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深圳硅材料刻蚀

来源: 发布时间:2025年11月13日

厚胶光学光刻具有工艺相对简单、与现有IC工艺流程兼容性好、制作成本低等优点,是用来制作大深度微光学、微机械、微流道结构元件的一种很重要的方法和手段,具有广阔的应用前景,因而是微纳加工技术研究中十分活跃的领域。厚胶光刻是一个多参量的动态变化过程,多种非线性畸变因素的存在,使得对其理论和实验的研究,与薄胶相比要复杂得多。厚层光刻胶显影后抗蚀剂浮雕轮廓不仅可以传递图形,而且可以直接作为工作部件、微机械器件封装材料等。例如SU—8光刻胶具有良好的力学特性,可直接作为微齿轮、微活塞等部件的工作材料。随着厚胶光学光刻技术的成熟和完善,该技术不仅可以制作大深度、大深宽比台阶型微结构元件,而且可以制作大深度连续面形微结构元件。光刻主要利用的是光刻胶中光敏分子的单光子吸收效应所诱导的光化学反应。深圳硅材料刻蚀

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光刻工艺就是将光学掩膜版的图形转移至光刻胶中。掩膜版按基板材料分为树脂和玻璃基板,其中玻璃基板又包含石英玻璃,硅硼玻璃,苏打玻璃等,石英玻璃硬度高,热膨胀系数低但价格较高等主要用于高精度领域;按光学掩膜版的遮光材料可分为乳胶遮光模和硬质遮光膜,硬质遮光膜又细分为铬,硅,硅化钼,氧化铁等。在半导体领域,铬-石英版因其性能稳定,耐用性,精度高等在该领域被广泛应用。我国的光学掩膜版制作始于20世纪60年代,当时基板主要进口日本“樱花”玻璃及美国柯达玻璃。1978年,我国大连玻璃厂当时实现制版玻璃的产业化,成品率10%左右。80年代后期,基板主要采用平拉玻璃。到90年代,浮法玻璃技术技术较为成熟,开始使用浮法玻璃作为基板,2005年使用超白浮法玻璃作为基板。2010年以后,光掩模基板石英玻璃开始投产,其质量能基本满足IC产业光掩模版基板的高精度需求。随着市场对大直径硅片的需求,大尺寸玻璃基板也同时趋向于大型化,对光掩模石英玻璃基板也提出了更高的要求。浙江材料刻蚀价钱双面镀膜光刻是针对硅及其它半导体基片发展起来的加工技术。

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随着光刻对准技术的发展,一开始只是作为评价及测试光栅质量的莫尔条纹技术在光刻对准中的应用也得到了更深层的开发。起初,其只能实现较低精度的人工对准,但随着细光栅衍射理论的发展,利用莫尔条纹相关特性渐渐也可以在诸如纳米压印光刻对准等高精度对准领域得到应用。莫尔条纹是两条光栅或其他两个物体之间,当它们以一定的角度和频率运动时,会产生干涉条纹图案。当人眼无法看到实际物体而只能看到干涉花纹时,这种光学现象就是莫尔条纹。L.Rayleigh对这个现象做出了解释,两个重叠的平行光栅会生成一系列与光栅质量有关的低频条纹,他的理论指出当两个周期相等的光栅栅线以一定夹角平行放置时,就会产生莫尔条纹,而周期不相等的两个光栅栅线夹角为零(栅线也保持平行)平行放置时,也会产生相对于光栅周期放大的条纹。

双面镀膜光刻是针对硅及其它半导体基片发展起来的加工技术。在基片两面制作光刻图样并且实现映射对准曝光,如果图样不是轴向对称的,往往需要事先设计图样成镜像关系的两块掩模板,每块掩模板用于基片一个表面的曝光,加工设备的高精度掩模—基片对准技术是关键。对于玻璃基片,设计对准标记并充分利用其透明属性,可以方便对准操作,提高对准精度。光学玻璃基片,表面光洁度不如晶圆,需要事先经过光学抛光的工艺处理。玻璃基片的透光性是个可利用的属性,物镜可以直接透过基片看到掩模板的对准标记。数字显微镜可以不断变焦观察掩模板和基片的对准情形,不再以关联物镜参照系的数字存储图像为基准,则调焦引起的物镜抖动对于对准精度不再发生作用。这就是玻璃基片的透明属性带来的好处。底部对准( BSA)技术,能实现“ 双面对准,单面曝光”。

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曝光显影后存留在光刻胶上的图形(被称为当前层(currentlayer)必须与晶圆衬底上已有的图形(被称为参考层(referencelayer))对准。这样才能保证器件各部分之间连接正确。对准误差太大是导致器件短路和断路的主要原因之一,它极大地影响器件的良率。在集成电路制造的流程中,有专门的设备通过测量晶圆上当前图形(光刻胶图形)与参考图形(衬底内图形)之间的相对位置来确定套刻的误差(overlay)。套刻误差定量地描述了当前的图形相对于参考图形沿X和Y方向的偏差,以及这种偏差在晶圆表面的分布。与图形线宽(CD)一样,套刻误差也是监测光刻工艺好坏的一个关键指标。理想的情况是当前层与参考层的图形正对准,即套刻误差是零。为了保证设计在上下两层的电路能可靠连接,当前层中的某一点与参考层中的对应点之间的对准偏差必须小于图形间距的1/3。浸入式光刻技术明显提高了分辨率。深圳硅材料刻蚀

光刻工艺中常见的对准技术——场像对准技术。深圳硅材料刻蚀

对于透明基片的双面光刻加工,其准标记可灵活设计,沿目镜的光轴上方的图案区域如果是不透光的,该区域的对准标记可以简单设计成透光十字或透光方框作为对准标记。如果目镜光轴上方掩模板图案区域是透光的,该区域设计的对准标记可以设计成十字型或方框。不管是十字型还是方框型,都是参照内部的边和角进行精确对准。综合考虑到物距不一成像大小不同的因素,两块掩模板的对准标记也可以设计成大小不一的,以掩模板和基片标记成像方便观测对准为原则。双面光刻调制盘作为光路一部分用于约束光束,加工完成后,要用不透明的涂料涂覆标记图案及搜索线即可,即便没有搜索线,由于小方框对准标记是透光的,也不免要用涂料涂覆,涂料对于测量狭缝和机械装配公差配合没有影响。深圳硅材料刻蚀