测试数据直接对接UL2580认证模板，缩短电池包准入周期50%）。这套系统不仅可以为企业节约采购成本，而且由固定资产摇身一变成为企业利润中心。

HBM的集成不****是带宽提升，更带来了复杂的混合信号测试挑战。SoC与HBM之间的信号完整性、电源噪声、时序对齐（Skew）等问题，直接影响芯片性能与稳定性。国磊GT600测试机凭借其模块化设计，支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模拟板卡，实现“数字+模拟”一体化测试。例如，通过GT-TMUHA04（10ps分辨率）精确测量HBM接口时序偏差，利用GT-AWGLP02（-122dBTHD）生成纯净激励信号，**验证高速SerDes性能。GT600将复杂问题系统化解决，为HBM集成芯片提供从DC参数到高频信号的**测试保障，确保每一颗芯片都经得起AI时代的严苛考验。国磊GT600SoC测试机提供测试向量转换工具，支持从主流商用ATE平台迁移HBM相关测试程序，降低导入成本。

杭州国磊半导体设备有限公司推出的GM8800导电阳极丝（CAF）测试系统，是一款集高性能、高可靠性、高灵活性于一体的国产**测试装备。该系统最大支持256通道分组**测试，电阻测量范围宽至10^4~10^14Ω，测量精度高，能够灵敏、准确地捕捉绝缘材料在直流高压和湿热环境下的电阻退化现象，为评估其耐CAF性能提供定量依据。GM8800提供精确可调的电压应力，内置0V~±100V精密电源，外接偏置电压比较高达3000V，电压输出稳定且精度高，步进调节精细，并具备快速的电压建立能力。系统测试参数设置灵活，间隔时间、稳定时间、总时长均可按需配置，并集成实时温湿度监控与多重安全报警功能（如低阻、电压异常、停机、断电、软件故障），确保长期测试的安全与连续。配套软件提供全自动测试控制、数据采集、图形化分析、报告导出及远程监控功能，操作简便。与进口品牌如英国GEN3相比，GM8800在**测试能力上毫不逊色，而在通道数量、购置成本、使用灵活性以及本土技术服务响应方面具有明显优势，非常适合国内PCB行业、汽车电子制造商、学术研究机构及第三方实验室用于材料鉴定、工艺优化和质量可靠性验证，是实现关键测试设备国产化替代的理想选择。国磊GT600SoC测试机AWG/Digitizer支持20/24bit分辨率，满足高精度ADC/DAC类HBM辅助电路测试需求。国磊导电阳极丝测试系统按需定制

国磊GT600利用高精度边沿（100ps）和TMU测量时序窗口进行时序与动态性能测试，建立/保持时间测试。国产替代GEN3测试系统市价

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡，每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可为每个域分配**SMU通道，实现各电源域**上电/断电、不同电压值（如1.8V、1.2V、0.9V）同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间，精确设置各域电压的上升延迟（精度达ms级），验证SoC在正确与错误时序下的行为，确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗，可用于识别某电源域的异常功耗（如漏电、短路）、分析不同工作模式（运行、睡眠、唤醒）下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压（如±5%波动），测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性，评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源（如高压模拟域），可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块，实现与GT600内部SMU的同步操作，构建完整的多电源域测试系统。国产替代GEN3测试系统市价